首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mobile dram

端接DDR DRAM的電源電路

  •     DDR(雙數(shù)據(jù)速率)DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓(VREF=VDD/2)。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時(shí),必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個(gè)降壓控制器和2個(gè)線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5~28V下工作。
  • 關(guān)鍵字: 電源電路  DDR  DRAM  存儲器  

6月份全球DRAM出貨量增長了4% 達(dá)5.54億件

  •   來自市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù),6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內(nèi)存)增長了4%,達(dá)到了5.54億件,其中DDR內(nèi)存的比例從5月份的63%下滑到了61%,DDR2的比例為30%。        DRAMeXchange預(yù)測,隨著DDR內(nèi)存出貨量的削減,其供應(yīng)緊缺狀況貫穿整個(gè)第三季度,而DDR2內(nèi)存市場,就出貨量而言,Powerchip半導(dǎo)體公司和ProMOS 科技公司在我國臺灣廠商中處于領(lǐng)先地位。該研究機(jī)構(gòu)還預(yù)測
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

DRAM齊備庫存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚

  •   國際DRAM廠供應(yīng)貨源不足因應(yīng)旺季需求 OEM廠轉(zhuǎn)向臺廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)。由于OEM計(jì)算機(jī)大廠擔(dān)心進(jìn)入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后,目前庫存貨源可能不敷使用,近期紛紛開始增加對DRAM廠下單,惟國際DRAM廠已陸續(xù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品,因此供貨情況未能滿足國際OEM計(jì)算機(jī)廠需求,為此,OEM計(jì)算機(jī)廠也轉(zhuǎn)向臺灣DRAM廠尋求產(chǎn)能支應(yīng),且以過去主力供應(yīng)現(xiàn)貨市場的DRAM廠為主,據(jù)傳訂單數(shù)量相當(dāng)驚人。    TRI觀點(diǎn):以產(chǎn)業(yè)鏈各廠商的動(dòng)態(tài)來觀察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下:   
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

臺灣DRAM廠商第二季財(cái)報(bào)多數(shù)將會(huì)出現(xiàn)赤字

  •     DRAM廠商第2季財(cái)報(bào)恐多出現(xiàn)赤字,早盤股價(jià)紛紛拉回修正,盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過1%以上,茂硅一度跌停。      據(jù)港臺媒體報(bào)道,DRAM 價(jià)格第 2 季處于低檔,在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會(huì)計(jì)盈轉(zhuǎn)虧,稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)硬 出貨報(bào)價(jià)決不妥協(xié)

  •   進(jìn)入第二季底,多數(shù)DRAM廠原本為應(yīng)對季底作帳而壓低DRAM報(bào)價(jià),不過,由于日前合約價(jià)公布后竟逆勢上漲1~3%,讓所有DRAM廠吃下定心丸,不再擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨價(jià)恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價(jià)壓力。DRAM渠道商指出,現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說是相當(dāng)強(qiáng)硬,客戶端若無法接受其報(bào)出價(jià)位,寧可不賣也不愿壓低報(bào)價(jià)。    全球DRAM最新合約價(jià)公布后,盡管無法達(dá)到DRAM廠原本希望上調(diào)到3~5%的幅度,但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調(diào)1~3%的事實(shí),而DRAM廠之所以能順勢漲價(jià),最重要因素在于目
  • 關(guān)鍵字: DRAM  其他IC  制程  

DDRII需求過于樂觀 導(dǎo)致DDR供應(yīng)出現(xiàn)缺口

  •     5月26日消息,近幾個(gè)月以來,全球DRAM大廠為配合英特爾(Intel)及國際計(jì)算機(jī)大廠全力推動(dòng)DDRII成為下一世代的計(jì)算機(jī)主流架構(gòu),紛紛加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至DDRII,因而造成DDR產(chǎn)出量迅速下滑。也由于計(jì)算機(jī)大廠對于DDRII做出“過于樂觀”的錯(cuò)誤判斷,反而需回頭向中國臺灣DRAM廠采買更多的DDR顆粒以因應(yīng)市場需求。    DRAM廠指出,過去幾個(gè)月以來,戴爾(Dell)、惠普(HP)等個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠,對于推升DDRII成為市場主流的態(tài)度越來越積
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

