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PI 推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC

  • 　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對X電容自動進行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項安全標準。 　　X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時間貯存高壓電能，因此會構(gòu)成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會在AC接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機輸入功耗的重要因素。 　　CAPZero與放電電容串聯(lián)
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IR 推出新型25V DirectFET 芯片組

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。 　　IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
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安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

  • 　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉(zhuǎn)換器應用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
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IR 推出具有低導通電阻的汽車用 MOSFET 系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導通電阻的各種應用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池開關(guān)，以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應用。 　　新器件采用了 IR 經(jīng)過驗證的 Gen 10.2 技術(shù)，可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
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MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及利用

  • 　下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ，特征，驅(qū)動以及運用 電路。　
    　　在運用 MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會思慮 M
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現(xiàn)更高的效率，同時避免出現(xiàn)導致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復故障。 　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電
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GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應用將取得進展。 　　目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評定這些參數(shù)對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
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飛兆半導體液晶電視解決方案簡化設(shè)計并減少元件數(shù)目

  • 　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現(xiàn)今使用的傳統(tǒng)解決方案，可為設(shè)計人員提供顯著優(yōu)勢，最近的創(chuàng)新技術(shù)能夠減少元件數(shù)目，簡化設(shè)計，并進一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。 　　通過技術(shù)進步，飛兆半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進一步優(yōu)化設(shè)計，具有35ns~65ns的同類最佳反向恢復時間(trr)和業(yè)界最小的反向恢復電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設(shè)計使用MOSFET和半橋電路中的兩個快速恢
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氮化鎵電源管理芯片市場將快速增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領(lǐng)域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。 　　GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術(shù)，最近已從大學實驗階段進入商業(yè)化階段。該技術(shù)對于供應商來說是一個有吸引力的市場機會，它可以向它們的客戶提供目前半導體工藝材料可能無法企及的性能。 　　iSuppli公司認為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領(lǐng)域中大有前途的新星。 　　首先，硅在
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Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關(guān)鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。 　　2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是： 597D和T97多模鉭電容：對于+28V應
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Intersil推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 ISL8088

  • 　　全球高性能模擬半導體設(shè)計和制造領(lǐng)導廠商Intersil公司今天宣布，推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 --- ISL8088。該器件采用超小封裝，具有非常高的功率轉(zhuǎn)換效率和低靜態(tài)電流。 　　ISL8088是每通道800mA的雙通道降壓穩(wěn)壓器，內(nèi)部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的輸入電壓和35mA的靜態(tài)電流，使ISL8088成為電池供電和其他“綠色電源”應用的理想之選。ISL8088可以選擇工作在強制的PWM模式和自動的PWM/PFM模式，以延長電池壽命。 　　
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Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩(wěn)壓器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，具有先進的控制器IC和柵極驅(qū)動器、兩個針對PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動開關(guān)，采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。 　　microBUCK系列的產(chǎn)品綜合了Vishay獨特的分立MOSFET設(shè)計、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
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半橋拓撲結(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動方案選擇：變壓器還是硅芯片？

  • 　　在節(jié)能環(huán)保意識的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識。與反激、正激、雙開關(guān)反激、雙開關(guān)正激和全橋等硬開關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關(guān)技術(shù)能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應用中，軟開關(guān)技術(shù)越來越受設(shè)計人員青睞。 　　另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅(qū)動器，即高端(High-Side)驅(qū)動器和低端(Low-Side)驅(qū)動器。高端表示M
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RS推出1200種三洋半導體產(chǎn)品

  • 　　國際著名電子、電機和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產(chǎn)品。 　　此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導體獨自技術(shù)達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。 通過驅(qū)使獨自的核心技術(shù), 三洋在多
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