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QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強(qiáng)其5G領(lǐng)先優(yōu)勢

　　移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天應(yīng)用RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴(kuò)大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。在基站設(shè)備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本。　　據(jù) SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運(yùn)營商能夠滿足 5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
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首屆全球IC企業(yè)家大會暨IC China2018在滬開幕

12月11日，由工業(yè)和信息化部、上海市人民政府指導(dǎo)，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，北京賽迪會展有限公司、中國電子報社、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會承辦的“首屆全球IC企業(yè)家大會暨第十六屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(IC China2018)”在上海開幕。工業(yè)和信息化部副部長羅文，上海市人民政府副市長吳清，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長、中芯國際集成電路制造有限公司董事長周子學(xué)，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會輪值主席、Marvell公司總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)att Murphy出席開幕式并致辭。
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德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由

在多倫多一個飄雪的寒冷日子里?！　∥覀儙讉€人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實(shí)驗室中，進(jìn)行一場頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當(dāng)然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中，我們盤點(diǎn)了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設(shè)備?！　≡谀莻€雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓?fù)?，以尋求獲得更高的效率和密度，當(dāng)然也要找到改進(jìn)健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
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尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來革新

　　從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減?！　」桦娫醇夹g(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò)，以及未來的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個至關(guān)重要的因素?！　　肮こ處煬F(xiàn)在處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
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當(dāng)今的射頻半導(dǎo)體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？

　　當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場，如今這種局面已被全新的市場格局所取代 - 有多個新興市場出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動著市場格局不斷變化?　　哪些因素在推動變革?　　半導(dǎo)體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個要求驅(qū)動：對無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個位置，無論在家中還是在工作場所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場不再僅僅滿足蜂窩手
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分享一下代換IC技巧，讓PCB電路設(shè)計更完美

　　在PCB電路設(shè)計中會遇到需要代換IC的時候，下面就來分享一下代換IC時的技巧，幫助設(shè)計師在PCB電路設(shè)計時能更完美。　　一、直接代換　　直接代換是指用其他IC不經(jīng)任何改動而直接取代原來的IC，代換后不影響機(jī)器的主要性能與指標(biāo)?！　∑浯鷵Q原則是：代換IC的功能、性能指標(biāo)、封裝形式、引腳用途、引腳序號和間隔等幾方面均相同。其中IC的功能相同不僅指功能相同，還應(yīng)注意邏輯極性相同，即輸出輸入電平極性、電壓、電流幅度必須相同。性能指標(biāo)是指IC的主要電參數(shù)(或主要特性曲線)、最大耗散功率、最高工作電壓、頻率范圍及
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芯片人才短缺是“假象”！待遇低等導(dǎo)致的人才流失是根源

我國IC行業(yè)要想真正強(qiáng)大起來，需要十年甚至二十年的努力。為此，需要從長遠(yuǎn)角度考慮，如何讓IC人才能夠靜下心來真正有所作為。
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如何通過電源去耦來保持電源進(jìn)入集成電路（IC）的各點(diǎn)的低阻抗？

　　如何通過電源去耦來保持電源進(jìn)入集成電路(IC)的各點(diǎn)的低阻抗?　　諸如放大器和轉(zhuǎn)換器等模擬集成電路具有至少兩個或兩個以上電源引腳。對于單電源器件，其中一個引腳通常連接到地。如ADC和DAC等混合信號器件可以具有模擬和數(shù)字電源電壓以及I/O電壓。像FPGA這樣的數(shù)字IC還可以具有多個電源電壓，例如內(nèi)核電壓、存儲器電壓和I/O電壓。　　不管電源引腳的數(shù)量如何，IC數(shù)據(jù)手冊都詳細(xì)說明了每路電源的允許范圍，包括推薦工作范圍和最大絕對值，而且為了保持正常工作和防止損壞，必須遵守這些限制?！　∪欢捎谠肼暬螂娫?/li>
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德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

