3nm gaa 文章 進(jìn)入3nm gaa技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電計(jì)劃2022年量產(chǎn)3nm芯片
- 臺(tái)積電在8月14日宣布,公司董事會(huì)已批準(zhǔn)了一項(xiàng)約45億美元的資本預(yù)算。未來將會(huì)使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠,而現(xiàn)在中國臺(tái)灣媒體報(bào)道稱,臺(tái)積電計(jì)劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠,希望能夠在2022年實(shí)現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)?! 「鶕?jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》的報(bào)道,臺(tái)灣相關(guān)部門通過了「臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」,這項(xiàng)議案主要是為了臺(tái)積電全新的晶圓制造廠而打造。 據(jù)悉,臺(tái)積電計(jì)劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠,同時(shí)最快可以在2022年實(shí)現(xiàn)對(duì)于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺(tái)積
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aveni S.A. 運(yùn)用創(chuàng)新電鍍化學(xué),將銅互連擴(kuò)展至5nm及以下節(jié)點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)BEOL集成
- 為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布,其已獲得成果可有力支持在先進(jìn)互連的后段制程中,在5nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)可繼續(xù)使用銅。 「值此銅集成20周年之際,我們的研究結(jié)果證實(shí)了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達(dá)的意見:『銅集成可持續(xù)使用』?!筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出?! ∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
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張忠謀:3nm晶圓廠2020年開建 未來3年收入增幅都達(dá)5-10%
- 臺(tái)積電創(chuàng)始人兼董事長張忠謀在近日的一次公司會(huì)議上披露,臺(tái)積電將在2020年開工建設(shè)3nm工藝晶圓廠,但不會(huì)去美國設(shè)廠,而是堅(jiān)持留在中國臺(tái)灣本土,確切地說是在南部科技園區(qū)。 張忠謀提出,臺(tái)積電相信當(dāng)?shù)卣畷?huì)解決好3nm工廠建設(shè)所需的水電土地問題,并提供全力協(xié)助。 按照張忠謀此前的說法,3nm工廠建設(shè)預(yù)計(jì)會(huì)花費(fèi)超過200億美元,同時(shí)有望帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)商跟進(jìn)建廠,拉動(dòng)臺(tái)南地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。 他沒有透露3nm工廠何時(shí)完工、新工藝何時(shí)量產(chǎn),但即便不考慮額外困難和挑戰(zhàn),最快也得是2023年的事兒了。
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臺(tái)積電欲建全球首個(gè)3nm晶圓廠 張忠謀又在唱哪出戲?
- 10月7日,芯片代工廠臺(tái)積電宣布選址南科臺(tái)南園區(qū)興建3nm晶圓廠。據(jù)臺(tái)積電董事長張忠謀透漏,臺(tái)積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設(shè),于2020年左右竣工,這也將成為全球首家3nm晶圓廠。 2016年末至2017年初,三星與臺(tái)積電先后推出10nm制程工藝,穩(wěn)占手機(jī)芯片市場(chǎng)80%以上的市場(chǎng)份額。在這場(chǎng)角斗中,英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢,錯(cuò)失了市場(chǎng)先機(jī)。即使后來推出的10nm工藝遠(yuǎn)超三星與臺(tái)積電,但是對(duì)于整體市場(chǎng)來說,并沒有太大影響。 臺(tái)積電面臨的局勢(shì) 臺(tái)積電主要客戶為蘋果、高通、
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張忠謀:3nm制程會(huì)出來 2nm后很難
- 臺(tái)積電董事長張忠謀表示,摩爾定律可能還可再延續(xù)10年,3nm制程應(yīng)該會(huì)出來,2nm則有不確定性,2nm之后就很難了。 張忠謀表示,1998年英特爾總裁貝瑞特來臺(tái)時(shí),兩人曾針對(duì)摩爾定律還可延續(xù)多久進(jìn)行討論,他當(dāng)時(shí)回答還有15年,貝瑞特較謹(jǐn)慎回答,大概還有10年。 現(xiàn)在已經(jīng)2017年,張忠謀表示,兩人當(dāng)時(shí)的答案都錯(cuò)了;他指出,目前大膽預(yù)測(cè)摩爾定律可能再有10年。 張忠謀表示,臺(tái)積電明年將生產(chǎn)7nm制程,5nm已研發(fā)差不多,一定會(huì)出來,3nm也已經(jīng)做2至3年,看來也是會(huì)出來。 張忠謀
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臺(tái)積備戰(zhàn)3nm全靠極紫外光(EUV)微影設(shè)備
- 極紫外光(EUV)微影設(shè)備無疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器。這項(xiàng)每臺(tái)要價(jià)高達(dá)逾近億美元的尖端設(shè)備,由荷商ASML獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng),目前主要買家全球僅臺(tái)積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。 EUV設(shè)備賣價(jià)極高,原因是開發(fā)成本高,因此早期ASML為了分?jǐn)傞_發(fā)風(fēng)險(xiǎn),還特別邀請(qǐng)臺(tái)積電、三星和英特爾三大廠入股,但隨著開發(fā)完成,臺(tái)積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票,也獲利豐碩。 有別于過去半導(dǎo)體采用浸潤式曝光機(jī),是在光源與晶圓中間加入水的原理,使波長縮短到193/132nm的微影技術(shù),EUV微影設(shè)備是利
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臺(tái)灣:AI終端芯片需要3nm制程生產(chǎn)
