esd-20 文章最新資訊

聯(lián)芯通支持ISO 15118-20雙向電力傳輸，發(fā)布面向車輛到電網(wǎng)的創(chuàng)新方案

杭州市 – 2023 年 6 月 21 日 – 杭州聯(lián)芯通半導(dǎo)體有限公司（簡稱聯(lián)芯通）是一家智能充電通信芯片設(shè)計(jì)公司，宣布支持ISO 15118-20雙向電力傳輸(BPT, Bidirectional Power Transfer)。這種功能，也被稱為V2G(Vehicle-to-Grid，車輛到電網(wǎng))，使電動(dòng)汽車不僅可以從電網(wǎng)獲取電力，還可以將儲(chǔ)存電力回充到電網(wǎng)。根據(jù)支持Combined Charging Syst
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提高汽車的功能安全性掌握ESD實(shí)現(xiàn)無干擾的數(shù)據(jù)傳輸

在日常生活中，人們觸摸車門時(shí)偶爾會(huì)感到手指刺痛或靜電沖擊，這感覺僅會(huì)令人不快；但對(duì)于一些電子組件，遇上靜電放電(ESD)可能意味著完全失效。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)越微小，模擬和數(shù)字I/O引腳的阻抗越高，便越容易受到靜電放電(ESD)的影響?？赡艿暮蠊╬/n結(jié)的熱擊穿、氧化物擊穿(電介質(zhì)擊穿)，以及金屬化層的熔化。目前電子組件大約占據(jù)一輛汽車總價(jià)值的三分之一，而且這個(gè)比例還將上升。汽車中17%的半導(dǎo)體故障是由靜電放電(ESD)造成的，因而必需采取適當(dāng)?shù)腅SD保護(hù)措施。在日常生活中，人們觸摸車門時(shí)偶爾會(huì)感到手指刺痛或
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Diodes 公司推出節(jié)省空間的TVS

【2023 年 4 月 6 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出新款雙向瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管，以滿足市場妥善保護(hù)高速數(shù)據(jù)端口的需求。D3V3Z1BD2CSP 以滿足保護(hù)靜電放電 (ESD) 沖擊和突波事件。這款產(chǎn)品的主要應(yīng)用為高效能運(yùn)算硬件、智能型手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦、顯示器及游戲機(jī)的 I/O 端口。雖然許多競爭產(chǎn)品必須在設(shè)計(jì)上做出折衷，擇一選擇強(qiáng)大的突波保護(hù)特性或低輸入電容，D3V3Z1BD2CSP 可以同時(shí)提出這兩項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。它
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第二代驍龍8賦能MEIZU 20系列實(shí)現(xiàn)全方位“無界”體驗(yàn)

3月30日，魅族正式發(fā)布全新旗艦MEIZU 20系列。MEIZU 20系列全系搭載第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)，在性能、游戲、影像、連接等多領(lǐng)域?yàn)橛脩魩順O致體驗(yàn)。熱愛無界。MEIZU 20系列包括“無界美學(xué)”MEIZU 20 INFINITY無界版、“巔峰體驗(yàn)”MEIZU 20 PRO和“銳利先鋒”小屏真旗艦MEIZU 20，全部搭載第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)。第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)基于行業(yè)領(lǐng)先的4nm工藝制程打造，采用創(chuàng)新的CPU架構(gòu)設(shè)計(jì)。全新Kryo CPU采用Cortex-X3超級(jí)內(nèi)核，與前代平臺(tái)相比，性能提升高
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J-Squared將推出與Blaize合作打造的人工智能推理小型計(jì)算機(jī)FALC-20，它可在邊緣部署中實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的人工智能加速

在3月28日至31日于拉斯維加斯舉辦的2023年國際安全會(huì)議和展覽（ISC West）上，J-Squared和Blaize?將展示J-Squared的FALC產(chǎn)品系列。 FALC產(chǎn)品系列專為邊緣位置的視頻應(yīng)用程序和人工智能應(yīng)用程序而設(shè)計(jì)，具有堅(jiān)固耐用的工業(yè)版本，適合任何環(huán)境，是各種應(yīng)用和行業(yè)的理想選擇。 J-Squared的旗艦產(chǎn)品FALC-20提供最高64 TOPS的人工智能推理性能，可以支撐1到4個(gè)Blaize? Xplorer? X1600E EDSFF小型加速卡。“開發(fā)自己的EDSFF卡解決方案版
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貼片壓敏電阻如何保護(hù)LED免受ESD的影響？

