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華強北市場多款熱門芯片“封庫存” 分銷商稱有客戶轉(zhuǎn)向國產(chǎn)
- 財聯(lián)社4月14日電,財聯(lián)社記者于4月14日走訪深圳華強北市場了解到,目前多家檔口針對CPU、顯卡等熱門芯片的報價已經(jīng)暫停,且多家檔口關(guān)門歇業(yè)。圖為華強電子世界 財聯(lián)社記者攝“現(xiàn)在都在觀望,封庫存了,大家擔(dān)心價格會暴漲暴跌?!闭劶懊绹P(guān)稅調(diào)整后的影響,一名檔口老板告訴財聯(lián)社記者。此外,記者從多家國產(chǎn)芯片廠商處獲悉,關(guān)稅變化后客戶咨詢變多?!吧婕暗矫绹a(chǎn)地的產(chǎn)品,已經(jīng)有下游客戶開始跟我們溝通(國產(chǎn))替代的可行性了?!币幻鲜蟹咒N企業(yè)高管告訴記者。(財聯(lián)社記者 王碧微 付靜)
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特朗普關(guān)稅大棒下,英偉達投資5000億美元:最強AI芯片將在美國制造
- 4月15日消息,當(dāng)?shù)貢r間周日,特朗普政府宣布計劃對半導(dǎo)體相關(guān)進口產(chǎn)品加征關(guān)稅。次日,英偉達立即公布了最新戰(zhàn)略計劃:將在美國得克薩斯州與代工廠商合作,生產(chǎn)用于支持人工智能技術(shù)的超級計算機。不過,英偉達的這則消息究竟有多少真正"新意"?也引發(fā)了部分分析人士的質(zhì)疑。這是該公司首度公開披露將在得州制造人工智能超級計算機的計劃,旨在響應(yīng)美國政府推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈“回流”的政策號召。作為當(dāng)下全球AI浪潮中的最大受益者,英偉達承諾未來幾年將在美投入令人瞠目的5000億美元。該計劃在規(guī)模與定位上,與蘋果
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美國啟動藥品與芯片進口調(diào)查,準備單獨加征關(guān)稅?
- 4月15日消息,美國時間周一,特朗普政府發(fā)布公告,宣布正式啟動對藥品和半導(dǎo)體進口的調(diào)查,旨在以國家安全為由對這兩個行業(yè)加征關(guān)稅。相關(guān)文件將在周三發(fā)布,特朗普政府還宣布,自文件發(fā)布之日起21天為公眾意見征詢期,表明特朗普政府計劃根據(jù)《1962年貿(mào)易擴展法》第232條的授權(quán)來推進這些關(guān)稅。這類調(diào)查需要在啟動后270天內(nèi)完成。特朗普政府已針對銅材和木材進口啟動了類似調(diào)查,其首個任期內(nèi)完成的調(diào)查,為今年1月再次就職后對鋼鐵、鋁材及汽車行業(yè)加征關(guān)稅提供了依據(jù)。美國自4月5日起開始對進口商品征收10%的關(guān)稅。藥品和半
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比蘋果高通快一步!曝三星率先商用2nm芯片:11月進入量產(chǎn)階段
- 4月12日消息,三星原計劃為Galaxy S25系列搭載自主研發(fā)的3nm芯片Exynos 2500,但由于三星代工部門的3nm良率未達標,Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今,三星押注下一代旗艦平臺Exynos 2600,這顆芯片首發(fā)采用三星2nm工藝制程。據(jù)媒體報道,三星2nm工藝制程良率已達40%,預(yù)計在今年11月正式啟動Exynos 2600的量產(chǎn)工作,Galaxy S26系列將會全球首發(fā)Exynos 2600。值得注意的是,芯片制造商通常需達到70%-80%的
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臺積電面臨10億美元罰款和100%關(guān)稅威脅

- 4月9日,美國總統(tǒng)特朗普在共和黨全國委員會活動上自爆曾威脅臺積電,若不繼續(xù)在美國投資建廠,其產(chǎn)品進入美國將面臨高達100%的關(guān)稅。特朗普還批評拜登政府此前為臺積電亞利桑那州工廠提供66億美元補貼,主張通過稅收威脅而非財政激勵推動制造業(yè)回流。10億美元罰款?據(jù)路透社援引知情人士透露,臺積電可能面臨10億美元或更高的罰款,作為美國對其生產(chǎn)的芯片的出口管制調(diào)查結(jié)果。臺積電被指控通過第三方為中國大陸科技企業(yè)代工生產(chǎn)近300萬顆AI芯片,而根據(jù)美國出口管制條例,違規(guī)交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺積電在一份聲
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谷歌迄今最強芯!第七代TPU發(fā)布:內(nèi)存容量高達192GB
- 4月10日消息,據(jù)報道,在本周的Cloud Next大會上,Google發(fā)布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副總裁Amin Vahdat表示:Ironwood是我們迄今為止功能最強大、性能最強、最節(jié)能的 TPU。它專為大規(guī)模支持思考和推理AI模型而設(shè)計。首先在計算性能上,Ironwood實現(xiàn)4614 TFLOP的峰值算力,配備192GB專用RAM和7.4Tbps超高帶寬,確保數(shù)據(jù)高速傳輸。其次,芯片間互連(ICI)帶寬提升至1.2Tbps,較前代提升50%,大幅