- 人工智能(AI)成為下世代科技發(fā)展重點(diǎn),工研院 IEK 計(jì)劃副組長楊瑞臨表示,AI 終端載具數(shù)量將遠(yuǎn)小于手機(jī),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)恐將增大,芯片業(yè)者應(yīng)朝系統(tǒng)與服務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)計(jì)劃副組長楊瑞臨指出,人工智能大致可分為數(shù)據(jù)收集與決策兩部分;其中,數(shù)據(jù)收集方面,因需要大量運(yùn)算,應(yīng)在云端進(jìn)行。 決策方面,目前各國仍以云端發(fā)展為主,楊瑞臨表示,未來決策能否改由終端執(zhí)行,是各界視為臺(tái)灣發(fā)展 AI 的一大機(jī)會(huì)。 只是無人機(jī)、自駕車、機(jī)器人與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/擴(kuò)增實(shí)境
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臺(tái)灣:臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然
- 近期因限電危機(jī),傳出臺(tái)積電3nm廠可能轉(zhuǎn)往美國投資,臺(tái)灣“行政院長”林全表示,「臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然的」,現(xiàn)在的問題只是落腳哪里。 林全表示,包括臺(tái)南、高雄都拚命爭(zhēng)取臺(tái)積3nm廠落腳。 相較于其他企業(yè)也有很好的投資案,但地方政府就沒有這么大的回響,或許和企業(yè)形象、經(jīng)營成功度、員工待遇都有很大關(guān)系。 外界質(zhì)疑政府只關(guān)愛臺(tái)積電一家公司,林全反駁,政府對(duì)企業(yè)是「一視同仁的,不會(huì)有差別待遇」。 他以臺(tái)塑為例表示,臺(tái)塑遇到最大的挫折就是環(huán)評(píng)被退回,因此他去年上任后就
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臺(tái)積電公開回復(fù):東芝競(jìng)標(biāo)案和3nm廠選址
- 臺(tái)積電13日的法說會(huì)中,針對(duì)近期兩大熱門議題:日本半導(dǎo)體大廠東芝NAND Flash部門競(jìng)標(biāo)案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠的選址,一一對(duì)外界做最新的回覆。 自從臺(tái)積電董事長張忠謀公開表示,考慮參與日本半導(dǎo)體大廠東芝(Toshiba)競(jìng)標(biāo)案后,臺(tái)積電對(duì)該案的態(tài)度備受市場(chǎng)關(guān)注,尤其參與競(jìng)標(biāo)者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。 臺(tái)積電13日指出,內(nèi)部確實(shí)評(píng)估過該案,但最后決定不去參與競(jìng)標(biāo),主要是兩大原因,第一,內(nèi)部認(rèn)為這種標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣,第二是
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英特爾7億美金建廠美國 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式將赴美國設(shè)立晶圓廠列入選項(xiàng),且目標(biāo)直指最先進(jìn)且投資金額高達(dá)5000億元的3納米制程。臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道稱,臺(tái)積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導(dǎo)體江山。 擔(dān)憂臺(tái)灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn) 臺(tái)媒引述指出,臺(tái)積電政策轉(zhuǎn)向,主因是南科高雄園區(qū)路竹基地,環(huán)評(píng)作業(yè)完成時(shí)間可能無法配合臺(tái)積電需求,加上空氣品質(zhì)及臺(tái)灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳,也是干擾設(shè)廠的變數(shù)。 臺(tái)積電表示,南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外,持續(xù)觀察,選地尚未決定。至于電力問題,臺(tái)積電重申,考慮設(shè)廠地點(diǎn),水、電、土地、人才,
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臺(tái)積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線
- 臺(tái)科技部長陳良基15日接受經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)專訪時(shí)表示,他上任后主動(dòng)拜會(huì)臺(tái)積電董事長張忠謀等科技大老,對(duì)臺(tái)積電3納米計(jì)劃需求,政府將全力協(xié)助,也會(huì)特別關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并從近程及長期著手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級(jí)。 對(duì)于空污總量管制等環(huán)保要求,會(huì)否影響臺(tái)積電3納米進(jìn)程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺(tái)積電對(duì)3納米需求,水電、土地、空污等因應(yīng)措施,并沒有不能解決的悲觀。」他并預(yù)言,以人工智能(AI)技術(shù)為主的沛星互動(dòng)科技(Appier),十年后有可能成為另一個(gè)「臺(tái)積電」。 陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
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半導(dǎo)體走到3nm制程節(jié)點(diǎn)不成問題
- 在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上,世界領(lǐng)先的獨(dú)立納米技術(shù)研究機(jī)構(gòu)——IMEC的首席執(zhí)行官Luc van den Hove指出,“scaling(尺寸縮小)還會(huì)繼續(xù),我不僅相信它將會(huì)繼續(xù),而且我認(rèn)為它不得不繼續(xù)。” 他認(rèn)為,目前從技術(shù)層面來說,F(xiàn)INFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經(jīng)可以幫我們持續(xù)推進(jìn)到3nm的制程節(jié)點(diǎn)。EUV光刻技術(shù)將是未來的唯一選擇。
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3nm gaa的理解,并與今后在此搜索3nm gaa的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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