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南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  • 　　隨著DRAM價格開始反彈，南亞科和華亞科財報虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價可持續(xù)成長，更看好PC市場因為Vista因素，累計整整3年未換機的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當(dāng)時1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元，達到史上最高紀錄。 　　白培霖指出，2009年DRAM合約價從8月開始，每個月以成長20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價可持續(xù)成長近2個月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
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力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術(shù)扎根條件，未來力晶
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臺DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案錯良機？ 要求“經(jīng)濟部”退場聲浪大

  • 　　10月20日是臺“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」送件的最后期限。立法院經(jīng)濟委員會關(guān)切DRAM前途的立委19日幾乎一致要求，在政府國發(fā)基金還未投資之前，“經(jīng)濟部”的DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案應(yīng)趕快煞車，或「下車」、「了斷」。 　　“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」迄今只有聯(lián)電榮譽董事長宣明智主導(dǎo)的臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)，以整合爾必達(Elpida)、茂德的營運計畫書送至“經(jīng)濟部”，外傳整合華邦電失利的南
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明年2Q晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求？ 需求增加然擴產(chǎn)無門

  • 　　晶圓代工產(chǎn)能吃緊?這句話若在6個月前說出，肯定會笑掉人家大牙，不過面對2009年第4季臺系2大晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍近90%，加上設(shè)備供應(yīng)商2008年底、2009年初停掉的生產(chǎn)線無法有效恢復(fù)，而臺積電又包下不少新增機臺訂單后，在全球晶圓代工產(chǎn)能2010年的開出速度及幅度肯定不若預(yù)期下，2010年第2季晶圓代工產(chǎn)能會吃緊，已是有跡可尋。 　　從 2009年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣觸底以來，我們已聽過太多生產(chǎn)線開工不及，產(chǎn)線良率拉高不順，產(chǎn)能開出不若預(yù)期的消息，如TFT面板廠、DRAM廠生產(chǎn)完全停工，臺
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華邦電退出　臺塑集團DRAM整合計劃書難產(chǎn)

  • 　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科的DRAM整合策略再度大轉(zhuǎn)彎，從原本堅持一定要送件，以爭取與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)同等待遇的補助款，19日改口考慮不一定會送件;業(yè)者透露，原本臺塑在計劃書中提議要整合的對象為華邦電，但華邦電卻表示無意參與這次的整合，讓臺塑內(nèi)部相當(dāng)頭痛，于是提出腹案，考慮不提計劃書，而改采訴諸媒體公論方式瓦解TIMC。 　　這次“經(jīng)濟部”提出的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」，目前僅有TIMC提出申請計劃，外界相當(dāng)期待臺塑集團加入申請補助行列，隨著最后申請截
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DRAM報價高檔不墜　爾必達8季以來首次獲利

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(Elpida) 2010會計年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉(zhuǎn)盈，營收960億日圓(約10.66億美元)，營業(yè)利益5億日圓，加上日前1Gb容量 DDR2價格沖上2.5美元價位， DRAM廠營運狀況大幅轉(zhuǎn)好，更開始進入獲利狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，如果DRAM價格2美元以上的水平可以再維持1季，爾必達即不需要獲得日本政府基金的補助款，屆時美光向美國WTO告狀一事，也不會成為困擾。2009年爾必達打算跳過50奈米制程，直接投資40奈米制程生產(chǎn)線，成本大幅降低，可正式與三星電子
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR2  

內(nèi)存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析

  • 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。
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DRAM價格再攻新高點！ 力晶想為瑞晶贖身

  • 　　日系DRAM制造大廠爾必達(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán)，讓瑞晶成為名符其實的日系公司，惟存儲器業(yè)者透露，當(dāng)初力晶因為債務(wù)問題，將瑞晶持股賣給爾必達時，設(shè)下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回，因此近期力晶計劃向爾必達提出買回瑞晶的持股，惟一切問題都卡在錢關(guān)，力晶營運開始有現(xiàn)金流入后，將手上資金大力放在增加產(chǎn)能用途，加上2010年初到期的ECB要償還，力晶是否可在「買回期限」籌到錢為瑞晶贖身，市場相當(dāng)關(guān)切。 　　隨著DDR2價格大漲，力晶營運度過最艱難的時期，每月開始有
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爾必達將提高瑞晶電子持股比率超過7成