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三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進展被傳順利,但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術(shù)限制。一份新報告指出,該公司已經(jīng)成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而,由于量產(chǎn)目標定于 2029 年,我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術(shù)的應(yīng)用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設(shè)備”,但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面,臺積電也正在推出 2 納米以下芯片,據(jù)報道,這家臺灣半導(dǎo)體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星,在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過程中
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拓撲半金屬?未來的芯片需要比銅更好的材料
- 如果你需要將電子從這里移動到那里,你可以求助于銅。這種常見元素是一種極好的導(dǎo)體,很容易制成電線和電路板走線。但是,當(dāng)你變小時,情況就會發(fā)生變化:在納米尺度上真的非常小。相同的銅顯示出越來越大的電阻,這意味著更多的電信號會因熱量而損失。為更小、更密集的設(shè)備供電可能需要更多的能量,這與您想要的微型電子設(shè)備正好相反。斯坦福大學(xué)的研究人員在 Eric Pop 實驗室由 Asir Intisar Khan 領(lǐng)導(dǎo),一直在試驗一種按比例縮小到約 1.5 納米厚度的新型薄膜。他們發(fā)現(xiàn),隨著這
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英偉達計劃在未來四年斥資5000億美元采購芯片和電子產(chǎn)品
- 3月24日消息,近日,英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛表示,英偉達計劃在未來四年內(nèi)斥資數(shù)千億美元采購美國制造的芯片和電子產(chǎn)品。英偉達設(shè)計的最新芯片以及用于數(shù)據(jù)中心的英偉達驅(qū)動服務(wù)器,現(xiàn)在可于臺積電和鴻海在美國運營的工廠生產(chǎn)。黃仁勛稱,“總體而言,在未來四年里,我們將采購總額可能達到5000億美元的電子產(chǎn)品。我認為我們可以很容易地看到,我們在美國制造了數(shù)千億個這樣的產(chǎn)品?!秉S仁勛還表示,英偉達正與臺積電、富士康等公司合作,將制造業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移到美國本土。黃仁勛稱,此舉將增強供應(yīng)鏈韌性。對于市場傳聞的“英偉達可能投資英特爾”
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黃仁勛回應(yīng)DeepSeek沖擊:算力需求將被推高,芯片反而更吃緊
- 英偉達CEO黃仁勛最新表示,中國人工智能企業(yè)DeepSeek發(fā)布的R1模型只會增加對計算基礎(chǔ)設(shè)施的需求,因此,擔(dān)憂“芯片需求可能減少”是毫無根據(jù)的。當(dāng)?shù)貢r間周三(3月19日),黃仁勛在GTC大會與分析師和投資者會面時表示,外界先前對“R1可能減少芯片需求”的理解是完全錯誤的,未來的計算需求甚至?xí)兊靡叩枚唷=衲?月時, DeepSeek發(fā)布的R1模型引發(fā)了市場轟動,該模型開發(fā)時間僅兩個月,成本不到600萬美元,僅用約2000枚英偉達芯片,但R1在關(guān)鍵領(lǐng)域的表現(xiàn)能媲美OpenAI的最強推理模型o1。這導(dǎo)致
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惠普推出全球首批抗量子攻擊打印機,搭載新型 ASIC 芯片
- 3 月 19 日消息,惠普在其 Amplify Conference 2025 會議上宣布推出首批可抵御量子計算機密碼破譯攻擊的打印機產(chǎn)品,包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型號?;萜毡硎具@些打印機均采用量子彈性設(shè)計,搭載了采用抗量子加密技術(shù)設(shè)計的新型 ASIC,該芯片增強了打印機的安全性和可管理性,能防止針對 BIOS 和固件的量子攻擊,并支持固件數(shù)字簽名驗證。此外這些
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消息稱 SK 海力士將獨家供應(yīng)英偉達 12 層 HBM3E 芯片
- 3 月 18 日消息,據(jù)臺媒 digitimes 今日消息,SK 海力士預(yù)計將獨家供應(yīng)英偉達 Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E,預(yù)期與三星電子、美光的差距將進一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實現(xiàn)了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運行速度可達 9.6Gbps,在搭載四個 HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數(shù)的水平。去年 11 月,SK
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基辛格:芯片加關(guān)稅以促進半導(dǎo)體供應(yīng)鏈回流美國
- 臺積電擴大投資美國千億美元(約新臺幣3.3兆)未來將興建3座晶圓廠、2座先進封裝廠及1座研發(fā)中心,從研發(fā)到制造全面布局。 英特爾前CEO基辛格(Pat Gelsinger)近日再度公開喊話,重建半導(dǎo)體供應(yīng)鏈應(yīng)該敦促供應(yīng)鏈移往美國,并對芯片課關(guān)稅。綜合外媒報導(dǎo),基辛格對于臺積電擴大投資美國持正面態(tài)度,他稱贊臺積電很棒,但臺積電在美國沒有研發(fā)中心(R&D)且擁有研發(fā)能力相當(dāng)關(guān)鍵,長期創(chuàng)新與研發(fā)將帶領(lǐng)任何產(chǎn)業(yè)往前邁進。另一方面,基辛格又暗示地緣政治風(fēng)險,基辛格表示:「據(jù)波士頓顧問公司BCG的研究,中國臺
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