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品佳推出NXP市電供電LED調(diào)光及非調(diào)光驅(qū)動(dòng)方案

　　?2014年3月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先電子元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出恩智浦半導(dǎo)體(NXP?Semiconductors)基于GreenChip?技術(shù)的緊湊型調(diào)光解決方案SSL210X、SSL21082A/84A、SSL2129A系列和非調(diào)光SSL21081/83、SSL2109A系列，以及兩款特別針對(duì)于大功率可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)的SSL4101和SSL4120方案。該系列大功率可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)方案可滿足100V、120V和230V市場(chǎng)低成本高效應(yīng)用的設(shè)計(jì)
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外媒歧視國(guó)產(chǎn)芯片？中國(guó)IC業(yè)的4匹“黑馬”

　　據(jù)外媒報(bào)道，受國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求及國(guó)外經(jīng)濟(jì)低迷影響，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將面臨艱難一年。　　據(jù)TheInformationNetwork發(fā)布的一份報(bào)告稱，指標(biāo)最早于2013年2月下降。該公司董事長(zhǎng)羅伯特·卡斯特利亞諾(RobertCastellano)指出盡管去年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)量攀升18%，消費(fèi)增長(zhǎng)僅為15%。　　“由于中國(guó)經(jīng)濟(jì)疲軟，2014年半導(dǎo)體產(chǎn)量將下降到同比增長(zhǎng)率不足10%，但仍較全球6%的增長(zhǎng)率出色?！? 　　預(yù)計(jì)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷量也將下滑，造成影
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中國(guó)芯崛起：IC業(yè)殺出黑馬半導(dǎo)體迎二春

　　近幾年的發(fā)展中，中國(guó)集成電路的發(fā)展取得了不俗的成績(jī)。我國(guó)集成電路制造業(yè)技術(shù)水平不斷提升和產(chǎn)能穩(wěn)定增長(zhǎng)，為我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的快速發(fā)展提供了技術(shù)基礎(chǔ)和保障，對(duì)完善產(chǎn)業(yè)鏈、提高國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平發(fā)揮了積極作用。但是技術(shù)滯后、核心技術(shù)受制國(guó)外的現(xiàn)象依然嚴(yán)峻。　　一、國(guó)內(nèi)企業(yè)的創(chuàng)“芯”之路在何方? 　　中國(guó)的芯片市場(chǎng)或許又將掀起新一輪競(jìng)爭(zhēng)熱潮。隨著4G時(shí)代的到來，我國(guó)主導(dǎo)的LTE標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成為第四代移動(dòng)通信國(guó)際主流標(biāo)準(zhǔn)之一。日前，在巴塞羅那舉行的2014世界移動(dòng)通信大會(huì)(下
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TI推出首款支持上下轉(zhuǎn)換的全面集成型邏輯門器件

　　日前，德州儀器(TI)?宣布推出業(yè)界首款全面集成邏輯門及上下轉(zhuǎn)換功能的邏輯器件，其采用單電源供電，與分立式解決方案相比可將板級(jí)空間銳減50%?以上。此外，該SN74LV1T?系列還提供從1.8V至5V的最寬泛工作電壓，可充分滿足平板電腦、智能手機(jī)、PC以及服務(wù)器等各種應(yīng)用的高靈活計(jì)算功能性需求。由于?SN74LV1T?系列支持?5V?電壓容限以及高達(dá)?125?攝氏度的溫度，因此它可在工業(yè)與電信應(yīng)用中作為邏輯門、轉(zhuǎn)
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大陸IC崛起/臺(tái)積電受威脅/IC扶持有變

臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由蔣經(jīng)國(guó)時(shí)代的政策推動(dòng)開始，早已進(jìn)入健康的市場(chǎng)化運(yùn)作。對(duì)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展和遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過臺(tái)灣的政策推動(dòng)力，臺(tái)灣不應(yīng)把這一局面看做是徹底的競(jìng)爭(zhēng)壓力，而應(yīng)當(dāng)“兩岸聯(lián)手，賺世界的錢”。
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中芯長(zhǎng)電合資一小步 IC業(yè)一大步?

中芯國(guó)際與長(zhǎng)電科技的合作，是中國(guó)集成電路整合產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的一個(gè)大事件。在晶圓代工對(duì)資金和技術(shù)的要求越來越高的環(huán)境下，唯有整合才可以提升中國(guó)代工公司的競(jìng)爭(zhēng)力。
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中芯長(zhǎng)電合資一小步 IC業(yè)一大步?

　　“勢(shì)者，因利而制權(quán)者”。這次“勢(shì)者”的主角成為中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國(guó)際與國(guó)內(nèi)最大的封裝企業(yè)江蘇長(zhǎng)電科技，雙方共同投資建立國(guó)內(nèi)首條完整的12英寸5萬片的凸塊加工(Bumping)合資公司。中芯國(guó)際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事CEO邱慈云透露，該項(xiàng)目投資總額預(yù)計(jì)1.5億美元，初期投資為5000萬美元，中芯國(guó)際、長(zhǎng)電科技投資占比為51∶49。這看是兩者合作的一小步，卻是中國(guó)IC業(yè)的一大步。清華大學(xué)微電子所所長(zhǎng)魏少軍直言，凸塊加工過去放在后道加工，
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2014半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)：西部IC業(yè)嶄露頭角

　　2013年，IC產(chǎn)業(yè)在核心技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、破解資金和整合難題等方面取得進(jìn)展：國(guó)產(chǎn)高性能CPU成功應(yīng)用于“天河二號(hào)”等超級(jí)計(jì)算機(jī)，基于C-Core的國(guó)產(chǎn)SoC芯片銷售超過1億顆;中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)持續(xù)贏利、紫光收購(gòu)展訊通信、銳迪科，產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生巨變;《集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》即將出臺(tái)，產(chǎn)業(yè)投資基金的設(shè)立將緩解融資難問題…… 　　基于2013年的發(fā)展，專家預(yù)測(cè)2014年我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)或有更好表現(xiàn)。據(jù)iSuppli預(yù)測(cè)，在消費(fèi)需求的拉動(dòng)下，消費(fèi)電子市場(chǎng)
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晶圓代工與總體IC產(chǎn)值成長(zhǎng)情形

　　晶圓代工產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)持續(xù)亮眼。研究機(jī)構(gòu)ICInsights指出，2013年全球晶圓代工市場(chǎng)產(chǎn)值為362億美元，較2012年的311億美元躍升16%;預(yù)估2014年可望再攀升至412億美元，年增率達(dá)14%，優(yōu)于總體IC產(chǎn)值年增率7%的表現(xiàn)。　　晶圓代工與總體IC產(chǎn)值成長(zhǎng)情形
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導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開關(guān)

為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
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高速激光驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與測(cè)試

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早

GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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2014年IC行情先知道：半導(dǎo)體大廠走勢(shì)窺探

觀察動(dòng)作看趨勢(shì)，這是任何一個(gè)行業(yè)在布局未來發(fā)展時(shí)所需要做的，半導(dǎo)體行業(yè)承載著電子產(chǎn)品的發(fā)展夢(mèng)想，看看那些半導(dǎo)體大公司在2013年都做了什么，接下來要做什么，也可窺見未來產(chǎn)品的走勢(shì)和趨向。
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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
關(guān)鍵字： SiC GaN

元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體