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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

NOR Flash也要漲價(jià) 元器件供應(yīng)鏈為何進(jìn)入缺貨周期？

  • 從2016年下半年開始，包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進(jìn)入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個(gè)壓力就轉(zhuǎn)移到了消費(fèi)者身上，引起蝴蝶效應(yīng)。
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DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座

  • 　　雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認(rèn)，其地位依然很強(qiáng)勢。強(qiáng)大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機(jī)品牌危機(jī)，雖然導(dǎo)致其智能手機(jī)業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補(bǔ)，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大，依然有價(jià)格主導(dǎo)權(quán)利。 　　不管是PC業(yè)務(wù)還是手機(jī)業(yè)務(wù)未來日子不好過的情況下，唯獨(dú)DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨，甚至漲價(jià)，據(jù)了解，DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知，由于
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2020年63%智能手機(jī)采用8GB RAM

  • 　　智能手機(jī)屏幕放大、分辨率提高，推升高效能移動DRAM的需求，讓三星、海力士等韓國兩大存儲器廠錢景一片看好。 　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange周日發(fā)布報(bào)告預(yù)測，第一季DDR雙通道存儲器芯片報(bào)價(jià)今年第一季有望成長10-15%，為前一季3-7%的兩倍多，反映市場供給吃緊的程度。 　　智能手機(jī)功能越來越多元，高分辨率的大屏幕手機(jī)更有賴于高密度DRAM模組驅(qū)動，如此才能實(shí)現(xiàn)類似PC的“多線程工作”。據(jù)傳，三星今年推出的Galaxy S8手機(jī)其中一款
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美光預(yù)投1,300億未來規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃

  • 　　中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局昨(17)日首度證實(shí)，全球DRAM大廠美光預(yù)計(jì)在臺投資新臺幣1，300億元，未來將落腳中部科學(xué)園區(qū)進(jìn)行擴(kuò)廠計(jì)劃，預(yù)計(jì)將增加逾2千個(gè)就業(yè)機(jī)會。據(jù)悉，美光鎖定中科進(jìn)行新的3D封測制程，預(yù)估2-3年可量產(chǎn)，要打造成為亞太區(qū)營運(yùn)中心。 　　工業(yè)局表示，去年協(xié)助美光在臺擴(kuò)大投資，總投資金額高達(dá)新臺幣1，300億元，也就美光擴(kuò)大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助，未來規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃，將可增加2，000個(gè)以上就業(yè)機(jī)會，將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。   　
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工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價(jià)繼續(xù)蔓延

  • 　　從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢頭開始上揚(yáng)，2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。   　　據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強(qiáng)調(diào)，NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計(jì)將缺貨一整年。 　　日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時(shí)，針對DRAM內(nèi)存市場進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃
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為什么說中國必須建設(shè)本土存儲產(chǎn)業(yè)

  • 　　在長江存儲，晉華項(xiàng)目和合肥長鑫這三大存儲國產(chǎn)存儲基地開建之際，有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個(gè)建設(shè)?，F(xiàn)在我通過一個(gè)事實(shí)告訴你原因?，F(xiàn)在在存儲產(chǎn)業(yè)，基本是韓國廠商的天下，而隨著設(shè)動設(shè)備的火熱，各種設(shè)備的爆發(fā)，市場對存儲的需求日增，于是帶來了存儲產(chǎn)品的缺貨問題，進(jìn)而導(dǎo)致了漲價(jià)。 　　拜DRAM價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚(yáng)之賜，部分分析師預(yù)測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤可能年增5成，來到史無前例的25兆韓圓。 　　存儲市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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大陸存儲器的戰(zhàn)略布局

  • 　　長江存儲成立后，大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。 　　回歸基本面來看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因?yàn)橛心柖?，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時(shí)間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn)。半導(dǎo)體的先
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TrendForce：服務(wù)器DRAM模組供不應(yīng)求，Q1報(bào)價(jià)看漲25%

  • 　　市場調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告預(yù)測，服務(wù)器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報(bào)價(jià)可能攀升至少25%。 　　2017年第一季初，服務(wù)器DRAM模組已較前一季同期漲價(jià)逾25%，部份高密度產(chǎn)品合約價(jià)漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻，16GB模組也來到100美元。 　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現(xiàn)，服務(wù)器DRAM模組報(bào)價(jià)看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續(xù)漲價(jià)。除此之外，服務(wù)器制造業(yè)者因擔(dān)心價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)而提前
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DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀(jì)錄

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價(jià)格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價(jià)呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價(jià)最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個(gè)在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強(qiáng)勢漲價(jià)的季度。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來，2017年第一季標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格持續(xù)攀高，平均漲幅接近三成，服務(wù)器內(nèi)存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過200美元
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DRAM/NAND價(jià)格回升 存儲器產(chǎn)值今年將增10%

  • 　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價(jià)格(ASP)正穩(wěn)健走揚(yáng)，研究機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預(yù)估整體產(chǎn)值可達(dá)853億美元新高紀(jì)錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
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一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內(nèi)存單元

  • 　　垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元，無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設(shè)備，也無需任何新的材料或工藝?！　∠噍^于一般的DRAM，VLT內(nèi)存數(shù)組能節(jié)約高達(dá)45%的成本;這是因?yàn)樗哂懈〉腣LT內(nèi)存單元，以及驅(qū)動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內(nèi)存數(shù)組效率。然而，想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢，就必須在依據(jù)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展的成熟DR
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紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時(shí)不涉足DRAM

  • 　　大陸紫光集團(tuán)在2016年終正式宣布投資總額高達(dá)240億美元，在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。 　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)透露，紫光集團(tuán)由旗下長江存儲公司負(fù)責(zé)推動這項(xiàng)計(jì)畫。紫光集團(tuán)暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項(xiàng)投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開端，也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運(yùn)作的新合作模式。 　　由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
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存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀(jì)錄

  • 　　根據(jù)ICInsights報(bào)道，在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個(gè)人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。 　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于
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嚴(yán)防技術(shù)泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信

  • 　　全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。 　　半導(dǎo)體人士透露，三大DRAM廠強(qiáng)力防止中國大陸藉挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂見DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進(jìn)而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴(kuò)大，明年再現(xiàn)飆漲
  • 關(guān)鍵字： DRAM  SK海力士  

IC Insights：2017年全球存儲器市場同比增長10%

  • 　　在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個(gè)人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。 　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于上半年跌價(jià)太狠，IC Insi
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ddr5 dram介紹

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