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臺灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價節(jié)后上漲7%

  • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存(DRAM)補貨潮號角響起，DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年會出現(xiàn)缺貨潮。 　　威剛董事長陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實缺工問題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會面臨這個問題。 　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報價，1Gb DDR2有效測試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價2.35美元，創(chuàng)近一個多月新
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計猛增51%

  • 　　市場研究公司IC Insights預(yù)計，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計增長67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計為51%。 　　“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計劃在今年將產(chǎn)能翻倍，但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。 　　大
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計猛增51% 大型芯片廠商領(lǐng)跑

  • 　　市場研究公司IC Insights預(yù)計，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計增長67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計為51%。 　　“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計劃在今年將產(chǎn)能翻倍，但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。 　　大
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Gartner：今年全球半導(dǎo)體銷售額將增長20%

  • 　　市場研究公司Gartner預(yù)計，2010年全球半導(dǎo)體營收將增長20%，達到2760億美元。 　　2009年，全球半導(dǎo)體營收下滑了10%。但Gartner周三指出，今年全球半導(dǎo)體銷售額有望達到2760億美元，與去年的2310億美元相比將增長19.5%。 　　Gartner表示，處理器和內(nèi)存是推動2010年半導(dǎo)體營收增長的主要動力。其中，DRAM芯片漲幅將達到55%。 　　Gartner預(yù)計，至少在2014年之前，半導(dǎo)體市場將持續(xù)增長。到2012年，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達到3040億美元。
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iSuppli預(yù)計今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場將增40%

  • 　　2月24日消息，市場研究公司iSuppli預(yù)計，今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場增幅將超過40%，也是3年來的首次增長。 　　據(jù)國外媒體報道稱，iSuppli表示，今年全球DRAM內(nèi)存芯片銷售額將增長至319億美元，2009年、2008年和2007年DRAM內(nèi)存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。 　　iSuppli分析師邁克·霍華德當(dāng)?shù)貢r間上周四說，“今年DRAM內(nèi)存市場將繼續(xù)去年第四季度的增長趨勢，增長40%。” 　　推動去年第四季度DRAM
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英飛凌向爾必達提出專利侵權(quán)訴訟

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)遞交起訴書，稱爾必達(Elpida Memory Inc.)制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面四項重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。 　　英飛凌公司管理委員會成員兼銷售、營銷、技術(shù)與研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出：“英飛凌在業(yè)界一直處于先進半導(dǎo)體制程的領(lǐng)先地位。我們將盡力保護我們通過持續(xù)研發(fā)所獲得的知識產(chǎn)權(quán)。&rdqu
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iSuppli：2010年DRAM內(nèi)存市場將增長40%

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli稱，經(jīng)過連續(xù)三年的下降之后，DRAM內(nèi)存市場2010年的銷售收入將達到319億美元，增長40%。 　　iSuppli負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存業(yè)務(wù)的高級分析師Mike Howard在聲明中說，2010年將在2009年第四季度增長的基礎(chǔ)上繼續(xù)增長。2009年第四季度整個DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入環(huán)比增長了40%。 Howard指出出貨量的增長和平均銷售價格的提高是這種增長的主要原因。 　　2009年第四季度是DRAM內(nèi)存行業(yè)在最近的記憶中表現(xiàn)最好的一個季度。據(jù)iSuppli稱，20
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海力士：DRAM恐供給過剩

  • 　　DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語，認(rèn)為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 　　全球DRAM龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語，看法與三星大為迥異。 　　外電報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時透露，由于各大芯片廠都大舉擴大資本支出，擔(dān)心DRAM會供給過剩;不過，他認(rèn)為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會不錯。
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美光、南亞科攜手42納米　加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局

  • 　　美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn)，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世，同時也全面導(dǎo)入銅制程技術(shù)，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(Elpida)45納米相比，美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多，預(yù)計在2010年第2季試產(chǎn)，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導(dǎo)入42納米制程，與爾必達旗下力晶和瑞晶導(dǎo)入45納米的時間點相仿。 　　2010 年DRAM市場50
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海力士反行業(yè)主流看法：今年DRAM芯片恐將過剩

  • 　　2月9日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告，認(rèn)為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 　　全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警告，看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告，將牽動南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見、威剛等臺灣內(nèi)存企業(yè)發(fā)展計劃。 　　外電報道，海力士執(zhí)行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露，由于各大晶片廠都大舉擴大資本支出，擔(dān)心DRAM芯片會供給過剩
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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機密被捕

  • 　　據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機密并出售給了競爭對手海力士。 　　美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經(jīng)確認(rèn)此事，并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國子工廠的高管。 　　應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

  • 　　報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。 　　Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。 　　Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級或許會因為其它設(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
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美國09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM

  • 　　湯森路透知識產(chǎn)權(quán)解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級專利權(quán)人》(2009 Top Patentees) 的分析結(jié)果，對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進行排名。這項研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級公司中，無一家中國大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項專利位列第一， 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權(quán)名單還包括11家日本公司，中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。 　　2009年美國專利權(quán)人 TOP25 　　亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權(quán)名單的56%，而日
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三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認(rèn)證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 　　三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
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三星的“致命傷”——過渡依賴芯片產(chǎn)品

  • 　　導(dǎo)讀：《朝鮮日報》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷售業(yè)績在很大程度上依賴于芯片產(chǎn)品，而芯片的營業(yè)利潤容易根據(jù)市場環(huán)境起伏不定，這也被認(rèn)為是三星的“致命弱點”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會面臨更大的危機。 　　以下為全文： 　　三星電子在韓國企業(yè)史上第一個實現(xiàn)“銷售額100萬億韓元、營業(yè)利潤10萬億韓元”的業(yè)績，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國《金融時報》29日報道稱：“從長遠來看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
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