首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> euv

ASML：EUV光刻機(jī)已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？

  • ASML首席財(cái)務(wù)官達(dá)森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制，且光刻機(jī)已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線前景不明。積極尋求突破的中國(guó)廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。 據(jù)《芯智訊》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電已經(jīng)訂購(gòu)了High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機(jī)，ASML與臺(tái)積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計(jì)在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。ASML預(yù)測(cè)其設(shè)備的市場(chǎng)需求有望一路走強(qiáng)至2026年，這主要是受益于各國(guó)
  • 關(guān)鍵字： ASML  EUV  光刻機(jī)  

臺(tái)積電今年將拿到最新款光刻機(jī)

  • 6月6日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱，ASML將在今年向臺(tái)積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機(jī)，單臺(tái)造價(jià)達(dá)3.8億美元。報(bào)道中提到，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會(huì)議上告訴分析師，公司兩大客戶臺(tái)積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經(jīng)訂購(gòu)了最新的高NA EUV設(shè)備，第一臺(tái)設(shè)備已于12月底運(yùn)往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺(tái)積電何時(shí)會(huì)收到設(shè)備。據(jù)悉，這些機(jī)器每臺(tái)造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當(dāng)于兩架空中客車A
  • 關(guān)鍵字： ASML  光刻機(jī)  高NA EUV  

EUV光刻機(jī)“忙瘋了”

  • 據(jù)市場(chǎng)消息，目前，ASML High NA EUV光刻機(jī)僅有兩臺(tái)，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無(wú)法滿足市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月3日，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費(fèi)爾德霍芬（Veldhoven）開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運(yùn)營(yíng)。推動(dòng)摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)據(jù)業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是
  • 關(guān)鍵字： EUV  光刻機(jī)  EDA設(shè)計(jì)  

ASML和IMEC啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室

  • 自ASML官網(wǎng)獲悉，6月3日，比利時(shí)微電子研究中心（imec）與阿斯麥（ASML）宣布在荷蘭費(fèi)爾德霍芬（Veldhoven）開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同運(yùn)營(yíng)。聲明中稱，經(jīng)過多年的構(gòu)建和集成，該實(shí)驗(yàn)室已準(zhǔn)備好為領(lǐng)先的邏輯和存儲(chǔ)芯片制造商以及先進(jìn)材料和設(shè)備供應(yīng)商提供第一臺(tái)原型高數(shù)值孔徑EUV掃描儀（TWINSCAN EXE：5000）以及周圍的處理和計(jì)量工具。據(jù)悉，該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的開放是High-NA EUV大批量生
  • 關(guān)鍵字： 阿斯麥  ASML  EUV  

臺(tái)積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機(jī)競(jìng)賽提前打響？

  • 5月26日，臺(tái)積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺(tái)北站”的活動(dòng)，臺(tái)積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國(guó)迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來(lái)
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  ASML  High-NA  EUV  光刻機(jī)  

美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

  • 據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營(yíng)運(yùn)。報(bào)道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日?qǐng)A補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  日本  EUV  

High-NA EUV光刻機(jī)或?qū)⒊蔀橛⑻貭柕霓D(zhuǎn)機(jī)

  • 上個(gè)月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)組裝工作。隨后開始在Fab D1X進(jìn)行校準(zhǔn)步驟，為未來(lái)工藝路線圖的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。
  • 關(guān)鍵字： High-NA  EUV  光刻機(jī)  英特爾  芯片  半導(dǎo)體  

臺(tái)積電美國(guó)設(shè)廠貴又慢？工程師揭關(guān)鍵：EUV機(jī)臺(tái)組裝超乎想象

  • 臺(tái)積電熊本廠已在2月底開幕，美國(guó)亞利桑那州新廠卻從2024年遞延至2025年量產(chǎn)，美國(guó)一名結(jié)構(gòu)工程師撰文指出，在美國(guó)蓋晶圓廠的速度比世界其他地方慢，建造成本也比世界其他地區(qū)高出30%到4倍。而蓋晶圓廠比想象中復(fù)雜，以ASML的一臺(tái)先進(jìn)EUV曝光機(jī)為例，可能裝在40個(gè)貨柜中，需要漫長(zhǎng)而仔細(xì)的組裝過程。美國(guó)進(jìn)步中心（Institute of Progress）學(xué)者、結(jié)構(gòu)工程師波特（Brian Potter）以如何建造一座價(jià)值200億美元的半導(dǎo)體廠為題撰文指出，隨著摩爾定律的發(fā)展，芯片已變得越來(lái)越小、越來(lái)越便宜
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  美國(guó)設(shè)廠  EUV  機(jī)臺(tái)  

財(cái)經(jīng)專家揭秘臺(tái)積電「抗震神器」：1鈴聲預(yù)告出大事

  • 花蓮?fù)夂?日上午發(fā)生規(guī)模7.2大地震，臺(tái)積電昨晚間發(fā)聲明，震后10小時(shí)內(nèi)，晶圓廠設(shè)備的復(fù)原率已超過70％，雖少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，但主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無(wú)受損。對(duì)此，財(cái)經(jīng)專家黃世聰表示，臺(tái)積電晶圓廠的機(jī)臺(tái)，使用的是美國(guó)航天等級(jí)、連美軍都在用的阻尼器，且下方還有抗震減壓的機(jī)臺(tái)，把地震影響降到最小，且臺(tái)積電工程師訓(xùn)練有素，只要發(fā)生地震、聽到公司手機(jī)響起臺(tái)積電之歌的鈴聲，就知道出大事、要趕回公司。臺(tái)積電產(chǎn)能牽動(dòng)全球科技業(yè)，強(qiáng)震后外界關(guān)注影響。臺(tái)積電昨晚發(fā)布聲明，在3日地震發(fā)生后僅
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  抗震神器  EUV  強(qiáng)震  

