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Soitec以新技術(shù)為自動(dòng)駕駛發(fā)展保駕護(hù)航

  • 作為一家設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè),來(lái)自于法國(guó)的Soitec以提供高性能超薄半導(dǎo)體晶圓襯底材料來(lái)助力整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新,通過(guò)不斷革新更優(yōu)化的制造材料,確保半導(dǎo)體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務(wù)。特別是伴隨著5G技術(shù)的不斷推進(jìn),基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機(jī)用芯片的性能方面起到了至關(guān)重要的作用,可以說(shuō)Soitec的技術(shù)是促進(jìn)5G智能手機(jī)快速普及的幕后英雄之一。 當(dāng)然,“幕后英雄”也因?yàn)槠湎冗M(jìn)的技術(shù)獲得企業(yè)的飛速發(fā)展,Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
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華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺(tái) BCD工藝“8+12”齊發(fā)力

  • 全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”)近日宣布,其高性能90納米BCD工藝平臺(tái)在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積,將在數(shù)字電源、數(shù)字電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢(shì),華虹半導(dǎo)體最新推出了90納米BCD工藝平臺(tái),其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段,其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導(dǎo)通電阻,達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢(shì),該工藝平
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格芯與環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄,未來(lái)將長(zhǎng)期供應(yīng)12英寸SOI晶圓

  • 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工廠格芯(GLOBALFOUNDRIES)于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓(Globalwafers.Co.,Ltd)簽訂合作備忘錄(MOU),協(xié)議表明環(huán)球晶圓將負(fù)責(zé)對(duì)格芯12英寸晶圓的長(zhǎng)期供應(yīng)。 環(huán)球晶圓是全球領(lǐng)先的8英寸SOI制造者之一,也是格芯8英寸SOI晶圓的長(zhǎng)期供應(yīng)商,雙方長(zhǎng)期保持著良好的合作關(guān)系。環(huán)球晶圓也是12英寸晶圓制造商,基于雙方未來(lái)發(fā)展與穩(wěn)定供應(yīng)需求,環(huán)球晶圓與格芯有望緊密協(xié)作,有力擴(kuò)大環(huán)球晶圓12英寸SOI晶圓生產(chǎn)產(chǎn)能。 格
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硬核技術(shù)創(chuàng)新加持,華虹宏力“8+12”特色工藝平臺(tái)為智能時(shí)代添飛翼

  • 中國(guó)信通院數(shù)據(jù)顯示,2019年1-10月中國(guó)5G手機(jī)出貨量328.1萬(wàn)部,發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn),讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來(lái),隨之而來(lái)的是海量的芯片需求。然而,先進(jìn)芯片制造工藝雖有巨資投入,卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場(chǎng)應(yīng)用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求,則主要由華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)為首的特色工藝芯片制造企業(yè),基于成熟工藝設(shè)備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢(shì)來(lái)滿足。近日,在中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2019年會(huì)(ICCAD 2
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Soitec發(fā)布2020上半財(cái)年報(bào)告,同比增長(zhǎng)30%,達(dá)成全財(cái)年財(cái)測(cè)預(yù)期

  • 作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司于11月27日公布了2020上半財(cái)年業(yè)績(jī)(截止至2019年9月30日)。???????? 2020上半財(cái)年銷(xiāo)售額為2.585億歐元,按固定匯率和邊界1計(jì)增長(zhǎng)30%???????? 當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)23%,達(dá)到5,130萬(wàn)歐元???????
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格芯為互聯(lián)系統(tǒng)的22FDX平臺(tái)帶來(lái)新級(jí)別的安全性和保護(hù)

  • 近日,作為先進(jìn)的特殊工藝半導(dǎo)體代工廠,格芯(GF?)今日宣布正在與Arm?展開(kāi)合作,為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供基于FD-SOI的格芯22FDX?平臺(tái)安全芯片上系統(tǒng)(SoC)解決方案。隨著逆向工程的威脅和其他對(duì)IP的非法威脅日益加劇,采用基于硬件的安全I(xiàn)P解決方案(包括加密內(nèi)核、硬件信任和高速協(xié)議引擎)從根本上保護(hù)復(fù)雜電子系統(tǒng)成為當(dāng)務(wù)之急。配有Arm? CryptoIsland?片上安全隔區(qū)的格芯22FDX平臺(tái)提供了一種片上硬件安全解決方案,使得前端模塊(FEM)、射頻、基帶、嵌入式MRAM和加密功能可以輕松地集
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設(shè)計(jì)瞄準(zhǔn)5G汽車(chē)物聯(lián)網(wǎng),工藝何不就選FD-SOI

  • 作為本世紀(jì)初被開(kāi)發(fā)以面對(duì)22nm以后半導(dǎo)體工藝難題的兩大制程技術(shù)之一,F(xiàn)D-SOI顯然從知名度上遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如FINFET那樣耳熟能詳,從應(yīng)用的廣度上......
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SOI 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟上海論壇期間頒獎(jiǎng),村田、中芯領(lǐng)導(dǎo)人獲獎(jiǎng)

