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賽靈思借20nm/3D IC技術(shù)搶攻Smarter Systems商機

  • 賽靈思(Xilinx)將以20納米(nm)、3D IC制程做為核心戰(zhàn)力,加快FPGA取代ASIC、ASSP的腳步。ASIC及ASSP導(dǎo)入先進制程后,設(shè)計成本將高得嚇人,使得系統(tǒng)廠轉(zhuǎn)搭可編程邏輯元件(PLD)的意愿已愈來愈高,因此賽靈思已加快20納
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關(guān)報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。G
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關(guān)報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。G
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三菱化學(xué)計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能

  •   因照明用LED需求大增,三菱化學(xué)計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍。   目前,三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板,生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸,月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。   而為了要達到穩(wěn)定獲利的水平,有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸,所以,三菱化學(xué)計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程,開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板,月產(chǎn)能為200-300片,并計劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施,開始生產(chǎn)6寸GaN基板,將GaN基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍
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GaN類功率元件,高耐壓成功率半導(dǎo)體主角

3D Systems在CES推出面向家用3D打印機

  •   傳統(tǒng)的3D打印技術(shù),都是應(yīng)用于工業(yè)。但是近兩年來不斷升溫的家庭、個人用3D打印,也吸引了3D打印巨頭3D Systems(股票代碼NYSE:DDD)的注意,在本屆CES2013上,3D Systems展出了隸屬于旗下Cubify系列、名為方塊(Cube)的家用3D打印機。   與常見的3D打印機不同,Cube的打印類型多樣,除了傳統(tǒng)的ABS材料(工程塑料),Cube還能夠打印PLA材質(zhì)(聚乳酸,另一種塑料,比ABS環(huán)保)。   除了打印介質(zhì)的不同之外,3D Systems的Cube個人3D打印機的
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

  •   上海,2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
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功放為智能手機提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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“主流GaN”的發(fā)展和未來

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
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技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

  • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源...
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硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響,一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率,制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
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ViXS Systems與高通創(chuàng)銳訊開發(fā)下一代家庭網(wǎng)絡(luò)媒體網(wǎng)關(guān)

  • ViXS Systems今日宣布,其正在與高通創(chuàng)銳訊合作開發(fā)n-Screen家庭多媒體網(wǎng)關(guān)平臺,這一平臺可以在廣泛使用的任何家庭網(wǎng)絡(luò),包括Wi-Fi、Multimedia over Coax Alliance (同軸電纜多媒體聯(lián)盟MoCA)、HomePlug電力線和以太網(wǎng)上,將多條高清數(shù)據(jù)流無縫傳送到移動和固定屏幕設(shè)備中。
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Touch Panel Systems擴充產(chǎn)品群

  •   日本Touch Panel Systems投產(chǎn)了5款帶觸摸面板的15~21.5英寸液晶顯示器新產(chǎn)品,以及帶觸摸面板的55英寸數(shù)字標(biāo)牌用大尺寸液晶顯示器。   Touch Panel Systems對5款帶觸摸面板的15~21.5英寸液晶顯示器新產(chǎn)品的定位是,通過提供多種畫面尺寸和觸摸面板方式選項,廣泛滿足使用POS系統(tǒng)及Kiosk終端的店鋪及流通領(lǐng)域和待客服務(wù)領(lǐng)域的需求。此次投產(chǎn)了畫面尺寸為15英寸的“1515L”、17英寸的“1715L”、15.6英
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