3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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西門(mén)子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場(chǎng)

●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對(duì)從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過(guò)程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門(mén)子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具，能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對(duì)?3D?
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西門(mén)子推出 Solido IP 驗(yàn)證套件，為下一代 IC 設(shè)計(jì)提供端到端的芯片質(zhì)量保證

●? ?西門(mén)子集成的驗(yàn)證套件能夠在整個(gè)IC設(shè)計(jì)周期內(nèi)提供無(wú)縫的IP質(zhì)量保證，為IP開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)提供完整的工作流程西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗(yàn)證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動(dòng)化簽核解決方案，可為包括標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲(chǔ)器和 IP 模塊在內(nèi)的設(shè)計(jì)知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設(shè)計(jì)視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認(rèn)證，能夠提升完整芯
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開(kāi)發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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全球芯片設(shè)計(jì)廠商TOP10：英偉達(dá)首次登頂

得益于人工智能需求激增推動(dòng)的英偉達(dá)營(yíng)收大增，全球前十大芯片設(shè)計(jì)廠商在去年的營(yíng)收超過(guò)了1600億美元，英偉達(dá)也首次成為年度營(yíng)收最高的芯片設(shè)計(jì)廠商。
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欠電壓閉鎖的一種解釋

了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險(xiǎn)操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升，仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對(duì)我們3D視覺(jué)相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(zhǎng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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2026年，中國(guó)大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一

根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示，2026年，中國(guó)大陸將超越韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū)，而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國(guó)大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場(chǎng)份額。此外，KnometaResearch預(yù)計(jì)，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長(zhǎng)率為4.5%，2025年和2026年增長(zhǎng)率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國(guó)大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2025年，中國(guó)大陸的產(chǎn)能份額
關(guān)鍵字： IC 晶圓半導(dǎo)體市場(chǎng)

3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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國(guó)家電網(wǎng)能源專家：為實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)，我國(guó)能源系統(tǒng)的發(fā)展方向

2023年9月27日，在“2023北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC WORLD大會(huì)”期間，舉辦了一場(chǎng)關(guān)于雙碳、可持續(xù)發(fā)展的研討會(huì)——“集成電路下的綠水青山”。國(guó)家電網(wǎng)能源研究院原副院長(zhǎng)、首席能源專家胡兆光教授分享了我國(guó)能源行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)方向。
關(guān)鍵字： 202403 雙碳 IC WORLD