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Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

  • 　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
  • 關鍵字： Micron  NAND  Flash  

海力士預期今年營收將達10年高點

  • 　　由于目前存儲器供應短缺、供不應求，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預期2010年的營收可望達到10年來的最高點。 　　目前DRAM市場正處于供不應求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對個人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年PC銷量就可能較2009年增加10%，帶動了DRAM的需求量上升。 　　另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動設備的市場規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節(jié)
  • 關鍵字： Hynix  NAND  存儲器芯片  

閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于來自高密度應用的需求上升以及供應商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長，NAND閃存價格波動了兩年之后，該市場已恢復穩(wěn)定。 　　第一季度NAND平均價格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。 　　NAND價格持續(xù)透明，導致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需
  • 關鍵字： 閃存  NAND  

三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓元

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 　　YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當?shù)貢r間
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  NAND  

三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓圜

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 　　Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  NAND  

三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠再遭斷電事故侵擾

  • 　　韓國三星電子公司近日表示本月24日下午，其設在Kiheung地區(qū)的一個NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故，不過據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小 時的斷電并沒有對其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著影響。 　　據(jù)三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負責為三星生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬/13萬片晶圓。 　　無獨有偶，20
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  晶圓  

東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開工建造

  • 　　東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現(xiàn)有的生產(chǎn)運營中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠，這間芯片廠將于今年七月份開始動工。目前，東芝設在四日市的生產(chǎn)運營中心 已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經(jīng)濟危機，而NAND閃存芯片的市場需求也一度相當萎靡，但近期隨著智能手機和其它應用型產(chǎn) 品的熱銷，閃存芯片的市場需求已經(jīng)開始回暖，而且未來一段時間內(nèi)還將保持增長趨勢，因此東芝最終作出了開工建造Fab5芯片廠的決定。 　　按照東芝的計劃，其Fab5工廠將于明年春季完工，而后期的投資力度和
  • 關鍵字： 東芝  NAND  閃存芯片  

DisplaySearch：今年液晶電視出貨量可望超過1.8億臺

  • 　　科技市調(diào)機構DisplaySearch 23日發(fā)表研究報告指出，拜3D、LED背光源等新興技術帶來的正面效應之賜，該機構決定將今(2010)年全球電視機出貨量上修逾1,000萬臺至2.28億臺，其中液晶電視出貨量更可望年增24%至超過1.8億臺。此外，該機構并預期，2010年LED背光液晶電視出貨量將由09年的360萬臺攀升至超過3,500萬臺，占整體液晶電視出貨量的20%. 　　DisplaySearch指出，2009年液晶電視價格平均價滑24%,跌幅創(chuàng)下新高紀錄，進而帶動銷售量成長逾32%.該機
  • 關鍵字： 3D  LED背光源  液晶電視  

索尼停產(chǎn)OLED TV 三星LG反加碼布局

  • 　　近期Sony暫停OLED電視在日本的銷售與生產(chǎn)，日前Samsung與LG卻宣示加碼布局中大尺寸OLED市場，并分別將于2011年和2010年5月推出OLED筆記本電腦及電視。 　　目前，Sony為全力搶攻3D顯示器事業(yè)版圖，加上認為短期內(nèi)看不到OLED電視的市場獲利，已大幅縮減大尺寸OLED面板的著力點。反觀Samsung、LG可支配的研發(fā)資源較多，除上游材料之外，其他供應鏈環(huán)節(jié)均可自行發(fā)展，因此兩大面板廠商投入中大尺寸OLED市場的積極度，將可為觀察OLED電視能否達成商品化的一大指標。 　　為
  • 關鍵字： Sony  OLED  3D  顯示器  

