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[5納米碳納米管CMOS器件]入選高校十大科技進(jìn)展

  • 　　日前，由教育部科學(xué)技術(shù)委員會組織評選的2017年度“中國高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”經(jīng)過高校申報和公示、形式審查、學(xué)部初評、項目終審等評審流程后在京揭曉。 　　由北京大學(xué)申報的”5納米碳納米管CMOS器件“入選。 　　 ? 　　芯片是信息時代的基礎(chǔ)與推動力，現(xiàn)有CMOS技術(shù)將觸碰其極限。碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時代的重要選項。 　　理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實(shí)現(xiàn)三維集成，系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢將高達(dá)上千
  • 關(guān)鍵字： CMOS  碳納米管  

是德科技: 探討 2018 年主要技術(shù)趨勢并分享其深入的見解和預(yù)測

  • 　　區(qū)塊鏈壯大 – 區(qū)塊鏈?zhǔn)且环N為比特幣等加密數(shù)字貨幣提供支持的技術(shù)，它正蓄勢待發(fā)，在各種應(yīng)用中被廣泛采用，并因其固有安全性而使這些應(yīng)用大為受益?；趨^(qū)塊鏈的智能安全合約將在各個行業(yè)(從金融、房地產(chǎn)到教育和醫(yī)療)出現(xiàn)。即便是成熟的行業(yè)都可能開始采用這種技術(shù)經(jīng)過許可或?qū)Ｓ械淖凅w，用來驗(yàn)證是否遵從國際流程標(biāo)準(zhǔn)。　　軟件真正無處不在 – 虛擬化技術(shù)推動了大規(guī)模聯(lián)網(wǎng)計算的變革，使得云基礎(chǔ)架構(gòu)快速興起，這些云基礎(chǔ)架構(gòu)從根本上改變了實(shí)現(xiàn)價值的方式。隨著這種趨勢在聯(lián)網(wǎng)計算環(huán)境中快
  • 關(guān)鍵字： 是德科技  CMOS   

誰將主導(dǎo)MEMS的未來？紙還是塑料？

  • 基于塑料或紙基板的元件不像矽基元件那樣快速或精確，但其性能足以滿足短暫使用或經(jīng)常更換的消費(fèi)產(chǎn)品，以及一次性的拋棄式應(yīng)用需求。
  • 關(guān)鍵字： 傳感器  CMOS  

格芯技術(shù)大會攜最新技術(shù)突出中國市場重要地位

  • 近日，格芯2017技術(shù)大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會，本次大會格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車解決方案智能應(yīng)用，F(xiàn)DX?、Fi
  • 關(guān)鍵字： GTC  FDSOI  FINFET  制程  

堅決維權(quán) Omnivision豪威科技誓捍衛(wèi)市場領(lǐng)導(dǎo)地位起訴思特威

  • 　　上海知識產(chǎn)權(quán)法院正式受理了OmniVision?Technologies，?Inc.(以下簡稱“豪威科技”或“OminiVison”)訴江蘇思特威電子科技有限公司(以下簡稱“思特威”或“SmartSens”)侵害發(fā)明專利的相關(guān)訴訟。作為原告，豪威科技要求法院判令思特威公司立即停止有關(guān)SC5035型號芯片的專利侵權(quán)行為并進(jìn)行賠償。至此，CMOS制造業(yè)巨頭豪威科技正式展開了其在華針對專利侵權(quán)問題的首次維權(quán)?！　martSens思特威于2011年成立，主營CMOS圖像傳感器芯片設(shè)計，產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： Omnivision  CMOS  

揭開廢棄紐扣電池的秘密

  • 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級，對現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來說是一項常見的簡單應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  CR2032  德州儀器  

所有這些干擾都是從哪里來的？

  • 所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進(jìn)入市場以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計人員帶來了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是，輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電源放大器  THD  

硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

  • 硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
  • 關(guān)鍵字： 硅光子  半導(dǎo)體芯片  CMOS  芯片設(shè)計  
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