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3D ToF相機于物流倉儲自動化的應(yīng)用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時測距(Time of Flight;ToF)技術(shù),在物流倉儲現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料,確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢,加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā),隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài),導(dǎo)致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長;于此同時,人員移動的管制,也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題,加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程,進而大量導(dǎo)入無人搬運車AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
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3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
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3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
- 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展,因為它能推動存儲器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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是德科技攜手泰爾終端實驗室(CTTL) 完成首個CTIA MIMO OTA動態(tài)信道模型測試系統(tǒng)驗證
- · 此次合作成功驗證 5G NR FR1 首個動態(tài) MIMO OTA信道模型· 該解決方案可以對不同的終端設(shè)備制造商以及芯片組供應(yīng)商的實際性能進行測試驗證是德科技(Keysight Technologies, Inc.)日前宣布,該公司與泰爾終端實驗室依據(jù)CTIA定義的5G NR FR1標(biāo)準(zhǔn)要求,共同構(gòu)建了首個 MIMO OTA動態(tài)信道模型測試和終端用戶設(shè)備性能驗證系統(tǒng)。是德科技攜手泰爾終端實驗室(CTTL)
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

- 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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平面→立體,3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則?
- 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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MIMO系統(tǒng)與波束賦形(上篇)
- MIMO 是multi-input multi-out put 系統(tǒng)的縮寫,從字面上來看任何具有多個發(fā)射和多個接收天線的無線系統(tǒng)都可以稱為MIMO。除了MIMO之外,還有single-input multiple-output (SIMO),multiple-input single-output (MISO) 這些只在發(fā)射端或接收端有多個天線的準(zhǔn)多天線系統(tǒng)。MIMO概述MIMO 是multi-input multi-out put 系統(tǒng)的縮寫,從字面上來看任何具有多個發(fā)射和多個接收天線的無線系統(tǒng)都可以稱
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外媒:存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”

- 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設(shè)計分析方面的杰出表現(xiàn),近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計,這一事件引起了我們極大的關(guān)注?!?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
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