asic 制造 文章 進(jìn)入asic 制造技術(shù)社區(qū)
符合RoHS環(huán)保法規(guī)的四步管理策略
- 歐盟RoHS指令早已生效多時,多數(shù)廠商采取了某種類型環(huán)境法規(guī)的合規(guī)管理計劃?,F(xiàn)在的問題不是如何符合環(huán)境法規(guī)要求,而是如何以最有效率的方式做到這點。隨著人們對于環(huán)境法規(guī)的理解加深及合規(guī)程序的成熟,我們也開始?xì)w納出能夠加快合規(guī)管理進(jìn)程的最佳做法。 在最終通向合規(guī)聲明的前期步驟中,數(shù)據(jù)收集對于許多廠商來說是合規(guī)管理流程中的重大瓶頸。進(jìn)行合規(guī)分析和認(rèn)證需要大量的數(shù)據(jù),多數(shù)廠商往往低估這項任務(wù)的工作量。企業(yè)在收集數(shù)據(jù)前缺乏必要的準(zhǔn)備使這個問題變得更加復(fù)雜,導(dǎo)致時間拖延。但是,仍然有一些能夠緩解數(shù)據(jù)收
- 關(guān)鍵字: 供應(yīng)鏈管理 元件 制造
信號發(fā)生器
- 信號發(fā)生器可分為正弦波發(fā)生器和非正弦波發(fā)生器(又稱為張弛振蕩器)兩大類。由模擬集成電路構(gòu)成的正弦波發(fā)生器,其工作頻率多數(shù)是1MHz以下,其電路通常由工作于線性狀態(tài)的運算放大器和外接移相選頻網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成。選用不同的移相選頻網(wǎng)絡(luò)便構(gòu)成不同類型的正弦波發(fā)生器。非正弦波發(fā)生器通常由運放構(gòu)成的滯回比較器(又稱施密特觸發(fā)器)和有源或無源積分電路構(gòu)成。不同形成的積分電路便構(gòu)成各種不同類型的非正弦波發(fā)生器,如方波發(fā)生器、三角波發(fā)生器、鋸齒波發(fā)生器、單穩(wěn)態(tài)及雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)脈沖發(fā)生器及階梯波發(fā)生器等。此外,用模擬集成電路構(gòu)成的信
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飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最小的5V/30mA升壓轉(zhuǎn)換器
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布針對設(shè)計人員空間受限的移動和超便攜式產(chǎn)品,推出超小型升壓轉(zhuǎn)換器解決方案FAN5665。這是高效率的5V/30mA自適應(yīng)電荷泵升壓轉(zhuǎn)換器,采用薄型及緊湊的1.21mm X 1.21mm WL-CSP封裝,較之于替代解決方案可節(jié)省20% 以上的線路板空間。對于具有USB功能的產(chǎn)品,需要5V的I/O軌輸出,飛兆半導(dǎo)體的FAN5665可提供理想的快速吻合的解決方案。FAN5665亦可用于驅(qū)動便攜式設(shè)備的鍵區(qū)LED。這種升壓轉(zhuǎn)換器的最大側(cè)高
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電子信息產(chǎn)品分類注釋8
- 半導(dǎo)體分立器件 一、半導(dǎo)體二極管 (一)鍺二極管 (二)硅二極管 1、硅整流二極管 2、硅開關(guān)二極管 3、硅穩(wěn)壓二極管 4、高壓硅堆 5、橋式整流器 6、變?nèi)荻O管 7、硅升壓阻尼二極管 8、混頻檢波二極管 9、肖特基二極管 10、雪崩二極管 11、微波二極管 12、固體放電二極管 13、其他硅二極管 (三)化合物二極管 1、砷化鎵變?nèi)荻O管 2、砷化鎵開關(guān)管 3、砷化鎵體效應(yīng)二極管 4、砷化鎵隧道二極管 {{分頁}}
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電子信息產(chǎn)品分類注釋7
- 電子印制電路板 一、電子印制電路板 (一)單面印制電路板 (二)雙面印制電路板 (三)多層印制電路板 (四)撓性印制電路板 (五)剛-撓結(jié)合印制電路板 (六)碳膜印制電路板 敏感元件及傳感器 一、敏感元件 (一)力敏元件 (二)電壓敏感電阻器 (三)光敏元件 (四)溫度敏元件 (五)磁敏感元件 (六)濕敏元器件 (七)氣敏元器件 電子塑料零件(I3070) 電子塑料零件 電子器件行業(yè) 真空電子器件 一、電子管 (一)收
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電子信息產(chǎn)品分類注釋6
- 電子元件產(chǎn)品 電子元件及組件 一、電容器 (一)紙介電容器 1、金屬化和金屬箔式紙介電容器 2、紙介復(fù)合介質(zhì)電容器 (二)薄膜電容器 1、聚酯膜電容器 2、聚丙烯膜電容器 3、聚笨乙烯電容器 4、聚碳酸酯電容器 5、聚四氟乙烯電容器 6、聚酰亞胺電容器 7、片式有機(jī)介質(zhì)電容器(SMC) 8、其他有機(jī)介質(zhì)薄膜電容器 (三)瓷介電容器 1、低壓瓷介電容器(小于500V) 2、高壓瓷介電容器(大于500V) 3、交流瓷介電容器 4、片式
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高密度IC設(shè)計中面臨的ASIC與FPGA的抉擇
- 在過去10年間,全世界的設(shè)計人員都討論過使用ASIC或者FPGA來實現(xiàn)數(shù)字電子設(shè)計的好處。通常這些討論將完全定制IC的性能優(yōu)勢和低功耗與FPGA的靈活性和低NRE成本進(jìn)行比較。設(shè)計隊伍應(yīng)當(dāng)在ASIC設(shè)計中先期進(jìn)行NRE投資,以最大限度地提高性能、降低尺寸以及降低大批量制造時的成本?或者設(shè)計隊伍應(yīng)該為市場設(shè)計只有FPGA能夠提供的具有高度可配置功能、能夠快速完成任務(wù)的最終產(chǎn)品? 事實上,由于高密度IC設(shè)計面臨的日益嚴(yán)重的挑戰(zhàn),上面的觀點并不重要。隨著ASIC設(shè)計人員進(jìn)入每一個新的工藝過程,設(shè)計變得
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