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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan systems

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當(dāng)今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

  • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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Renesas RX 系列產(chǎn)品從開發(fā)軟件兼容性中獲益

  • 　　IAR Systems今日宣布在為Renesas RX定制的IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中支持應(yīng)用程序二進(jìn)制(ABI)接口，從而能夠兼容于其他Renesas RX工具鏈的輸出。當(dāng)編譯器對于軟件重用放低門檻后，基于組件的應(yīng)用程序開發(fā)將變得更為簡單，并大大節(jié)約了開發(fā)時間和工程成本。 　　任何與Renesas RX ABI 相兼容的工具鏈所編譯的軟件都可以被鏈接到IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中。比如，原先在Renesas的專用工具上開發(fā)完成的硬件驅(qū)動
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
  • 關(guān)鍵字： GaN  MOSFET  

ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計

  • 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問題與日俱增，清潔的可再生能源市場應(yīng)運(yùn)而生。作為一種彌補(bǔ)石油、...
  • 關(guān)鍵字： ADI  風(fēng)輪機(jī)  Northern  Power  Systems  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關(guān)鍵字： MMIC  SiC  GaN  襯底    

Samplify Systems推出首款16通道、12位、65Msps的ADC

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
  • 關(guān)鍵字： IR  功率器件  GaN  終端  
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