3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

三星電子第二季度凈利潤36億美元同比增83%

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。　　在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運(yùn)營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運(yùn)營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財(cái)報(bào)顯示，公司第
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EUV要加大投資強(qiáng)度

　　未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時(shí)期內(nèi)必須要加大投資強(qiáng)度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
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3D數(shù)字相框也隨著3D風(fēng)潮應(yīng)運(yùn)而生

　　數(shù)字相框是一種無需打印便可顯示數(shù)字照片的裝置，當(dāng)攝影從傳統(tǒng)底片進(jìn)入數(shù)字時(shí)代后，由于平均只有35%的數(shù)字照片被打印，無可避免地引發(fā)數(shù)字相框的發(fā)展，部分?jǐn)?shù)字相框也提供內(nèi)置儲存器，可直接從相機(jī)記憶卡讀取靜態(tài)的數(shù)字照片或動態(tài)的數(shù)字影像。　　隨著3D風(fēng)潮滲透數(shù)字相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)等電子產(chǎn)品后，3D數(shù)字相框也因應(yīng)而生。業(yè)者表示，目前3D數(shù)字相框的成本與售價(jià)，至少要比2D同規(guī)格產(chǎn)品貴上1~1.5倍，由于消費(fèi)者對數(shù)字相框的價(jià)格相當(dāng)敏感，目前市面上低于新臺幣1,000元的數(shù)字相框比比皆是，甚至有下殺到700~800元
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三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

　　三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。　　三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計(jì)劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計(jì)劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
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三星與東芝聯(lián)合加快NAND Flash速度

　　三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計(jì)劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項(xiàng)技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競爭，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。　　三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話語權(quán)，這對他們的新規(guī)范計(jì)劃將非常有利。　　三星上個(gè)月
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爾必達(dá)與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議

　　日廠爾必達(dá)(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴(kuò)大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達(dá)將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達(dá)亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。　　據(jù)悉，爾必達(dá)已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán)，該項(xiàng)技術(shù)乃是以其稱為MirrorBit的獨(dú)家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，爾必達(dá)計(jì)劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶營銷。　　路透(Reut
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三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)

　　三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，被業(yè)界廣泛接受使用。　　最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規(guī)范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。　　高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來將
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三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達(dá)400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時(shí)候會完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費(fèi)級電子類應(yīng)用。　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
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爾必達(dá)赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。　　據(jù)悉，爾必達(dá)與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達(dá)與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達(dá)互動密切，爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書，經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。　　官員透露，爾必達(dá)來臺設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
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亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場強(qiáng)力支撐

　　全球半導(dǎo)體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導(dǎo)體市場需求的強(qiáng)力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟(jì)成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關(guān)注。　　美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
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SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？

　　編者點(diǎn)評：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會關(guān)心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設(shè)備業(yè)看似今年的增長幅度達(dá)90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來，因?yàn)?010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來的前景有點(diǎn)模糊，增長點(diǎn)來自哪里?似乎誰也說不清楚。　　SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。　　按市場調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長96%
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力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點(diǎn)燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個(gè)世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。　　今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。　　廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
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因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。　　廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布聯(lián)手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

　　隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3D IC時(shí)代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏輯IC堆疊的前段晶圓制程為主，爾必達(dá)則仍專注于存儲器領(lǐng)域，而力成則提供上述2家公司所需的封測服務(wù)，成為前后段廠商在 TSV 3D IC聯(lián)手合作的首宗案例。　　爾必達(dá)、力成和聯(lián)電將于21日在聯(lián)電聯(lián)合大樓舉行技術(shù)合作協(xié)議簽訂記者會。據(jù)了解，3家公司的董事長、執(zhí)行長和技術(shù)長
關(guān)鍵字： Elpida 3D IC