3nm gaa 文章 進(jìn)入3nm gaa技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電與三星3nm開發(fā)遇阻 量產(chǎn)時(shí)間或?qū)⑼七t
- 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,目前臺(tái)積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開發(fā)過程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開發(fā)進(jìn)度都將放緩。此前,按臺(tái)積電公布的計(jì)劃,3nm將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn),甚至業(yè)界有傳聞稱蘋果已率先包下臺(tái)積電3nm初期產(chǎn)能,成為臺(tái)積電3nm的第一批客戶。此前業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電和三星的3nm工藝都會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),而臺(tái)積電有望領(lǐng)先三星至少半年。此前臺(tái)積電曾宣稱,其3nm工藝會(huì)比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%,功耗將降低20%-25%。臺(tái)積電20
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才用上5nm芯片!3nm就要來了?
- 外媒報(bào)道,臺(tái)積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此,臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度。不過,臺(tái)積電依然計(jì)劃,今年3nm工藝將完成試生產(chǎn),并預(yù)計(jì)2022年批量投入生產(chǎn)。三星采用的是“GAAFET”架構(gòu),業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為它可以更精確控制跨通道的電流,并有效縮小芯片面積以降低功耗。而臺(tái)積電使用的是更為成熟的“FinFET”架構(gòu)以用于其3nm制程。截止目前,有報(bào)道稱,蘋果已經(jīng)占據(jù)了臺(tái)積電的3nm工藝訂單中的很大一部分,意味著蘋果會(huì)成為臺(tái)積電3nm工藝的首批客戶之一。若3nm工
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臺(tái)積電宣布2023年投產(chǎn)3nm Plus工藝:蘋果首發(fā)
- 臺(tái)積電在新工藝方面真是猶如一頭猛獸,無可阻擋(當(dāng)然取消優(yōu)惠也攔不住),今年已經(jīng)量產(chǎn)5nm工藝,而接下來的重大節(jié)點(diǎn)就是3nm,早已宣布會(huì)在2022年投入規(guī)模量產(chǎn)。今天,臺(tái)積電又宣布,將會(huì)在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版,命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶是蘋果。如果蘋果繼續(xù)一年一代芯片,那么到2023年使用3nm Plus工藝的,將會(huì)是“A17”。臺(tái)積電沒有透露3nm Plus相比于3nm有何變化,但是顯然會(huì)有更高的晶體管密度、更低的功耗、更高的運(yùn)行頻率。按照臺(tái)積電的說法,3nm工藝相比于5nm可帶來最
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外媒:臺(tái)積電3nm工藝有望獲得英特爾訂單
- 9月28日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,在此前的報(bào)道中,外媒曾提到,考慮由其他廠商代工芯片的英特爾,已經(jīng)將2021年18萬片晶圓GPU的代工訂單交給了臺(tái)積電,將采用后者的6nm工藝。而外媒最新的報(bào)道顯示,除了18萬片晶圓GPU的代工訂單,臺(tái)積電尚未投產(chǎn)的3nm工藝,也有望獲得英特爾的訂單。外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電的3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能,首波產(chǎn)能中的大部分將留給大客戶蘋果,后3波產(chǎn)能也將被眾多廠商預(yù)訂,其中就包括英特爾。產(chǎn)能預(yù)訂者中將有英特爾,也就意味著在外媒看來,臺(tái)積電的3nm工藝,將獲得英特爾的訂單。不過,
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華為無緣:消息稱臺(tái)積電3nm首波產(chǎn)能基本都是蘋果的
- 對于華為來說,美國將禁令升級(jí)后,對它們自研麒麟芯片打擊是最直接的,也難怪余承東會(huì)說,麒麟9000(基于臺(tái)積電5nm工藝)會(huì)是華為高端芯片的絕版。據(jù)最新消息稱,在5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后,臺(tái)積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝,就將是3nm,目前正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃在2021年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。據(jù)悉,臺(tái)積電3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能,其中首波產(chǎn)能中的大部分,將留給他們的大客戶蘋果。臺(tái)積電目前正在按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn),設(shè)定的產(chǎn)能是每月5.5萬片晶圓。但知情人士也
