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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr2-sdram

基于A3P125和SDRAM實現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

  • 采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。


    　　功能特點(diǎn)：
    　　1、采用Actel中等容量
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三星跳電　存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。 　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作，估計此事件對公司營運(yùn)影響不大。 　　存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
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威剛董事長預(yù)計DRAM市場二季度起出現(xiàn)供應(yīng)短缺

  • 　　據(jù)臺灣媒體報道，威剛科技董事長陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開始，動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)市場可能會面臨供應(yīng)短缺問題，到今年下半年，供需缺口可能會達(dá)到10%。 　　據(jù)報道，很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DDR-3，這推動DDR-2芯片價格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。 　　報道稱，自春節(jié)假期結(jié)束以來，DDR2現(xiàn)貨價格已上漲6.8%。 　　威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤驅(qū)動器。
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臺灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價節(jié)后上漲7%

  • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，內(nèi)存(DRAM)補(bǔ)貨潮號角響起，DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年會出現(xiàn)缺貨潮。 　　威剛董事長陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實缺工問題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會面臨這個問題。 　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報價，1Gb DDR2有效測試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價2.35美元，創(chuàng)近一個多月新
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DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

  • 　　報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。 　　Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。 　　Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級或許會因為其它設(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
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DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”

  • 　　在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。 　　但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達(dá)22億美元，市場份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 　　DDR3來臨 　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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中芯國際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺灣廠商受惠

  • 　　上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。 　　由于中芯過去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能，成為國內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電市場SDRAM最大供應(yīng)商，此次停產(chǎn)后導(dǎo)致市場供貨短缺效應(yīng)逐步發(fā)酵，128Mb及256Mb x32規(guī)格SDRAM現(xiàn)貨價近日飆出新天價，臺灣地區(qū)SDRAM供應(yīng)商受惠最大。 　　中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬片8吋芯片規(guī)模，在大陸消費(fèi)性電子及家電市場，擁有超過30%的市場占有率，
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臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

  • 　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達(dá)合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 　　另一家DRAM大廠
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DDR2乏人問津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

  • 　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩(wěn)，反而有利于DDR2價格走勢。 　　臺 DRAM廠表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機(jī)會，因為DDR2若
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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成

  • 　　韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動設(shè)備，可在智能手機(jī)，平板電腦等移動設(shè)備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產(chǎn)。   　　這款內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。 　　Hynix宣稱這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達(dá)4.26GB/s。另外，這
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DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計

  • 　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質(zhì)量更好等優(yōu)點(diǎn)，對于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖 像處理系統(tǒng))設(shè)計中由于存儲
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多路讀寫SDRAM接口設(shè)計

  • 存儲器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對于存儲器的容量和性能提出了越來越高的要求。同步動態(tài)隨機(jī)存儲器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫速度快
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Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗證

  • 　　韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 　　這次通過驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗證時的運(yùn)行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 　　Hynix宣稱
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