臺灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動(dòng)近期趨頻繁

  •     近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動(dòng)頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國,以及力晶(5346)原創(chuàng)始元老曾邦助,都相繼轉(zhuǎn)換跑道,為其他DRAM業(yè)者效力,加上華邦電近半年來亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動(dòng)率偏高情況,DRAM業(yè)界多認(rèn)為,盡管人員流動(dòng)不至于影響DRAM廠既有運(yùn)作,但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。    華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示,王其國原任華邦電BG2(Business Group 2)事業(yè)群總經(jīng)
  • 關(guān)鍵字: DRAM  其他IC  制程  

半導(dǎo)體分析師認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌將減緩

  •  根據(jù)彭博資訊(Bloomberg),證券業(yè)者花旗集團(tuán)旗下半導(dǎo)體分析師,宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團(tuán)科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調(diào)高,理由是認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌的狀態(tài)將開始減緩。     據(jù)了解,花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調(diào)高至“買進(jìn)”,Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”,韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出,價(jià)格可能在下個(gè)月或其后一個(gè)約觸底,而全球
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

300mm線建設(shè)今年掀高潮

  • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降,但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求,2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測,當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線,比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線,其回報(bào)在2001年經(jīng)濟(jì)衰退中受到嚴(yán)重打擊,可執(zhí)著堅(jiān)持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場再創(chuàng)新高時(shí)獲得豐厚回報(bào)。 
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

  •   英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學(xué)會(huì) 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會(huì)議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù),此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎(chǔ)。目前全球25%的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報(bào)告中,英飛凌闡述了全部集成計(jì)劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破,顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

2004年12月20日,LG電子選擇瑞薩SH-Mobile用于移動(dòng)電話手機(jī)

  •   2004年12月20日,瑞薩宣布該公司用于2.5G和3G手機(jī)的SH-Mobile*1 應(yīng)用處理器將納入LG電子公司制造的一種新型GSM/EDGE*2 移動(dòng)電話。
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  SH-Mobile  Renesas  

上半年全球DRAM市場增長66% 中國成決定因素

  •   iSuppli最新發(fā)布的報(bào)告指出,今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%,中國市場增長88%,其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經(jīng)濟(jì)情況改善,其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%,遠(yuǎn)不及全球的66%。     在主要供貨商方面,Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長;而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場,Hynix是該地區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)廠商,市場占有率高達(dá)42%,去年同期為40%。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

新衛(wèi)星登空 可??提供電視手機(jī)服務(wù)

  • Mobile Broadcasting公司宣布3月13日成功發(fā)射了一顆廣播電視業(yè)務(wù)衛(wèi)星,同時(shí)表示商用服務(wù)將如期於2004年7月開通。此衛(wèi)星將以廣播服務(wù)主,并提供部分收費(fèi)性內(nèi)容服務(wù),同時(shí)計(jì)劃投專用接收終端
  • 關(guān)鍵字: Mobile  電視手機(jī)  

2003年10月2日,瑞薩成立“SH-Mobile團(tuán)體”

  •   以面向手機(jī)的應(yīng)用處理器“SH-Mobile”為基礎(chǔ),以會(huì)員制建立硬件與手機(jī)末端開發(fā)者的“SH-Mobile團(tuán)體”,并大量招募會(huì)員。
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  SH-Mobile  Renesas  

微軟手機(jī)軟體市場再下一城

  • 根據(jù)路透社報(bào)導(dǎo),微軟公司2月17日宣布,繼法國行動(dòng)電話系統(tǒng)業(yè)者Orange後,隸屬於德國電信的德國行動(dòng)電話系統(tǒng)者T-Mobile將成為第二個(gè)采用該公司手機(jī)軟體的歐洲業(yè)者。T-Mobile是第四家宣布采用微軟Microsoft-TI試驗(yàn)型設(shè)計(jì)的運(yùn)營商,之前三家分別是Orange、美國的AT&T Wireless和菲律賓的Smart
  • 關(guān)鍵字: 微軟  Orange  T-Mobile  GSM  
共1924條 128/129 |‹ « 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 »

mobile dram介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條mobile dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mobile dram的理解,并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473