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asic 制造 文章 最新資訊

電子基礎(chǔ)知識：電子信息產(chǎn)品分類注釋4

  • 　　13、天線磁芯     14、其他磁芯     （三）鐵氧體永磁元件     1、鋇鐵氧體永磁元件     2、鍶鐵氧體永磁元件     3、電機(jī)用瓦形磁體     4、鐵氧體粘結(jié)元件     （四）永磁合金     1、鋁鎳鈷磁鋼
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電子基礎(chǔ)知識：電子信息產(chǎn)品分類注釋3

  • 　　10、片式開關(guān)     11、光無源元件     12、其他開關(guān)     （六）管座（插入式）     1、集成電路插座     2、半導(dǎo)體分立器件插座     3、顯像管插座     4、電阻管插座(包括金屬陶瓷管)     5、繼
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電子基礎(chǔ)知識：電子信息產(chǎn)品分類注釋2

  • 　　6、合成膜電阻器     7、實芯電阻器     8、釉膜電阻器     9、片式電阻器     10、熔斷電阻器     11、微帶電阻器     12、其他電阻器     （二）電位器     1、線繞電位器  &n
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電子基礎(chǔ)知識：電子信息產(chǎn)品分類注釋1

  • 　　電子元件產(chǎn)品     電子元件及組件     一、電容器     （一）紙介電容器     1、金屬化和金屬箔式紙介電容器     2、紙介復(fù)合介質(zhì)電容器     （二）薄膜電容器     1、聚酯膜電容器     2、聚丙烯膜電容器  
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電子元器件知識：IC封裝大全寶典（四）

  • 　　是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C(見QFN)。     25、LGA(landgridarray)     觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現(xiàn)已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯     LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引
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電阻和電容的標(biāo)識法 主要可分為四種

  • 　　在使用電阻器和電容器時，經(jīng)常要了解它們的主要參數(shù)。一般情況下，對電阻器應(yīng)考慮其標(biāo)稱阻值、允許偏差和標(biāo)稱功率;對電容器則需了解其標(biāo)稱容量、允許偏差和耐壓。 　　電阻器和電容器的標(biāo)稱值和允許偏差一般都標(biāo)在電阻體和電容體上，而在電路圖上通常只標(biāo)出標(biāo)稱值，電解電容則常增標(biāo)耐壓，特殊用途電容器除標(biāo)出耐壓外還要注明品種。它們的標(biāo)志方法分為下列４種。 　　１、直標(biāo)法：直標(biāo)法是將電阻器和電容器的標(biāo)稱值用數(shù)字和文字符號直接標(biāo)在電阻體和電容體上，其允偏差則用百分?jǐn)?shù)表示，未標(biāo)偏差值日的即為
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電子元器件知識：IC封裝大全寶典（三）

  • 　　日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對DTCP的命名(見DTCP)。     16、FP(flatpackage)     扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。     17、flip-chip     倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝
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電子元器件知識：IC封裝大全寶典（二）

  • 　　7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)     帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形。     帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為     QFJ、QFJ－G(見QFJ)。     8、COB(chiponboard)   &nb
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電子元器件知識：IC封裝大全寶典（一）

  • 1、BGA(ballgridarray)     球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。     封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為
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元器件知識寶典：斷路器的種類與選擇

  • 　　任何忽視電路保護(hù)設(shè)計的電氣或電子產(chǎn)品都埋藏了故障隱患。保護(hù)您的昂貴設(shè)備歸根結(jié)底就是要對包括控制開關(guān)、電線和電源在內(nèi)的整個電氣系統(tǒng)加以保護(hù)，以避免短路和電流過大情況的發(fā)生。 　　確定針對某項具體應(yīng)用的合適電路保護(hù)器件并不困難，但確實需要費一番思考。如果電氣和電子設(shè)備在設(shè)計中采用了規(guī)格制定得偏松的電路保護(hù)器件，則設(shè)備將極易因功率沖擊而遭到損壞并導(dǎo)致起火的災(zāi)難性后果，反之，如果采用規(guī)格制定得偏嚴(yán)的電路保護(hù)器件，將會引起令人生厭的頻繁跳閘現(xiàn)象。     目前的斷路器主要有熱斷
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元器件：離子注入法制磁性半導(dǎo)體材料方法

  • 　　離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導(dǎo)體薄膜的方法，將磁性離子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半導(dǎo)體薄膜中，即用離子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性離子，然后在850－900℃、NH3氣氛條件下退火處理。DMS離子注入法是通過離子注入，將Fe、Mn、Co或Ni等磁性離子注入GaN基半導(dǎo)體材料中來制備磁性半導(dǎo)體的方法。與其他直接生長方法相比，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的離子摻雜濃度，因而可能制備出高居里溫度的磁性半導(dǎo)體材料。 　　主權(quán)項     權(quán)利要求書1、離子注入法
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晶體三極管概述

  • 　　半導(dǎo)體三極管也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關(guān)作用。三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。 　　三極管的種類很多，并且不同型號各有不同的用途。三極管大都是塑料封裝或金屬封裝，常見三極管的外觀如圖，大的很大，小的很小。三極管
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Si整流器與SiC二極管：誰與爭鋒

  • 在當(dāng)今的電氣設(shè)備中,功率半導(dǎo)體和電抗式元件（電容和電感）隨處可見。它們在正常工作過程中會在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。 首先，這些器件會引起較小的功率因數(shù)。其次，它們會使線電流失真，引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。 功率因數(shù)是指實際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設(shè)備中如果存在大電容或者電感就會導(dǎo)致視在功率大于實際使用的功率，出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。 功率因數(shù)越小，在為設(shè)備供電的交流導(dǎo)線上損耗的電能就越多。如果設(shè)備中的功率半導(dǎo)體開關(guān)操作非常頻繁，那么這種開關(guān)操作
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晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型

  •     晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。 　　發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極?；鶇^(qū)很薄，而發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發(fā)
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處理器存儲器子系統(tǒng)中的SoC功耗優(yōu)化設(shè)計

  • 　　在新的系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計中，尤其是對便攜式設(shè)備而言，對整個系統(tǒng)功耗的優(yōu)化正變得與性能和面積優(yōu)化同樣重要。有些EDA工具具有門控時鐘、降壓、降頻和減少漏電電流等功能，有些芯片制造商能夠提供低功耗庫和工藝，所有這些工藝都非常費時;在最好情況下能夠提供兩倍的性能提升，因為這些提升是在設(shè)計周期的后端進(jìn)行的。 　　功耗優(yōu)化的最佳時間是在設(shè)計周期的一開始進(jìn)行，即在確定體系結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)級進(jìn)行優(yōu)化。確定系統(tǒng)級體系結(jié)構(gòu)對功耗影響非常大，如局部存儲器和高速緩存的數(shù)量和容量。在設(shè)計周期的一開始進(jìn)行優(yōu)化可以減少功耗十倍
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