  • 2019年9月17日 中國(guó)上海 -? SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟( SOI微電子完整價(jià)值鏈的領(lǐng)先行業(yè)組織)今日宣布了半導(dǎo)體行業(yè)的兩位杰出獲獎(jiǎng)?wù)?分別是來(lái)自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事長(zhǎng)兼首席技術(shù)官Jim Cable和中芯集成電路(寧波)有限公司的首席執(zhí)行官兼總經(jīng)理Herb Huang(黃河),二位為RF-SOI (一種廣泛用于蜂窩通信芯片的領(lǐng)先技術(shù))技術(shù)進(jìn)步做出貢獻(xiàn)而榮獲此殊榮。此次SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在上海舉辦了年度RF-SOI論壇,共有來(lái)自中國(guó)和世界各地的450多位行業(yè)領(lǐng)袖參加,是SOI
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格芯宣布與Soitec達(dá)成多個(gè)SOI晶圓供貨協(xié)議

  • 日前,格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI芯片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上,此份協(xié)議即刻生效,以確保未來(lái)數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
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格芯和Dolphin Integration 推出適用于5G、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用的差異化FD-SOI自適應(yīng)體偏置解決方案

  •   格芯(GF)和領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP提供商Dolphin Integration今日宣布,雙方正在合作研發(fā)自適應(yīng)體偏置(ABB)系列解決方案,提升格芯22nm FD-SOI (22FDX?)工藝技術(shù)芯片上系統(tǒng)(SoC)的能效和可靠性,支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等多種高增長(zhǎng)應(yīng)用?! ∽鳛楹献魇乱说囊徊糠?,Dolphin Integration與格芯正在共同研發(fā)ABB系列解決方案,加速并簡(jiǎn)化SoC設(shè)計(jì)的體偏置實(shí)施方案。ABB具備特有的22FDX功能,可以讓設(shè)計(jì)師利用正向及反向體偏置技術(shù),動(dòng)態(tài)地補(bǔ)償工藝、
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意法半導(dǎo)體開(kāi)始提供汽車(chē)微控制器嵌入式PCM樣片

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)在IEDM2018國(guó)際電子器件展會(huì)上,公布了內(nèi)置嵌入式相變存儲(chǔ)器(ePCM)的28nm FD-SOI汽車(chē)微控制器(MCU)技術(shù)的架構(gòu)和性能基準(zhǔn),并從現(xiàn)在開(kāi)始向主要客戶提供基于ePCM的微控制器樣片,預(yù)計(jì)2020年按照汽車(chē)應(yīng)用要求完成現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn),取得全部技術(shù)認(rèn)證。這些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器,將被用于汽車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng)、先進(jìn)安全網(wǎng)關(guān)、安全/ADAS系統(tǒng)以
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華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)

  •    特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn),該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類(lèi)全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì),對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。    第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V,其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2,達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平,可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力,減小芯片面積,擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)(Safe-Operation-A
  • 關(guān)鍵字: 0.18  BCD  工藝  

Soitec參加SOI高峰論壇,探討SOI技術(shù)在中國(guó)發(fā)展

  •   作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),Soitec半導(dǎo)體公司于2018年9月18日至19日參加了在上海由SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟舉辦的第六屆FD-SOI高峰論壇暨國(guó)際RF-SOI研討會(huì)(Shanghai FD-SOI Forum & International RF-SOI Workshop)。來(lái)自國(guó)際頂級(jí)半導(dǎo)體公司、科研院所、投資機(jī)構(gòu)和政府部門(mén)的業(yè)內(nèi)精英在本屆高峰論壇上就FD-SOI和RF-SOI在人工智能、邊緣計(jì)算(Edge computing)、5G網(wǎng)絡(luò)連接技術(shù)中的應(yīng)用等話題進(jìn)行了探討
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中科院院士王曦帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)制備國(guó)際一流的SOI晶圓片

  •   在許多人眼中,中科院院士、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長(zhǎng)王曦既是一位具有全球視野的戰(zhàn)略科學(xué)家,也是一位開(kāi)拓創(chuàng)新而又務(wù)實(shí)的企業(yè)家。他帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)制備出了國(guó)際最先進(jìn)水平的SOI晶圓片,解決了我國(guó)航天電子器件急需SOI產(chǎn)品的“有無(wú)”問(wèn)題,孵化出我國(guó)唯一的SOI產(chǎn)業(yè)化基地。   他在上海牽頭推進(jìn)了一批半導(dǎo)體重大項(xiàng)目——12英寸集成電路硅片項(xiàng)目有望填補(bǔ)我國(guó)大尺寸硅片產(chǎn)業(yè)空白。3月23日,王曦榮獲上海市科技功臣獎(jiǎng)。   從下圍棋中得到啟發(fā)   空間輻射會(huì)對(duì)衛(wèi)
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格芯推出面向下一代移動(dòng)和5G應(yīng)用的8SW RF-SOI技術(shù)

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù),可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線通信應(yīng)用的前端模塊(FEM)帶來(lái)顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢(shì)?! 「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線上制造具有出色開(kāi)關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比,該技術(shù)可以將功耗降低至70%,實(shí)現(xiàn)更高的電
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