NAND Flash控制芯片業(yè)淘汰賽登場　SSD時代加速產(chǎn)業(yè)整合

  • 　　NAND Flash控制芯片市場曾吸引眾多IC設計業(yè)者爭相投入，隨著快閃記憶卡市場飽和，以及固態(tài)硬碟(SSD)競爭對手環(huán)伺，過去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時代已不再，未來NAND Flash大廠對于控制芯片業(yè)者而言，恐怕不再是大樹好乘涼，尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進SSD時代后，由于用在PC的零組件輕忽不得，遂紛收回控制芯片采購權，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片產(chǎn)業(yè)勢必將展開一波整合及淘汰賽。 　　N
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  IC設計  

東芝重啟產(chǎn)能擴展計劃 新閃存生產(chǎn)廠7月開工

  • 　　日本最大的內(nèi)存芯片廠商東芝將重啟因經(jīng)濟衰退而擱置的產(chǎn)能擴展計劃，它將從7月開始建設新的閃存生產(chǎn)廠。 　　東芝表示，新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產(chǎn)線，預計在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產(chǎn)廠的建設成本。 　　包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機銷售的增長，推動了NAND內(nèi)存需求的增長。據(jù)市場調(diào)研公司 iSuppli預計，NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達到181億美元。 　　東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模，但是建立新
  • 關鍵字： 東芝  內(nèi)存芯片  NAND  

Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售

  • 　　Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。 　　IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領域的制造工藝首次進軍到30nm之下，并應用了沉浸式光刻技術。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總容量8GB，相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內(nèi)核面積卻小了十分之一。 　　Intel NA
  • 關鍵字： Intel  NAND  25nm  

09年半導體產(chǎn)業(yè)下滑 亞太供應商表現(xiàn)出色

  • 　　2009年全球半導體產(chǎn)業(yè)急劇下滑，但亞太的芯片廠商安然無恙?？偛吭趤喬貐^(qū)的半導體供應商，2009年合計營業(yè)收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。 　　“去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡，而亞太地區(qū)的供應商卻設法實現(xiàn)了增長，因為他們專注于熱門半導體產(chǎn)品而且受益于該地區(qū)的強勁需求，”iSuppli公司市場情報服務資深副總裁Dale Ford表示，“
  • 關鍵字： 半導體  NAND  LED  

3D產(chǎn)業(yè)迅速成長 標準制定緊急跟上

  • 　　隨著3D立體視像、全息影像等技術不斷取得突破性進展，3D立體技術和產(chǎn)品正革命性地影響和改變著人們的溝通、工作和生活方式。3D立體技術不僅在工業(yè)領域得到廣泛應用，推動傳統(tǒng)信息化的升級，而且其正悄悄地融入個人娛樂與數(shù)字家庭的諸多領域，如電影、電視、動畫、游戲、通訊、攝影、攝像、購物、互聯(lián)網(wǎng)等。3D立體消費電子時代已經(jīng)開啟，它必將對傳統(tǒng)生活形態(tài)產(chǎn)生巨大的影響，催生一條全新的產(chǎn)業(yè)鏈，帶來更為可觀的經(jīng)濟效益。 　　目前，雖然3D在大多數(shù)消費者眼中還僅僅是一種概念，但由此產(chǎn)生的3D立體產(chǎn)業(yè)發(fā)展將會是一場劃時代的
  • 關鍵字： 3D  數(shù)字家庭  

未來FPD三大趨勢: 綠能、3D與觸控

  • 　　在 2009年日本橫濱舉辦的「平面顯示器應用產(chǎn)品展覽會暨研討會」中，國際大廠包括SHARP、Samsung、LG Display、AUO、CMO等臺灣、日本及韓國廠商，紛紛推出在綠色節(jié)能設計方案，特別是省電技術優(yōu)勢的E-Paper Display、AM-OLED、LED Backlight、以及Pixel in Memory等領域 　　在 2009年日本橫濱舉辦的「平面顯示器應用產(chǎn)品展覽會暨研討會」中，國際大廠包括SHARP、Samsung、LG Display、AUO、CMO等臺灣、日本及韓國廠商
  • 關鍵字： Samsung  FPD  綠能  3D  觸控  
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