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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應(yīng)用場景的理想之選。GD5F1GM9系列
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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，突破性讀取速度，助力應(yīng)用快速啟動(dòng)

近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應(yīng)用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash采用24n
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購

據(jù)韓媒報(bào)道，根據(jù)SK海力士向韓國金融監(jiān)管機(jī)構(gòu)FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。據(jù)了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當(dāng)時(shí)支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價(jià)取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計(jì)相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內(nèi)的其余相關(guān)有形/無形資產(chǎn)。
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AI推理應(yīng)用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負(fù)載。法人分析，臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達(dá)250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務(wù)器主要負(fù)責(zé)分析以及處理大量數(shù)據(jù)，而這類應(yīng)用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
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存儲市場復(fù)蘇，關(guān)鍵看AI

存儲市場新一輪的逆風(fēng)，始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場已顯露出一些微妙變化。NAND 廠商，集體漲價(jià)近日，全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價(jià)函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產(chǎn)品將全面漲價(jià)，整體漲幅超 10%，此次調(diào)價(jià)覆蓋所有渠道及消費(fèi)類產(chǎn)品。閃迪還透露，將持續(xù)審查定價(jià)，后續(xù)季度或有額外漲幅。繼閃迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠商也計(jì)劃將于 4 月漲價(jià)。從供應(yīng)方面，美光今年新加坡 NAND 廠發(fā)生停電，也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠商群聯(lián)也透露，
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美光斷電減產(chǎn) NAND原廠4月提前調(diào)漲

NAND Flash價(jià)格由谷底翻漲正蓄勢待發(fā)，繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調(diào)漲報(bào)價(jià)，近期市場傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國的存儲廠均將從4月起提高報(bào)價(jià)。由于二大韓廠減產(chǎn)措施發(fā)酵，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導(dǎo)致NAND供貨轉(zhuǎn)趨吃緊，長江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調(diào)漲代理價(jià)格，漲幅可望將超過10%，全球各大原廠不約而同推動(dòng)漲價(jià)，NAND價(jià)格回漲速度優(yōu)于原先預(yù)期。存儲器業(yè)界觀察，近期整體終端市場的需求并
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SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時(shí)間點(diǎn)）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成，將加強(qiáng)SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用，存儲需求正在不斷增長，HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士卻沒有停止擴(kuò)張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭。· 2020年10月，SK海力士與英特爾達(dá)成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術(shù)

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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NAND Flash市況有望6月復(fù)蘇

NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預(yù)期，NAND Flash市況將于6月好轉(zhuǎn)，下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應(yīng)吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應(yīng)商已開始堅(jiān)守價(jià)格，避免市場陷入低迷行情。他強(qiáng)調(diào)，供應(yīng)商根據(jù)市場狀況自然調(diào)節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉(zhuǎn)的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計(jì)將增加上看20%。美國商務(wù)部對出口至中國大陸的存儲器制造設(shè)備實(shí)施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領(lǐng)域的擴(kuò)張步伐。盡管中國大陸部分
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西部數(shù)據(jù)宣布完成閃存業(yè)務(wù)分拆計(jì)劃

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月24日，NAND Flash廠商西部數(shù)據(jù)（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業(yè)務(wù)的分拆計(jì)劃。圖片來源：西部數(shù)據(jù)據(jù)悉，分拆后的閃存業(yè)務(wù)將重新以獨(dú)立的閃迪（Sandisk）公司名義運(yùn)營，由原西部數(shù)據(jù)CEO David Goeckeler轉(zhuǎn)任閃迪CEO，而西部數(shù)據(jù)則將再次專注于機(jī)械硬盤HDD業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球運(yùn)營執(zhí)行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數(shù)據(jù)以190億美元的高價(jià)收購了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨(dú)立業(yè)務(wù)部門。不過在2022年，存
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稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

據(jù)韓媒報(bào)道，三星已確認(rèn)從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達(dá)成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計(jì)劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約420至430層。將采用多項(xiàng)新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè)，并將這項(xiàng)技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)
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鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前，鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達(dá)38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8G
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兩項(xiàng)閃存技術(shù)革新，美光、鎧俠各有動(dòng)作

DeepSeek等AI模型驅(qū)動(dòng)之下，存儲器市場備受青睞。長遠(yuǎn)來看，AI等熱潮將推動(dòng)NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動(dòng)力。這一過程中，少不了技術(shù)升級與產(chǎn)品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術(shù)的創(chuàng)新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進(jìn)行技術(shù)共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術(shù)迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術(shù)：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
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從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運(yùn)行效率等方面更進(jìn)一步。現(xiàn)代應(yīng)用需要更先進(jìn)的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統(tǒng)和先進(jìn)的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
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