3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒

高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導(dǎo)體設(shè)計(jì)版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒錯(cuò)，“吸金”，各種資金正從各種投資計(jì)劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個(gè)人工智能資本支出空前高漲的時(shí)代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準(zhǔn)確估量。但不可否認(rèn)的是，就在英偉達(dá)（Nvidia）、AMD等公司的高性能計(jì)算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點(diǎn)的同時(shí)，用于存儲(chǔ)訓(xùn)練和推理模型的高帶寬內(nèi)存同樣迎來了屬于
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)中心 DRAM

SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達(dá)70%

4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計(jì)占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營收與市占率的增長至少會(huì)持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
關(guān)鍵字： SK海力士三星 DRAM

美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM NAND HBM 三星美光 SK海力士

下游客戶庫存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國際形勢變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季因應(yīng)國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產(chǎn)線供料穩(wěn)定，庫存水
關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢 DRAM

美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV

美光經(jīng)過多代驗(yàn)證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點(diǎn)的誕生。
關(guān)鍵字：美光1γ DRAM

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
關(guān)鍵字： 3D DRAM

美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來計(jì)算需求

美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設(shè)計(jì)的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節(jié)點(diǎn)?DDR5?內(nèi)存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM?節(jié)點(diǎn)的這一新里程碑將推動(dòng)從云端、工業(yè)、消費(fèi)應(yīng)用到端側(cè)?AI?設(shè)備（如?AI PC、智能手
關(guān)鍵字：美光 1γ DRAM DRAM

消息稱三星芯片部門負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪問英偉達(dá)

2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國英偉達(dá)總部進(jìn)行訪問。此次訪問的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透露，英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計(jì)，此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計(jì)劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
關(guān)鍵字：三星芯片 1b DRAM 樣品英偉達(dá)

紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)

日前，紫光國微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
關(guān)鍵字：紫光國微 2D/3D 芯片封裝

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
關(guān)鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻

SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

據(jù)韓媒報(bào)道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個(gè)以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求，預(yù)計(jì)SK海力士將在2月初正式啟動(dòng)1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。
關(guān)鍵字： SK海力士 1c納米 DRAM

?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

三星Galaxy S25系列可能會(huì)選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對三星內(nèi)存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報(bào)道指出因良率問題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門未能按時(shí)足量向三星MX（移動(dòng)體驗(yàn)）部門交付Galaxy S25系列手機(jī)開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門的手
關(guān)鍵字： ?三星 Galaxy S25 內(nèi)存美光 DRAM LPDDR5X

買方采購策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機(jī)等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將擴(kuò)大至8%至13%，若計(jì)入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預(yù)計(jì)下跌0%至5%。PC DRAM價(jià)格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱，DRAM價(jià)格反
關(guān)鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢

李飛飛對計(jì)算機(jī)視覺的愿景：World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
關(guān)鍵字：李飛飛對計(jì)算機(jī)視覺的愿景：World Labs 正在為機(jī)器提供 3D 空間智能

美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片

12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴(kuò)建
關(guān)鍵字：美國美光科技生產(chǎn)芯片半導(dǎo)體 DRAM 內(nèi)存芯片存儲(chǔ)芯片