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氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？

  • 　　氮化鎵充電器頻繁的出現(xiàn)在我們的視線(xiàn)中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來(lái)看看?！　〉壥堑玩壍幕衔铮且环N直接能隙的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的
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PI打出芯片組合拳 解決家電快充應(yīng)用

  • 　　2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開(kāi)關(guān)的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC。　　據(jù)了解，HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個(gè)隔離器件和一個(gè)獨(dú)立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內(nèi)部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅(qū)動(dòng)器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨(dú)立半橋功率器件則采用Power Integrations獨(dú)特的600V FREDFET，具有無(wú)損耗的電流檢測(cè)，同時(shí)集成有上
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類(lèi)型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
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ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對(duì)這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
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半導(dǎo)體一周要聞3.7-3.11

  • 1. 提前預(yù)定五年產(chǎn)能，全球半導(dǎo)體硅片進(jìn)入黃金期！根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達(dá)到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長(zhǎng)了13%，達(dá)到126.2億美元。 目前，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯等客戶(hù)，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預(yù)計(jì)交易金額分別為1.55億元、8000萬(wàn)元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國(guó)集成電路銷(xiāo)售額首
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ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

  • 電源與能源管理對(duì)人類(lèi)社會(huì)未來(lái)的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長(zhǎng)，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對(duì)此非常重要，但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對(duì)此也有制定一些具體的目標(biāo)。 意法半導(dǎo)體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
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安森美剝離晶圓制造廠(chǎng)達(dá)成最終協(xié)議改善成本結(jié)構(gòu)

  • 安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標(biāo)是透過(guò)擴(kuò)大毛利率實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國(guó)緬因州南波特蘭的工廠(chǎng)。隨著將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到其全球制造網(wǎng)絡(luò)內(nèi)更高效的晶圓廠(chǎng)，安森美將透過(guò)消除與已出售晶圓廠(chǎng)相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來(lái)改善成本結(jié)構(gòu)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的制造網(wǎng)路，同時(shí)為我們的客戶(hù)提供長(zhǎng)期的供應(yīng)保證。這些交易為受影響工廠(chǎng)的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機(jī)
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基于GaN的高功率密度快充正快速成長(zhǎng)

  • 1? ?看好哪類(lèi)GaN功率器件的市場(chǎng)？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場(chǎng)的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長(zhǎng)。這說(shuō)明影響新材料市場(chǎng)發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當(dāng)中的1 個(gè)。我個(gè)人看好的未來(lái)5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應(yīng)用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、音響、無(wú)線(xiàn)充電、激光雷達(dá)等，其中快充會(huì)繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開(kāi)關(guān)器件的市場(chǎng)成長(zhǎng)。相對(duì)于硅
  • 關(guān)鍵字： 202201  GaN  英飛凌  

ST已經(jīng)做好部署，準(zhǔn)備挖掘GaN的全部潛力

  • GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但長(zhǎng)期以來(lái)，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場(chǎng)前景將如何？GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破？為此，本媒體邀請(qǐng)了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動(dòng)向。
  • 關(guān)鍵字： 202201  GaN  

GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開(kāi)啟智能集成時(shí)代

  • GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長(zhǎng)期以來(lái)，在功率電源領(lǐng)域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門(mén)的SiC（碳化硅）應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場(chǎng)前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費(fèi)類(lèi)GaN（氮化鎵）功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專(zhuān)利的GaNSense?技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，電子產(chǎn)品世界的記者采訪(fǎng)了銷(xiāo)售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘釗、高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級(jí)研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右：納微半導(dǎo)體級(jí)的高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷(xiāo)售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘
  • 關(guān)鍵字： GaN  集成  202201  

蘋(píng)果證實(shí)：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

  • 　　10月19日消息，據(jù)The Verge報(bào)道，蘋(píng)果公司向其證實(shí)，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋(píng)果首款GaN充電器?！　∨c傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時(shí)支持大功率?！　〈送?，蘋(píng)果公司還確認(rèn)，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn)，這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電。　　新的140W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線(xiàn)現(xiàn)已在蘋(píng)果中國(guó)官網(wǎng)上架?！　∑渲校?40W USB-C電源適配器的價(jià)格為729元，USB-C轉(zhuǎn)MagSa
  • 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果  電源適配器  GaN  充電器  

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

  • 　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能，同時(shí)還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計(jì)?！　⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

  • TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本
  • 關(guān)鍵字： GAN  TI  電源供應(yīng)器  

集邦咨詢(xún)：新能源車(chē)需求助攻GaN功率元件

  • TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2021年隨著各國(guó)于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車(chē)等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長(zhǎng)幅度最高，預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬(wàn)美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車(chē)20
  • 關(guān)鍵字： 新能源車(chē)  GaN  功率元件  
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