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格芯CEO：FD-SOI是中國需要的技術(shù)

  • 　　5G時代將對半導(dǎo)體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時，F(xiàn)D-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增?！　?月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現(xiàn)場，發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進SOI技術(shù)的發(fā)展，介紹公司最新技術(shù)成果的同時也總結(jié)了SOI技術(shù)的現(xiàn)狀，并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來?！　￡P(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無線和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車?yán)走_、WiGig、衛(wèi)星通信以及無線回傳等新興高容量應(yīng)用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案。　　該兩種解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數(shù)字技術(shù)結(jié)合，為集成單芯片系統(tǒng)解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應(yīng)用中都可以實現(xiàn)最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應(yīng)用，
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機存儲器

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。　　正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數(shù)據(jù)的能力，同時能使數(shù)據(jù)在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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大容量的全新市場正在推動半導(dǎo)體商機的涌現(xiàn)

  • 預(yù)計半導(dǎo)體和代工市場將在2016-2020年出現(xiàn)強勁成長，半導(dǎo)體年復(fù)合增長率達4.4%，代工業(yè)年復(fù)合增長率達7.1%，而且中國代工廠的年復(fù)合增長率更高，達20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠奠基典禮之后，向部分國內(nèi)媒體介紹了格芯對全球半導(dǎo)體市場的看法及其業(yè)務(wù)擴展計劃。
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莫大康冷靜看待成都的“格芯”

  • 　　全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產(chǎn)線，GF占51%，并引入中國半導(dǎo)體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術(shù)。 　　“格芯”之所以引起業(yè)界關(guān)注有兩點： 　　1)與廈門的”聯(lián)芯”一樣是合資企業(yè)，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式; 　　2)導(dǎo)入SOI技術(shù)，目前計劃是2018年開始成熟制程量產(chǎn)，以及2019年是22納米的FD-SOI技術(shù)量產(chǎn)。 　　為什么SOI技術(shù)對于中國是個亮點? 　　在摩爾
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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。 　　眾所周知，當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來談?wù)凢i
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SOI與finFET工藝對比 中國需要發(fā)展誰才正確

  • 中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
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新型智能手表顯示FD-SOI正當(dāng)時？

  • 　　在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉(zhuǎn)移到由產(chǎn)品與應(yīng)用所決定的技術(shù)競爭。 　　因為沒有可見的終端產(chǎn)品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場上有實際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢何在? 　　終于，現(xiàn)在有實際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱，RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善，并成為天線調(diào)諧器與射頻開關(guān)的主流技術(shù)，占據(jù)了95%的市場份額，該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結(jié)合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。 　　   　　目前，RF-SOI技術(shù)主要應(yīng)用于智能手機、WiFi等無線通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，12FDXTM提供全節(jié)點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現(xiàn)按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。 　　隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德半導(dǎo)體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。 　　隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內(nèi)的越來越多的組件，
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格羅方德半導(dǎo)體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計，并縮短產(chǎn)品上市時間。 　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現(xiàn)先進節(jié)點設(shè)計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。 　　通過格羅方德半導(dǎo)體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

  • 　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。 　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
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FD-SOI制程決勝點在14nm！

  • 　　產(chǎn)業(yè)資深顧問Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢… 　　半 導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮 減時，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會降低，帶來較高的閘成本。 　　  
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Globalfoundries正進行下一代FD-SOI制程開發(fā)

  • 　　Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　Globalfoundries聲稱其針對不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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