3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
關(guān)鍵字： NAND 3D NAND

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
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基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤(pán)傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國(guó)上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的 2023中國(guó)（上海）機(jī)器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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愛(ài)芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA

中國(guó) 上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲聚勢(shì)未來(lái)”為主題的2023中國(guó)·南沙國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開(kāi)幕式上，愛(ài)芯元智創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼CEO仇肖莘博士受邀發(fā)表《普惠智能的星辰大?！分黝}演講，向與會(huì)嘉賓分享了對(duì)邊緣側(cè)、端側(cè)人工智能的看沙法，并解讀愛(ài)芯元智2.0時(shí)代戰(zhàn)略規(guī)劃和業(yè)務(wù)布局。聚焦感知與計(jì)算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應(yīng)大灣區(qū)國(guó)家戰(zhàn)略而搭建的集成電路產(chǎn)業(yè)論壇。2022年6月，國(guó)務(wù)院正式
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格力1.5億元參設(shè)創(chuàng)投基金，重點(diǎn)投資孵化IC等產(chǎn)業(yè)

珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金成立暨項(xiàng)目簽約儀式舉行。據(jù)悉，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金由珠海賽納科技有限公司聯(lián)合格力集團(tuán)、正方集團(tuán)共同組建，計(jì)劃規(guī)模8億元，重點(diǎn)投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)。格力集團(tuán)消息稱(chēng)，格力集團(tuán)旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團(tuán)、正方集團(tuán)三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金”協(xié)議，基金擬投資企業(yè)珠海諾威達(dá)電機(jī)有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項(xiàng)目落地協(xié)議。
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DRAM迎來(lái)3D時(shí)代？

3D DRAM 領(lǐng)域的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫。
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IC 設(shè)計(jì)市況不明

IC 設(shè)計(jì)市場(chǎng)氣氛詭譎難辨，相關(guān)公司只能邊走邊看。
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案

1. CPU Vcore 簡(jiǎn)介:VCORE轉(zhuǎn)換器（調(diào)節(jié)器）是在臺(tái)式個(gè)人電腦、筆記本式個(gè)人電腦、服務(wù)器、工業(yè)電腦等計(jì)算類(lèi)設(shè)備中為CPU（中央處理器）內(nèi)核或GPU（圖形處理器）內(nèi)核供電的器件，與普通的POL（負(fù)載點(diǎn)）調(diào)節(jié)器相比，它們要滿(mǎn)足完全不同的需要：CPU/GPU都表現(xiàn)為變化超快的負(fù)載，需要以極高的精度實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿(mǎn)足一定的負(fù)載線要求，需要在不同的節(jié)能狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，需要提供不同的參數(shù)測(cè)量和監(jiān)控。在VCORE轉(zhuǎn)換器與CPU之間通常以串列
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什么是混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)？

在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對(duì)于一些壓電加速度計(jì)，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中?，F(xiàn)代 IC 通常由來(lái)自各個(gè)領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個(gè) IC 上的每個(gè) IC 設(shè)計(jì)域，或包含各種半導(dǎo)體工藝和子 IC 的封裝。本簡(jiǎn)介概述了典型混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)流程的視圖——同時(shí)具有模擬和數(shù)字電路的 IC 設(shè)計(jì)流程。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器——
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德州儀器推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的獨(dú)立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設(shè)計(jì)

中國(guó)上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的獨(dú)立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實(shí)施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能，同時(shí)滿(mǎn)足 EMI 監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。隨著電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項(xiàng)關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實(shí)驗(yàn)室 Kilby Labs 針對(duì)新概念和突破性想法的創(chuàng)新開(kāi)發(fā)，新的獨(dú)立式有源 EMI 濾波器 I
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱(chēng)，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱(chēng)這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱(chēng)號(hào)。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
關(guān)鍵字：芯和半導(dǎo)體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)