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點(diǎn)評時(shí)下流行的高功效降壓轉(zhuǎn)換器

　　電源效率常常是決定當(dāng)今消費(fèi)電子產(chǎn)品成敗的驅(qū)動因素。由于功效決定了設(shè)備在兩次充電之間的工作時(shí)間長度，因此在用戶對產(chǎn)品質(zhì)量的感知中起著非常重要的作用。　　在便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品的功率預(yù)算中，高效率降壓轉(zhuǎn)換器起著其他IC不可比擬的作用。一般用來向內(nèi)核微控制器、I/O和其他子系統(tǒng)供電的降壓(或稱Buck)轉(zhuǎn)換器，可將平均3.6V的鋰離子電源降低至大多數(shù)控制器和外圍器件所要求的2.5V或1.1V。　　由于電池的使用壽命對終端產(chǎn)品的市場成功起著重要作用，整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高效率已經(jīng)成為當(dāng)今降壓轉(zhuǎn)換器的一個(gè)日益
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器件的散熱

1、散熱的原理與重要性　　各種功率器件的核心是PN結(jié)，而PN結(jié)的性能與溫度密切相關(guān)。為了保證器件正常工作，必須規(guī)定最高允許結(jié)溫TjM。當(dāng)器件流過較大的電流時(shí)，在芯片上產(chǎn)生相應(yīng)的功率損耗，引起芯片溫度增加，與最高結(jié)溫對應(yīng)的器件耗散功率即為器件的最大允許耗散功率。器件正常工作時(shí)不應(yīng)超過最高結(jié)溫和功率的最大允許值，否則，器件特性將要發(fā)生變化，甚至導(dǎo)致器件產(chǎn)生永久性的損壞現(xiàn)象。　　芯片溫度的高低與器件內(nèi)部功耗的大小、芯片到外界環(huán)境的傳熱條件（傳熱機(jī)構(gòu)、材料、冷卻方式等）及環(huán)境溫度有關(guān)。設(shè)法減小器件的內(nèi)部
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電力電子器件的緩沖電路

1、緩沖電路的作用與基本類型　　電力電子器件的緩沖電路(snubber circuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路，不僅用于半控型器件的保護(hù)，而且在全控型器件（如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。　　晶閘管開通時(shí)，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時(shí)，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時(shí)過電壓和過大的電壓上升率，以
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電子電子器件的發(fā)展、分類與應(yīng)用

1、電力電子器件及其發(fā)展現(xiàn)狀　　電力電子技術(shù)(power electronic technology)是以電力為對象的電子技術(shù)，是一門利用電力電子器件對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換與控制的新興學(xué)科。電力電子技術(shù)包括如下三大部分：　　(1) 電力電子器件(power electronic device)；　　(2) 電力電子(功率)交流技術(shù)(power conversion technique)，包括改變頻率、電壓、電流及變換相數(shù)等；　　(3)&
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使用ISE設(shè)計(jì)工具優(yōu)化FPGA的功耗

　　自從Xilinx公司推出FPGA二十多年來，研發(fā)工作大大提高了FPGA的速度和面積效率，縮小了FPGA與ASIC之間的差距，使FPGA成為實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路的優(yōu)選平臺。今天，功耗日益成為FPGA供應(yīng)商及其客戶關(guān)注的問題。　　降低FPGA功耗是降低封裝和散熱成本、提高器件可靠性以及打開移動電子設(shè)備等新興市場之門的關(guān)鍵。　　Xilinx在提供低功耗FPGA解決方案方面較有經(jīng)驗(yàn)。本文說明如何應(yīng)用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)技術(shù)，如Xilinx ISE(集成軟件環(huán)境)9.2i版本軟件使功能有效降低。　　CM
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電源管理和MOSFET推動中國功率器件市場發(fā)展

　　全球能源需求的不斷增長以及環(huán)境保護(hù)意識的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應(yīng)用到整機(jī)產(chǎn)品中。在整機(jī)市場產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機(jī)產(chǎn)品中應(yīng)用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長，但由于市場基數(shù)的不斷擴(kuò)大，市場增長率將逐年下降。預(yù)計(jì)到2011年時(shí)中國功率器件市場銷售額將達(dá)到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復(fù)合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
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今年我國激光產(chǎn)業(yè)銷售總額將超過60億元

　　盡管今年年初美國《LaserFocusWorld》雜志對2006年的世界激光產(chǎn)業(yè)作出了“經(jīng)歷了驚人的強(qiáng)力增長”和“激光行業(yè)的發(fā)展看起來相當(dāng)樂觀”的評價(jià)，但2006年世界激光產(chǎn)品市場銷售額達(dá)到56億美元，同比僅增長了2%。與之相比，2006年則是中國激光產(chǎn)品市場一個(gè)高速、穩(wěn)定的發(fā)展年份。中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會激光分會對全行業(yè)激光產(chǎn)品銷售統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明：2006年中國激光產(chǎn)品市場(不含全息制品)的銷售總額已突破50億元大關(guān)，達(dá)到56.3267億元，同比增長了40.4%。2007年中國激光產(chǎn)品市場銷售總額將
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中國光伏產(chǎn)業(yè)引人注目多晶硅短缺仍在持續(xù)