臺(tái)積電曝EUV主要機(jī)臺(tái)沒受損 美媒示警：強(qiáng)震后面臨考驗(yàn)

  • 昨日花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震，外媒高度關(guān)注是否對(duì)中國(guó)臺(tái)灣護(hù)國(guó)神山臺(tái)積電造成影響，臺(tái)積電表示，部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損，但所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備等主要機(jī)臺(tái)皆無(wú)受損。《華爾街日?qǐng)?bào)》撰文指出，臺(tái)積電坐落在世界上最大地震熱點(diǎn)之一的中國(guó)臺(tái)灣，在昨日強(qiáng)震后將受到考驗(yàn)。報(bào)導(dǎo)指出，在此次地震中臺(tái)積電是幸運(yùn)的，因?yàn)槠渲饕O(shè)施地點(diǎn)位在北、中、南部，與東部的震央距離相對(duì)較遠(yuǎn)，這次臺(tái)積電新竹、龍?zhí)逗椭衲系瓤茖W(xué)園區(qū)的最大震度為5級(jí) ，臺(tái)中和臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的最大震度4級(jí)。雖然臺(tái)積電工廠建筑物完好無(wú)損，但用于制造半導(dǎo)體的設(shè)備和材料非常
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  EUV  強(qiáng)震  

中國(guó)臺(tái)灣地震影響全球半導(dǎo)體業(yè) 一文看懂如何撼動(dòng)芯片供應(yīng)鏈

  • 3日早上7點(diǎn)58分左右，中國(guó)臺(tái)灣花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震，擾亂臺(tái)積電在內(nèi)的公司營(yíng)運(yùn)，臺(tái)積電對(duì)此表示，雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，但主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無(wú)受損。許多外媒則示警，這凸顯了臺(tái)積電和全球芯片供應(yīng)鏈處在地震的風(fēng)險(xiǎn)與威脅之中。 根據(jù)《商業(yè)內(nèi)幕》報(bào)導(dǎo)，這場(chǎng)7.2強(qiáng)震凸顯了全球芯片供應(yīng)鏈和臺(tái)積電的脆弱性，臺(tái)積電是世界上最大的芯片制造商，全球大約90%的最先進(jìn)處理器芯片都是臺(tái)積電生產(chǎn)，而且中國(guó)臺(tái)灣也是小型芯片生產(chǎn)商的所在地。報(bào)導(dǎo)示警，如果大地震能夠擾亂臺(tái)積電，那么更具破
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  芯片供應(yīng)鏈  臺(tái)積電  EUV  

High-NA EUV光刻機(jī)入場(chǎng)，究竟有多強(qiáng)？

  • 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來(lái)的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長(zhǎng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺(tái)，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
  • 關(guān)鍵字： High-NA EUV  

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)

  • 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
  • 關(guān)鍵字： ASM  NXE:3800E EUV  光刻機(jī)  High-NA  

ASML正計(jì)劃搬離荷蘭？向外擴(kuò)張轉(zhuǎn)移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解

  • 據(jù)路透社報(bào)道，光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）正計(jì)劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個(gè)名為“貝多芬計(jì)劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導(dǎo)，以確保ASML繼續(xù)在荷蘭發(fā)展。消息還稱，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴(kuò)張或遷移，法國(guó)或是選擇之一。針對(duì)最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發(fā)言人對(duì)媒體稱他們?cè)诳紤]公司的未來(lái)，但沒有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭？憑借先天的地理位置及海港內(nèi)陸網(wǎng)絡(luò)，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國(guó)家經(jīng)濟(jì)高度依賴國(guó)際貿(mào)易，2022年最新出口額占全國(guó)GDP之比超
  • 關(guān)鍵字： ASML  荷蘭  EUV  佳能  光刻機(jī)  

韓國(guó)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃升級(jí)在華工廠

  • 據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國(guó)對(duì)華極紫外（EUV）光刻機(jī)出口相關(guān)限制，對(duì)其中國(guó)半導(dǎo)體工廠進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇以及中國(guó)高性能半導(dǎo)體制造能力提升，一些韓國(guó)芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來(lái)提高在華工廠制造工藝水平。韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)》13日的報(bào)道援引韓國(guó)業(yè)內(nèi)人士的話稱，SK海力士計(jì)劃今年將其中國(guó)無(wú)錫工廠的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對(duì)于“無(wú)錫工廠將技術(shù)升級(jí)”的消息，SK海力士方面表示“無(wú)法確認(rèn)工廠的具體運(yùn)營(yíng)計(jì)劃”。無(wú)錫工廠
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  芯片  EUV  
共194條 2/13 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

euv介紹

在半導(dǎo)體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。 極紫外光刻（英語(yǔ)：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長(zhǎng)的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(zhǎng)可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

EUV    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473