隨著智能手機(jī)和TWS等移動(dòng)設(shè)備日趨小型化和高功能化，設(shè)備和集成電路（IC）對(duì)ESD（靜電放電）和浪涌的抗擾性越來越弱。此外，這些移動(dòng)設(shè)備被要求支持觸摸操作和可穿戴設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)也逐漸增多，因此采取ESD保護(hù)措施變得空前重要，這也極大地促進(jìn)了ESD保護(hù)元件的應(yīng)用。隨著智能手機(jī)和TWS等移動(dòng)設(shè)備日趨小型化和高功能化，設(shè)備和集成電路（IC）對(duì)ESD（靜電放電）和浪涌的抗擾性越來越弱。此外，這些移動(dòng)設(shè)備被要求支持觸摸操作和可穿戴設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)也逐漸增多，因此采取ESD保護(hù)措施變得空前重要，這也極大地促進(jìn)了ESD保護(hù)元件的
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Vishay推出升級(jí)版紅外接收器,降低供電電流,提高抗ESD和陽光直射的可靠性

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，采用新一代Cyllene 2 IC升級(jí)紅外遙控應(yīng)用TSOP2xxx、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和?TSOP77xxx系列紅外（IR）接收器模塊。配置新型IC旨在確保產(chǎn)品長期供貨并縮短交貨期，有助于設(shè)計(jì)人員大幅降低更寬電源電壓范圍內(nèi)的供電電流，同時(shí)提高抗ESD和陽光直射的可靠性。日前發(fā)布的增強(qiáng)型Vishay Semiconductors接收器可用于電視機(jī)、機(jī)頂盒（STB）、音響和游戲機(jī)、空調(diào)等電器，以及
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嵌入式核心板開發(fā)之ESD靜電保護(hù)

在電子產(chǎn)品開發(fā)中ESD靜電防護(hù)是不可或缺的一環(huán)，下面就為大家簡單介紹一下，核心板產(chǎn)品開發(fā)時(shí)有用的ESD二極管知識(shí)和技巧。ESD管的介紹ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），靜電保護(hù)元器件，又稱瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列（TVS Array），是由多個(gè)TVS晶粒或二極管采用不同的布局設(shè)計(jì)成具有特定功能的多路或單路ESD保護(hù)器件，主要應(yīng)用于各類通信接口靜電保護(hù)，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
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Nexperia宣布面向高速數(shù)據(jù)線的TrEOS系列ESD保護(hù)器件再添兩款新產(chǎn)品

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護(hù)二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級(jí)。 Nexperia高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
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多網(wǎng)口網(wǎng)關(guān)設(shè)計(jì)，米爾基于Zynq-7010/20開發(fā)平臺(tái)工業(yè)網(wǎng)關(guān)設(shè)計(jì)應(yīng)用

隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的飛速的發(fā)展，5G時(shí)代的到來，工業(yè)控制系統(tǒng)在生產(chǎn)領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)為未來工業(yè)控制系統(tǒng)靈活性和可擴(kuò)展性的需求提供了支持。工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)使我們的生產(chǎn)數(shù)據(jù)可以進(jìn)行規(guī)?；写鎯?chǔ)，并利用高速采集、云計(jì)算等技術(shù)對(duì)這些大數(shù)據(jù)進(jìn)行分析、挖掘，進(jìn)而優(yōu)化生產(chǎn)效率。?工業(yè)網(wǎng)關(guān)是跨系統(tǒng)互聯(lián)的橋梁，對(duì)接口的類型和數(shù)量要求多樣化，對(duì)設(shè)備的可靠性、處理性能、信息安全等要求高，而一般的 MCU 芯片解決方案已經(jīng)難以應(yīng)對(duì)工業(yè)網(wǎng)關(guān)的諸多需求，比如外設(shè)接口、安全加密解密、訪問控制等整體的解決成本較高。米爾電子
關(guān)鍵字：工業(yè)網(wǎng)關(guān) Zynq-7010/20 米爾 Zynq－7000 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