　　德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計?！　〉轮輧x器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡化設(shè)計，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨(dú)立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
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SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計工程師不再迷茫

SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn)，正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點(diǎn)，而這在幾年前是不可想象的?！　≡诂F(xiàn)實(shí)世界中，沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快速開關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢?！　”热缫幻O(shè)計工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如逆變器或馬達(dá)驅(qū)動控制器，或者正在設(shè)
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蘋果、高通等巨頭專利戰(zhàn)不休國內(nèi)IC企業(yè)如何構(gòu)筑強(qiáng)大IP能力

隨著上一波互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)帶來的改造已近尾期，市場又回到了新一波“技術(shù)開荒期”，等待著AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新一代技術(shù)去推動下一波浪潮。在資本的影響下，這些領(lǐng)域的專利和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)生了牽制技術(shù)和產(chǎn)業(yè)格局的力量，進(jìn)而深刻影響全球的經(jīng)濟(jì)甚至政治格局。
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雙創(chuàng)賦能高新聚能 / 科技創(chuàng)造未來，“芯”智造引領(lǐng)明天

—2018西安國際硬科技“芯”產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)峰會圓滿落幕2018年10月11日，在全國雙創(chuàng)周期間，由西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會主辦、西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)園發(fā)展中心、西安芯禾匯網(wǎng)絡(luò)科技有限公司承辦的“2018西安國際硬科技‘芯’產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)峰會”在西安志誠麗柏酒店順利召開，300多位來賓蒞臨會場。峰會以“芯智造創(chuàng)未來”為主題，以“‘芯’智造產(chǎn)業(yè)化”為核心，結(jié)合當(dāng)今硬科技領(lǐng)域的熱點(diǎn)問題展開討論，涉及到硬科技“芯”產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展和“芯”智造在各產(chǎn)業(yè)方向的應(yīng)用。本次活動得到了陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、陜西省
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納微將在國際電力電子大會上發(fā)布GaNFast成果

納微(Navitas)半導(dǎo)體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術(shù)及應(yīng)用會議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會上，納微將發(fā)布并展示GaNFast功率IC的重大發(fā)展成果，這些進(jìn)展推動業(yè)界實(shí)現(xiàn)的新一代電源系統(tǒng)，將會打造能效、功率密度和快速充電的全新基準(zhǔn)。這些技術(shù)發(fā)展成果從27W到300W，包括用于智能手機(jī)、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應(yīng)用。納微將展示客戶
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杭州IC重磅! 2018“青山湖杯”微納智造創(chuàng)新挑戰(zhàn)賽報名開始

　　眾所周知，大到關(guān)乎國防安全的軍事裝備、雷達(dá)衛(wèi)星，中到作為基礎(chǔ)設(shè)施的互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心，小到生活中常用的汽車、手機(jī)，都離不開以集成電路(IC)為核心的微納器件，而工業(yè)企業(yè)向高附加值邁進(jìn)，也離不開智能制造系統(tǒng)的助推和智能終端市場的拉動?！　∥骱晕鞫喙?，浙江杭州青山湖科技城作為浙江省委省政府著力打造的科研機(jī)構(gòu)集聚區(qū)與創(chuàng)新基地，以科技創(chuàng)新、技術(shù)產(chǎn)業(yè)化為目標(biāo)，致力打造國際化的創(chuàng)新平臺和產(chǎn)業(yè)化基地。青山湖微納智造小鎮(zhèn)，與浙江大學(xué)、之江實(shí)驗室、阿里達(dá)摩院相鄰，是浙江打造智能傳感器創(chuàng)新中心、省級集成電路產(chǎn)業(yè)基地
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意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務(wù)器?！　”竞献黜椖康闹攸c(diǎn)是開發(fā)和檢測在200mm晶片上制造的先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu)。研究公司IHS認(rèn)為，該市場將在2019年至2024[1]年有超過2
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