　　多晶硅是電子工業(yè)和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料。近年來，由于世界半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，尤其是受太陽能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展的驅(qū)動，多晶硅市場得以迅速增長。而多晶硅市場供需不平衡問題的日益突出，也引起了全世界的廣泛關(guān)注。　　在當(dāng)今能源日趨緊張、環(huán)境壓力日趨增大的情況下，可再生能源受到各國政府的日益重視，太陽能作為一種重要的可再生能源，其開發(fā)和利用已成為各國可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要組成部分。目前，我國可再生能源規(guī)模只有8%，未來的發(fā)展空間十分廣闊。而作為21世紀(jì)最有潛力的能源，太陽能產(chǎn)業(yè)在研發(fā)、
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 多晶硅太陽能光伏元件制造

多晶硅價(jià)格走高專家剖析太陽能電池反跌之謎

　　即便原材料多晶硅的價(jià)格一直持續(xù)高漲，國內(nèi)大部分太陽能電池組件制造商仍計(jì)劃調(diào)低或維持產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)定，以贏取更多的市場份額。環(huán)球資源最新發(fā)布的研究報(bào)告顯示，88%的受訪供應(yīng)商將調(diào)低或維持產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)定，只有12%的受訪者計(jì)劃調(diào)升產(chǎn)品價(jià)格。　　報(bào)告出版人區(qū)乃光表示，“由于市場預(yù)計(jì)多晶硅短缺的情況將會持續(xù)至2009年，因此很多太陽能電池組件制造商正實(shí)行簡化生產(chǎn)程序的措施，其中包括通過規(guī)模經(jīng)濟(jì)增加效率、進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈下游及研發(fā)制造使用較少量多晶硅的較薄的太陽能電池。” 　　據(jù)悉，計(jì)劃減低生產(chǎn)成本的受訪供應(yīng)商中：2
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電力電子技術(shù)概況

一、電力電子技術(shù)及特點(diǎn) 　　電子技術(shù)包括信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)兩大分支。通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)屬于信息電子技術(shù)。電力電子技術(shù)是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)，它是利用電力電子器件對電能進(jìn)行變換和控制的新興學(xué)科。目前所用的電力電子器件采用半導(dǎo)體制成，故稱電力半導(dǎo)體器件。信息電子技術(shù)主要用于信息處理，而電力電子技術(shù)則主要用于電力變換。電力電子技術(shù)的發(fā)展是以電力電子器件為核心，伴隨變換技術(shù)和控制技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展的。　　電力電子技術(shù)可以理解為功率強(qiáng)大，可供諸如電力系統(tǒng)那樣大電流、高電壓場合應(yīng)用的
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直流電機(jī)驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)

　　驅(qū)動電路的性能很大程度上影響整個(gè)系統(tǒng)的工作性能。有許多問題需要慎重設(shè)計(jì)，例如，導(dǎo)通延時(shí)、泵升保護(hù)、過壓過流保護(hù)、開關(guān)頻率、附加電感的選擇等。 1.開關(guān)頻率和主回路附加電感的選擇　　力矩波動也即電流波動，由系統(tǒng)設(shè)計(jì)給定的力矩波動指標(biāo)為ΔI/IN，對有刷直流電動機(jī)而言，通常在(5~10)%左右。為了便于分析可認(rèn)為　　ΔI/IN=ΔI/(Us/Rd) &nb
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無刷直流伺服電動機(jī)的功率驅(qū)動電路

1.功率驅(qū)動電路的基本類型　　無刷直流伺服電路的基本類型　　無刷支流伺服電動機(jī)的容量一般在100KW以下。按目前功率器件的水平，這個(gè)容量段的商品化器件應(yīng)該采用全控制器件，即GTO、GTR、功率MOSFET和IGBT。全控型器件也即自關(guān)斷器件，并且IGBT已占主導(dǎo)地位。它們的主要性能指標(biāo)是：電壓、電流和工作頻率。通過這三項(xiàng)參數(shù)的分析即可進(jìn)行元件的選擇。功率驅(qū)動電路的基本類型如圖1所示。圖中m表示電機(jī)的繞組相數(shù)；A表示繞組允許通電方向，當(dāng)繞組允許正、反兩個(gè)方向通電，A=2，只允許單方向通電時(shí)A=1。圖
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選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標(biāo)來選擇正確的MOSFET。　　MOSFET的選擇　　MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)
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SMD工藝流程是什么？

一、SMT工藝流程------單面組裝工藝　　來料檢測 --> 絲印焊膏（點(diǎn)貼片膠）--> 貼片 --> 烘干（固化） --> 回流焊接 --> 清洗 --> 檢測 --> 返修二、SMT工藝流程------單面混裝工藝　　來料檢測 --> PCB的A面絲印焊膏（點(diǎn)貼片膠）--> 貼片 --> 烘干（固化）--> 回流焊接 --> 清洗 --> 插件 --> 波峰焊 --> 清洗 --> 檢測
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SMT 基本工藝構(gòu)成要素有哪些？

基本工藝構(gòu)成要素：　　絲?。ɑ螯c(diǎn)膠）--> 貼裝 --> （固化） --> 回流焊接 --> 清洗 --> 檢測 --> 返修　　絲印：其作用是將焊膏或貼片膠漏印到PCB的焊盤上，為元器件的焊接做準(zhǔn)備。所用設(shè)備為絲印機(jī)（絲網(wǎng)印刷機(jī)），位于SMT生產(chǎn)線的最前端。　　點(diǎn)膠：它是將膠水滴到PCB的的固定位置上，其主要作用是將元器件固定到PCB板上。所用設(shè)備為點(diǎn)膠機(jī)，位于SMT生產(chǎn)線的最前端或檢測設(shè)備的后面。　　貼裝：其作用是將表面組裝元器件準(zhǔn)確安裝到
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