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TI推出可在25A電流下實現(xiàn)超過90%高效率的同步MOSFET半橋

作者: 時間:2010-06-18 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  德州儀器 () 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 半橋,其占位面積僅為同類競爭功率 器件的 50%。 全新 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 功率 進行完美整合,可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/110110.htm

   功率模塊除提高效率與功率密度外,還能夠以高達 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生成高達 40 A 的電流,可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間,改善整體電路性能。此外, 功率模塊還能夠以低成本方式實現(xiàn)與 GaN 等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>

  功率模塊的主要特性與優(yōu)勢:

  · 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式 MOSFET 器件的 50%;

  · 可在 25 A 的工作電流下實現(xiàn)超過 90% 的電源效率,與同類競爭器件相比,效率高 2%,功率損耗低 20 %;

  · 與同類解決方案相比,無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍;

  · 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。

  供貨與價格情況

  采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現(xiàn)已開始批量供貨,可通過 及其授權(quán)分銷商進行訂購。此外,樣片與評估板也已同步開始提供。

  查閱有關(guān) TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)的更多詳情:

  · 如欲了解完整的 NexFET 產(chǎn)品系列,敬請訪問:http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn;

  · 通過 TI E2E™ 社區(qū)的 NexFET 論壇向同行工程師咨詢問題,并幫助解決技術(shù)難題:www.ti.com/nexfetforum-pr;

  · 搜索最新 MOSFET 圖形參數(shù)選擇工具:www.ti.com/mosfet-gps-pr;

  · 查看針對 NexFET 技術(shù)專門優(yōu)化的 DC-DC 控制器:TPS40303、TPS40304、TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。

  商標(biāo)

  NexFET 與 TI E2E 是德州儀器的商標(biāo)。所有商標(biāo)與注冊商標(biāo)均是其各自所有者的財產(chǎn)。



關(guān)鍵詞: TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D

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