6 款采用 Sony Pregius S 傳感器的新型 8 MP-20 MP Blackfly S 8-20 MP 相機(jī)

Teledyne FLIR Blackfly S GigE 相機(jī)系列新增 6 款產(chǎn)品：采用 8MP Sony IMX546 的 BFS-PGE-80S5M/C-C：?彩色和?單色采用 12.3MP Sony IMX545 的 BFS-PGE-120S6M/C-C：?彩色和?單色采用 20MP Sony IMX541 的 BFS-PGE-200S7M/C-C：?彩色和?單色這些型號(hào)具備強(qiáng)大傳感器、分辨率和功能，進(jìn)一步豐富了 GigE Vision
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實(shí)驗(yàn)出真知！可充分發(fā)揮ESD保護(hù)元件性能的電路設(shè)計(jì)

TDK的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品陣容齊全，可保護(hù)設(shè)備因受ESD（靜電放電）影響而引發(fā)的故障和誤動(dòng)作，能幫助客戶有效解決ESD問題。但隨著用戶設(shè)備的小型化、輕量化和高功能化，以前效果出眾的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品也出現(xiàn)了無法充分發(fā)揮保護(hù)效果的情況。為了查明原因，我們以客戶設(shè)備的小型化為前提進(jìn)行了ESD實(shí)驗(yàn)，本期推文就來為您詳細(xì)介紹通過此次實(shí)驗(yàn)得出的各數(shù)據(jù)與結(jié)果。5G技術(shù)的發(fā)展實(shí)現(xiàn)了設(shè)備之間的相互協(xié)作和實(shí)時(shí)通信，也對(duì)設(shè)備的設(shè)計(jì)提出了更高的要求，比如更小、更輕、更低功耗、更高功能、長期運(yùn)行、高可靠性、更高的EMC耐
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經(jīng)典解析靜電放電（ESD）原理與設(shè)計(jì)-靜電來源及保護(hù)方法-KIA MOS管

ESD，是靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。靜電的來源在電子制造業(yè)中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是最重要的靜電源，這主要有三個(gè)方面的原因：1、人體接觸面廣，活動(dòng)范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時(shí)也有許多機(jī)會(huì)將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過器件
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基本ESD模型及功能參數(shù)

　　將一個(gè)電容充電到高電壓（一般是2kV至8kV），然后通過閉合開關(guān)將電荷釋放進(jìn)準(zhǔn)備承受ESD沖擊的“受損”器件（圖1）。電荷的極性可以是正也可以是負(fù)，因此必須同時(shí)處理好正負(fù)ESD兩種情況?！　?1)HBM(Human Body Model)，人體放電模型；　　指帶電荷的人體與集成電路產(chǎn)品的管腳接觸并發(fā)生靜電荷轉(zhuǎn)移時(shí)，產(chǎn)生的ESD現(xiàn)象?！　∪梭w等效電阻約1500歐姆，等效電容值為lOOpF，Ls與Cs寄生電感和電容。該ESD放電產(chǎn)生電流波形的上升時(shí)間在2~10ns范圍內(nèi)，持續(xù)時(shí)間在150~200ns范圍內(nèi)
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esd是指什么？靜電放電是什么？

　　ESD（Electrostatic discharge），中文釋義為靜電放電?！　≡斐伸o電放電有多種原因，但最常見的是靜電和靜電感應(yīng)。靜電通常是通過摩擦充電產(chǎn)生的，而靜電感應(yīng)則是作為物體的電荷重新排列而產(chǎn)生的。通常，當(dāng)一個(gè)物體的表面獲得負(fù)電子而另一個(gè)物體失去電子并帶正電時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生摩擦充電。當(dāng)帶相反電荷的物體相互接觸時(shí)，電子傳遞能量然后分離，形成一種電荷接觸帶電。　　在工業(yè)生產(chǎn)中靜電放電會(huì)導(dǎo)致兩種類型的電氣設(shè)備損壞，具體如下：　　災(zāi)難性的：造成永久性傷害?！　摲缘模簬缀鯔z測不到，已經(jīng)對(duì)組件造成損傷
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