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美光推進DDR5內(nèi)存芯片:2019年底量產(chǎn)
- 盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標準尚未定案,Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年底量產(chǎn)?! ∈聦嵣?,早在今年5月,Cadence就展示了首款DDR5內(nèi)存驗證模組,DRAM來自美光,接口層自研,采用臺積電7nm工藝,數(shù)據(jù)率可達4400MT/s,也就是頻率高達4400MHz?! 「鶕?jù)美光的最新說法,其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產(chǎn),基于18nm以下工藝,這就意味著,搭載DDR5內(nèi)存模組的系統(tǒng)最快2020年面世?! “凑者M度,JEDEC
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DDR5內(nèi)存標準正在制定:比DDR4快兩倍!
- 內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計劃明年定稿。 據(jù)悉,用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。 同時,針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設(shè)備,還會推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對其前景并不看好,反而認為DDR內(nèi)存時代將在DDR4生命周期結(jié)束時謝幕。 分析師認為,DDR5會首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域,隨后才會逐漸向下普及。但
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DDR5內(nèi)存標準正在制定:比DDR4快兩倍!
- 內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計劃明年定稿。 據(jù)悉,用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。 同時,針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設(shè)備,還會推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對其前景并不看好,反而認為DDR內(nèi)存時代將在DDR4生命周期結(jié)束時謝幕。 分析師認為,DDR5會首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域,隨后才會逐漸向下普及。但
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DDR5內(nèi)存詳細規(guī)格公布:2020年普及
- 今天,鎂光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細規(guī)格。作為DDR4內(nèi)存的繼任者,DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看,DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步,最高可達單條32GB,I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps,同時電壓1.1V,內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。 此外,鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將從3200Mhz起步,主流內(nèi)存頻率可達6400Mhz。 同時,鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內(nèi)存樣品,并將在2019年實現(xiàn)正式量產(chǎn)。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計
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DDR5顯存HD5770實物拆解
- 自AMD發(fā)布中端定位的DirectX 11顯卡Radeon HD 5770以來,就一直面臨著缺貨的困擾。一個月左右時間都沒有大規(guī)模上市。今天我們從盈通得到消息,盈通確定旗下盈通R5770-1024GD5豪華版顯卡已經(jīng)供貨正常,產(chǎn)品到貨大規(guī)模并陸續(xù)上市。 盈通R5770-1024GD5豪華版采用強大的AMD RV840核心制造。擁有800個流處理器單元,完美支持DirectX 11,浮點運算性能也順利突破了1T,是目前最值得中高端用戶選購體驗的新一代產(chǎn)品。這款顯卡的默認核心/顯存頻率高達850
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32gb ddr5介紹
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