  • 　　根據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達 (Elpida Memory)為強化在臺灣的生產(chǎn)體系，除了2009年將提高合資企業(yè)瑞晶電子的持股比率超過7成之外，也正研議是否于臺灣設(shè)立第1個海外研究開發(fā)據(jù)點。爾必達計劃與臺灣DRAM廠合作，重建事業(yè)版圖，并考量加強對瑞晶電子的影響力以獲取日臺合資的主導(dǎo)權(quán)。 　　瑞晶電子是爾必達與臺灣力晶半導(dǎo)體于2007年合資成立，當(dāng)時爾必達出資52%，擁有12寸晶圓廠的制造設(shè)備，每月產(chǎn)能可達7.5萬片，主要生產(chǎn)一般PC所使用的DRAM。
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分析師看好全球生產(chǎn)線的擴張版圖

  • 　　按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報道，SEMI的全球Fab預(yù)測于2010年時全球Fab投資再增加64%，達240億美元。 　　ICInsight的McClean認為，今年第三季度的全球產(chǎn)能利用率可達88%，接近去年金融危機之前的水平。它還認為2007年的產(chǎn)能利用率達90%，一直維持到去年的前三個季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補充庫存而使產(chǎn)能利用率又回復(fù)到78%。     　
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ASML：客戶下單增溫　微顯影設(shè)備2010年成長30%

  • 　　半導(dǎo)體市場回溫，ASML市場智庫總監(jiān)Antonio Mesquida Küsters表示，客戶對設(shè)備下單需求增溫，他引用研究機構(gòu)預(yù)測，2010年半導(dǎo)體微顯影設(shè)備可望成長30%至少達到40億歐元。尤其晶圓代工領(lǐng)域，經(jīng)過18個月的壓低資本支出，現(xiàn)在業(yè)者更積極投資擴充產(chǎn)能，他個人亦樂見臺積電積極擴充產(chǎn)能，滿足客戶投單需求的做法。 　　Küsters表示，2008 年是變動相當(dāng)劇烈的一年，回顧2007年時研究機構(gòu)還對2008年奧運所帶來的商機相當(dāng)樂觀，孰料DRAM價格快速崩落約65%，緊
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爭議不斷的TMC政策是該檢討了

  • 　　在金融海嘯、全球經(jīng)濟不景氣期間，由劉內(nèi)閣所推出的半導(dǎo)體業(yè)整并計劃，最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當(dāng)局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達合作，引起美商美光公司不悅，狀告美國參議員，聲言這是不公平競爭，將要求美國政府貿(mào)易干預(yù)。如果此事成真，則政府投資的經(jīng)費將如泥牛入海，全無投資報酬可言。消息傳出后，不但爾必達在日本股價大跌，我們的半導(dǎo)體整并案也陷入極大的不確定性，使?jié)撛谕顿Y者與政府都忐忑不安，前景堪慮。 　　對于美光公司的指控，“經(jīng)濟部”官員雖然提出答辯，但內(nèi)容顯然不夠完整。工業(yè)局
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宣明智：TIMC營運計畫不變　朝利基型市場挺進

  • 　　TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過美國政府和WTO施壓，引發(fā)外界認為TIMC投資爾必達 (Elpida)的計畫是否會生變?宣明智5日認為，此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達的計畫之間沒有關(guān)連性，不明白外界為何會如此聯(lián)想，同時TIMC營運的概況并不會受到影響。而工業(yè)局在上周也公開力挺表示，TIMC投資爾必達將有助深化雙方合作，對于政府推動DRAM技術(shù)扎根的策略，相當(dāng)有助益，即使未來TIMC投資爾必達，并無違反 WTO公平競爭的原則。 　　由宣明智領(lǐng)軍的TIMC雖然已
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DRAM：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動力

  • 　　歷史發(fā)展 　　自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進了電子技術(shù)的前進，而且對各國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。 　　眾所周知，進入上世紀80年代，隨著大型計算機市場擴大，DRAM需求巨增。由于當(dāng)時DRAM技術(shù)要求較低，其特點是量大面廣，勝負在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國一致的努力下，
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美政府承諾就半導(dǎo)體補貼政策向日本和中國施壓

  • 　　據(jù)國外媒體今日報道，在美國閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達的補貼問題向日本和中國臺灣施加壓力。 　　美國貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會通過世界貿(mào)易組織以及單獨會晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國家，要求日本和中國臺灣就補貼問題提供更多信息。愛達荷州是美光科技的總部所在地。 　　基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個問題對你和對美國DRAM芯片制造商
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