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跳過5nm 臺(tái)積電透露Graphcore下一代IPU將基于3nm工藝研發(fā)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)之后,臺(tái)積電下一代工藝研發(fā)的重點(diǎn)已轉(zhuǎn)移到了3nm,目前正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。在2020年度的臺(tái)積電全球技術(shù)論壇上,他們也提到了3nm工藝,披露了3nm工藝的性能提升信息。外媒最新的報(bào)道顯示,在介紹3nm的工藝時(shí),臺(tái)積電重點(diǎn)提到了為人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)研發(fā)加速器的半導(dǎo)體廠商Graphcore。臺(tái)積電透露,Graphcore用于加速機(jī)器學(xué)習(xí)的下一代智能處理單元(IPU),將基于臺(tái)積電的3nm工藝研發(fā),越過5nm工藝。Gra
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臺(tái)積電確認(rèn)正研發(fā)3nm和4nm工藝:功耗降低30%、2022年量產(chǎn)
- 在臺(tái)積電第26屆技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電不僅確認(rèn)5nm、6nm已在量產(chǎn)中,且5nm還將在明年推出N5P增強(qiáng)版外,更先進(jìn)的3nm、4nm也一并公布。3nm是5nm的自然迭代,4nm理論上說是5nm的終極改良。技術(shù)指標(biāo)方面,3nm(N3)將在明年晚些時(shí)候風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。相較于5nm,3nm將可以帶來25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。4nm(N4)同樣定于明年晚些時(shí)候風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年量產(chǎn)。對于臺(tái)積電N5客戶來說,將能非常平滑地過渡到N4,也就是流片成本大大降低、進(jìn)度大大加快。當(dāng)
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臺(tái)積電披露3nm工藝更多細(xì)節(jié)信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,正如外媒此前所預(yù)期的一樣,芯片代工商臺(tái)積電在今日開始的全球技術(shù)論壇上,披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細(xì)節(jié)信息。2020年的臺(tái)積電全球技術(shù)論壇,是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇,論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息,但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下,外界最期待的還是5nm之后的下一個(gè)全新工藝節(jié)點(diǎn)3nm工藝。在今天的論壇上,臺(tái)積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝,仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(yīng)(FinFET)晶體管,不會(huì)采用三星計(jì)劃在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上使用的
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臺(tái)積電3nm依然由蘋果首發(fā):iPhone 14、A16芯片
- 作為目前全球最強(qiáng)的晶圓代工一哥,臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢讓他們足以獨(dú)霸5年,不僅7nm領(lǐng)先,今年的5nm及未來的3nm工藝也要領(lǐng)先對手。臺(tái)積電的先進(jìn)工藝被多家半導(dǎo)體巨頭爭搶,不過在所有的“追求者”中,蘋果No.1的地位是無可替代的,不僅是最有錢的,還是需求量最高的,新一代工藝首發(fā)依然是蘋果專享。蘋果今年的A14、明年的A15處理器會(huì)使用5nm及5nm+工藝,再往后就是2022年的3nmnm工藝了,將由蘋果的A16處理器首發(fā)。當(dāng)然,A16現(xiàn)在的規(guī)格還沒影,不過對性能提升不要抱太大希望,因?yàn)榕_(tái)積電之前表示
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臺(tái)積電3nm工藝計(jì)劃明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) 有望提前大規(guī)模量產(chǎn)
- 7月30日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,在5nm芯片制程工藝二季度量產(chǎn)之后,臺(tái)積電下一步的工藝重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝,這一工藝有望先于他們的預(yù)期大規(guī)模量產(chǎn)。在二季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,臺(tái)積電CEO魏哲家再一次談到了3nm工藝,重申進(jìn)展順利,計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。但參考臺(tái)積電5nm工藝的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)時(shí)間與大規(guī)模量產(chǎn)時(shí)間,他們3nm工藝的大規(guī)模量產(chǎn)時(shí)間,有望提前,先于他們的預(yù)期。從此前魏哲家在財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上透露的情況來看,臺(tái)積電5nm工藝的研發(fā)設(shè)計(jì),是在2018年的三季度完
