首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 32gb ddr5

美光推高速內(nèi)存 效能增5成

  • 美光的新一代內(nèi)存，目前已出貨給數(shù)據(jù)中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴(kuò)大運算能力，并以更高效能輔佐數(shù)據(jù)中心及客戶端平臺，支持AI訓(xùn)練及推論、生成式AI、數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫等。美光推出的16Gb DDR5內(nèi)存，以其領(lǐng)先1β制程節(jié)點技術(shù)，美光1β DDR5 DRAM的內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達(dá)7,200MT／s，相較于前一代產(chǎn)品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品，在現(xiàn)有模塊化密度中，速率可達(dá)4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數(shù)據(jù)中心及客戶端應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 美光  高速內(nèi)存  DDR5  

DDR5時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

  • 在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動了計算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。如今，無論是 PC、筆電還是人工智能，各行業(yè)正在加
  • 關(guān)鍵字： DDR5  Cadence  Sigrity X  

美光訂價能力升 營運露曙光

  • 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務(wù)長Mark Murphy先前透露，若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測價格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強(qiáng)，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評等及目標(biāo)價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標(biāo)價從75美元調(diào)高到
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
  • 關(guān)鍵字： 三星  12納米  DDR5  DRAM  

瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅(qū)動器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  時鐘驅(qū)動器  RCD  DDR5  DIMM  

美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內(nèi)存

  • IT之家 6 月 7 日消息，內(nèi)存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進(jìn)制內(nèi)存，雙槽即可實現(xiàn) 96GB，四個內(nèi)存插槽全插滿可實現(xiàn) 192GB 的內(nèi)存容量。美光今天宣布開始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當(dāng)于 DDR4 內(nèi)存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務(wù)器領(lǐng)域主要使用的內(nèi)存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  

DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  NAND  DDR5  

海力士完成業(yè)界首個 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗證流程

  • IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強(qiáng)處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗證。海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個針對
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DDR5  

三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

  • 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  

功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

  • IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
  • 關(guān)鍵字： 三星  DDR5  DRAM  

DDR5：SK 海力士暫時領(lǐng)先，但三星不容小覷

  • 市場買新不買舊，但 DDR5 不是最優(yōu)解？
  • 關(guān)鍵字： DDR5  SK 海力士  

三星、美光等推動普及，DDR5正進(jìn)入放量期

  • 在行業(yè)下行周期時，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會成為振奮市場的關(guān)鍵點。當(dāng)下DDR5 DRAM作為存儲領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點。據(jù)外媒消息報道，行業(yè)專家認(rèn)為三星、美光等公司正大力推動DDR5內(nèi)存普及，以此遏制半導(dǎo)體市場下滑的趨勢。公開資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據(jù)悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節(jié)點，例如D1z或D1a (D1α)代，這是1
  • 關(guān)鍵字： 三星  美光  DDR5  

DDR5 Server DRAM 價格跌幅將收斂

  • 集邦咨詢預(yù)估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務(wù)器內(nèi)存）價格跌幅將收斂，由原預(yù)估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
  • 關(guān)鍵字： DDR5  DRAM  

DDR5服務(wù)器DRAM價 Q2跌幅料收斂

  • 服務(wù)器新平臺英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出服務(wù)器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問題。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（Trendforce）認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重，另外內(nèi)存將停留在舊制程，因此預(yù)估第二季DDR5服務(wù)器DRAM價格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的電源管理IC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5服務(wù)器DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難
  • 關(guān)鍵字： DDR5  服務(wù)器DRAM  Trendforce  
共98條 2/7 « 1 2 3 4 5 6 7 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473