華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺 BCD工藝“8+12”齊發(fā)力

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”）近日宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數(shù)字電源、數(shù)字電機驅(qū)動、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。

緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢，華虹半導(dǎo)體最新推出了90納米BCD工藝平臺，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導(dǎo)通電阻，達到業(yè)界先進水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢，該工藝平臺亦提供1.5V CMOS選項，具有更高的邏輯門密度，可有效縮減芯片面積。結(jié)合較少的生產(chǎn)掩模數(shù)，能為客戶提供性價比更優(yōu)的芯片代工方案。同時，該平臺可提供多種器件集成，并配套豐富的數(shù)字單元庫和OTP及MTP嵌入式存儲器選項，增強了設(shè)計的集成度和靈活度。在該平臺上，華虹半導(dǎo)體還將繼續(xù)投入研發(fā)資源，提供更豐富的器件類型，并將LDMOS擴展至40V及以上電壓段，覆蓋更廣泛的應(yīng)用需求。

此外，華虹半導(dǎo)體持續(xù)8英寸生產(chǎn)線的研發(fā)創(chuàng)新，優(yōu)化升級現(xiàn)有滿足車規(guī)要求的180納米 BCD技術(shù)，在相同的擊穿電壓下，導(dǎo)通電阻平均降低約25%，技術(shù)性能顯著提升，達到業(yè)界先進水平。公司將進一步將180納米BCD技術(shù)中的LDMOS的最高電壓由40V擴展至100V，并提供更多電壓段的設(shè)計選項，滿足工業(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域需求。同時，集成嵌入式閃存模塊的110納米BCD工藝平臺，可達到車規(guī)級應(yīng)用要求，實現(xiàn)了高智能化控制與電源管理集成的單芯片解決方案。

華虹半導(dǎo)體擁有先進的模擬及電源管理IC工藝平臺，涵蓋0.5微米到90納米工藝節(jié)點，可廣泛應(yīng)用于電源管理、工業(yè)控制、音頻功放、室內(nèi)外照明、汽車電子等領(lǐng)域，是DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器、LED照明和電池管理等產(chǎn)品的極佳工藝選擇。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁范恒 表示，“5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等多個新興應(yīng)用市場的持續(xù)成長帶動了全球電源管理IC需求的快速增長。華虹半導(dǎo)體深耕電源管理IC領(lǐng)域多年，憑借對產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新的專注以及行業(yè)市場和客戶需求的深刻洞察，為國內(nèi)外客戶提供高效能、極具競爭力的綠色芯制造平臺?！?/p>