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外媒:臺(tái)積電英特爾5nm及3nm CPU合作計(jì)劃正在推進(jìn)
- 【TechWeb】7月28日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,在周一的報(bào)道中,外媒報(bào)道稱考慮將芯片交由第三方代工的芯片巨頭英特爾,已經(jīng)將2021年6nm芯片代工訂單交由芯片代工商臺(tái)積電,而從最新的報(bào)道來看,臺(tái)積電還有望獲得英特爾5nm及3nm CPU的代工訂單。從外媒的報(bào)道來看,英特爾交由臺(tái)積電的是即將推出的Ponte Vecchio GPU,采用臺(tái)積電成本稍低的6nm工藝,交付給臺(tái)積電的是18萬晶圓的代工訂單。外媒在報(bào)道中表示,英特爾交給臺(tái)積電的18萬片晶圓GPU代工訂單,并不算高,但在報(bào)道中卻提到了CPU代工的消
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3nm工藝太燒錢 沒有46億元?jiǎng)e來流片
- 最近幾天,半導(dǎo)體行業(yè)出了一件大事,Intel宣布7nm工藝延期,導(dǎo)致公司股價(jià)大跌,而AMD及臺(tái)積電兩家公司股價(jià)創(chuàng)造了歷史新高,他們在先進(jìn)工藝上暫時(shí)是領(lǐng)先的。Intel現(xiàn)在遇到的工藝延期問題有多方面原因,技術(shù)、人才、管理上都可以找到一堆理由,但是還有一個(gè)因素不容忽視,那就是先進(jìn)工藝越來越燒錢了。之前的數(shù)據(jù)顯示,28nm工藝開發(fā)一款芯片的費(fèi)用不過5130萬美元,16nm工藝就超過1億美元,10nm工藝要1.74億美元,7nm工藝要3億美元?,F(xiàn)在Intel、臺(tái)積電、三星等公司的競爭已經(jīng)進(jìn)入5nm以下節(jié)點(diǎn),設(shè)計(jì)芯
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臺(tái)積電3nm明年風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn) 用于iPhone 13 A16芯片
- 外媒PhoneArena報(bào)道,全球最大的代工合同制造商是臺(tái)積電(TSMC),為那些具有自主設(shè)計(jì)但沒有生產(chǎn)設(shè)備的公司生產(chǎn)芯片。用于制造芯片的設(shè)備非常復(fù)雜且非常昂貴。例如,臺(tái)積電計(jì)劃今年在資本支出上會(huì)付出150億美元,臺(tái)積電的主要客戶包括蘋果、高通和華為。今年,臺(tái)積電將為蘋果和華為交付其最先進(jìn)的芯片組,分別為A14 Bionic和海思麒麟1020。兩者都將使用臺(tái)積電的5nm工藝制造,這意味著芯片內(nèi)部的晶體管數(shù)量將增加約77%。這使得這些芯片比7nm芯片更強(qiáng)大、更節(jié)能。由于美國新的出口規(guī)定,臺(tái)積電將從9
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臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around,簡稱GAA)技術(shù)。臺(tái)積電臺(tái)媒稱,三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù),并宣稱要到2030年超過臺(tái)積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā),并獲得技術(shù)重大突破,成功找到切入GAA路徑。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發(fā)工程師全心投入。臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn),業(yè)界以
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Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管!搭檔3nm?
- Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多,但是說起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲(chǔ)備,Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。在近日的國際超大規(guī)模集成電路會(huì)議上,Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結(jié)構(gòu)研究,包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場效應(yīng)管納米片結(jié)構(gòu),乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺(tái)積電16nm、三星14nm工藝節(jié)點(diǎn)上引入的,仍在持續(xù)推進(jìn),而接下來最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu),重新設(shè)計(jì)晶體管底層
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