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GaN 器件的直接驅動配置

- 受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器(PFC)等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實現(xiàn)此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點,包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字: MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
高精度霍爾電流傳感器助力功率系統(tǒng) 的性能和效率提

- 隨著自動化和智能化在世界范圍的普及,電動車、工業(yè)自動化等產(chǎn)業(yè)進化推動了市場對高壓功率系統(tǒng)的 需求,人們對這些功率系統(tǒng)的效率和性能的要求也越來越嚴苛。如何高效、精確的控制、監(jiān)測和保護這些需要長時間運轉的系統(tǒng)變成了很多工程師的痛點,而這之中,隔離電流檢測又是最重要的一環(huán)。實現(xiàn)隔離電流檢測的方法有很多種,這當中當然要考慮包括隔離等級、性價比、效率、方案體積等多方面因 素,也同時催生了不同方案的創(chuàng)新升級——基于霍爾效應的隔離電流傳感器是當中獨特的方案之一。圖 1:帶隔離電流檢測的 PFC 電路框圖系統(tǒng)效率的提
- 關鍵字: UPS PFC
意法半導體推出150W評估板和參考設計,致力于推動安全高效的LED路燈應用的發(fā)展

- 意法半導體新推出的?EVL150W-HVSL? LED驅動器評估板和參考設計將確保LED燈具擁有優(yōu)異的性能,節(jié)省物料清單(BOM)成本,加快LED路燈和其它中高功率照明應用的研發(fā)。作為一款150W、1A市電輸入驅動器,EVL150W-HVSL可實現(xiàn)高達91%的滿載能效,能夠最大程度地節(jié)省路燈運營企業(yè)的用電成本。電磁干擾(EMI)在EN55022電磁兼容標準規(guī)定范圍內(nèi),在230V AC、30%至100%負載范圍內(nèi),輸入電流總諧波失真(THD) 小于10%,符合歐洲EN61000-3-2
- 關鍵字: THD LCC BOM EMI PFC
PFC功率因數(shù)校正電路的典型方案講解
- PFC在電路中的作用非常重要,其能夠最大程度上的反映出系統(tǒng)中電力的有效使用率。因此作為電源新手來說,對PFC進行進一步的了解是非常有必要的。本文不
- 關鍵字: PFC 功率因數(shù)校正 電源
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