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12 納米 文章 最新資訊

納米測量:探索未知的微觀世界

  • 納米技術(shù)概述   納米科技的到來,為人們對傳統(tǒng)客觀世界的認知帶來了一場革命??茖W(xué)家們發(fā)現(xiàn),當(dāng)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)單元(如晶?;蚩紫?小到納米量級(范圍為0.l納米至100納米)時,物質(zhì)的性質(zhì)發(fā)生了重大變化,不僅大大改善了原有材料的性能,甚至?xí)哂行碌牧钊朔艘乃嫉男阅芑蛐?yīng)。如果能在100nm以下空間尺度內(nèi)對這些原子分子進行觀察、移動和測量,那就能更近距離地理解這些系統(tǒng)是如何工作的,從而對材料進行加工、制造出具有特定功能的產(chǎn)品,或用各種方法來改進這些系統(tǒng),使它們更加安全、保密、健康。而這種研究100nm以下的技術(shù)
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微機保護中DSP與時鐘DS12CR887的接口設(shè)計

  • 系統(tǒng)中其他外圍電路的控制方法和原理與時鐘芯片完全類似,以此方法可以搭建一個通用性強、性能穩(wěn)定的硬件平臺,再通過各種具體的保護應(yīng)用軟件,從而實現(xiàn)各種具體功能的微機保護裝置。
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我國納米科技論文總數(shù)已位居世界前列

  • 毫無疑義,納米科技是當(dāng)今世界科技發(fā)展的一個熱門領(lǐng)域,也是科學(xué)家和百姓眾說紛紜的一個前沿科學(xué)話題。在剛剛創(chuàng)刊的《前沿科學(xué)》雜志上,刊載了中國科學(xué)院院士白春禮和中國國家納米科學(xué)中心研究員裘曉輝撰寫的《中國納米科技研究的進展》一文。在這篇論文中,作者總結(jié)了過去十年中國在納米科技的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究中取得的重要進展,概述了中國科技人員近期在納米科技的部分研究領(lǐng)域中所取得的突出成就,并且就我國納米科技發(fā)展過程中存在的一些問題進行了分析。     近日,記者采訪了裘曉輝研究員,請他向本報讀者介紹中國納
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安捷倫推出具有完全抖動注入功能的7Gb/s和12.5Gb/s碼型發(fā)生器

  •   安捷倫推出帶有完全抖動注入能力的J-BERT N4903A 7 Gb/s和12.5 Gb/s碼型發(fā)生器。設(shè)計和測試工程師現(xiàn)在可以使用所有類型的抖動快速精確地激勵串行高速端口,以確保更高質(zhì)量的設(shè)備性能表征。Agilent J-BERT N4903A碼型發(fā)生器可與示波器、內(nèi)置誤碼檢測器或其他分析儀連用。   計算機行業(yè)正在推出使用PCI Express、串行高級技術(shù)附件和全緩沖DIMM(雙列直插內(nèi)存模塊)等技術(shù)的下一代多千兆位設(shè)備。工程
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幾中較新的納米聚合物傳感器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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納米技術(shù)與生物傳感器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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德州儀器推出12 與 14 位 210 MSPS ADC

  • 德州儀器推出12 與 14 位 210 MSPS ADC 壯大高速 ADC 產(chǎn)品陣營 設(shè)計人員可選擇全新高性能 ADC 以滿足應(yīng)用對于速度與分辨率的要求  日前,德州儀器 (TI) 宣布其引腳兼容型高速 ADS5546 產(chǎn)品系列又添兩款新成員—— 12 與 14 位 210 MSPS&nb
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

  • ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存儲器接口,支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
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應(yīng)用M68HC908LJ12設(shè)計單相復(fù)費率電能表

  • 本設(shè)計充分利用了內(nèi)部的功能模塊,減少了外圍電路、降低了成本,同時提高了整機的可靠性,所設(shè)計的電能表在市場上很具競爭力。
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專家稱納米公司前景黯淡 人才技術(shù)不足

  •       據(jù)某分析師指出,雖然中國半導(dǎo)體制造商納米技術(shù)公司(Nanotech Corp.)在得到Intel的鼎力相助之后得以順利成立,但其前景不被看好。   2004年,Intel和納米技術(shù)公司達成了協(xié)議,通過納米技術(shù)公司將Intel的CPU制造工藝和設(shè)備首次引入中國。   Intel授權(quán)納米技術(shù)公司使用Intel 0.35微米和0.25微米的CMOS技術(shù)和工藝。Intel還將幫助納米技術(shù)公司培訓(xùn)員工并售賣充足的200mm晶元設(shè)備給該公司以幫助其月產(chǎn)量達
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英飛凌與中芯國際合作擴展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域

  •      英飛凌和中芯國際近日共同宣布,雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議,進一步擴展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片(DRAM)產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作,開始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。         根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容,英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國際,并可以在未來期間靈活進行其70納米技術(shù)的進一步轉(zhuǎn)讓。因此,中芯國際將為英飛凌獨家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)
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歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸

  •    近日,研發(fā)人員在開發(fā)納米級芯片時遇到的重大難題——功率泄漏(power leakage),看起來有了福音。為了解決這一瓶頸問題,歐盟向某一研發(fā)團體協(xié)會資助550萬美元以解決這一難題。   該協(xié)會的主要成員STMicroelectronics在當(dāng)?shù)貢r間周二(北京時間周三)發(fā)布的一份聲明中稱,該協(xié)會的研發(fā)項目旨在改進下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計,解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問題。   據(jù)悉,該項稱為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏
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英特爾推出采用65納米技術(shù)四核移動芯片

  •       近日,英特爾正式宣布新處理器的的價格和名稱。新推出的四款四核移動Yonah芯片,分別為T2300、T2400、T2500和T2600,另外一款單核芯片為T1300。這次的產(chǎn)品定價主要是針對英特爾的大宗客戶,即購物數(shù)量在1000以上的用戶。    單核T1300價格為209美元,而四核芯片T2300、T2400、T2500和T2600的價格分別為241美元、294美元、423美元和637美元。上述芯片都采用65納米生產(chǎn)技術(shù),時鐘頻率為T
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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將由硅技術(shù)向納米過渡

  •   日前,最新發(fā)布的一份名為《全球半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》的報告顯示,全球主要的半導(dǎo)體廠商正在規(guī)劃“后硅晶體管”時代的藍圖。據(jù)悉,該報告是由歐洲、日本、韓國、中國臺灣和美國的主要半導(dǎo)體廠商聯(lián)合發(fā)布的,主要致力于尋求未來的半導(dǎo)體制造技術(shù)。   雖然當(dāng)前的傳統(tǒng)硅技術(shù)仍擁有眾多優(yōu)勢,但無法長期適應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“摩爾定律”。據(jù)最新報告顯示,目前一種新的“納米轉(zhuǎn)換”技術(shù)比較可行,而且制造成本也相對低廉。研究人員預(yù)計到2015年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將從當(dāng)前的“硅技術(shù)”向“納米技術(shù)”過渡,因為當(dāng)前的硅技術(shù)也只能維持到2015年。
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新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布

  •     Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中,描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費性電路的超小型制程選項-使用傳統(tǒng)大量CMOS制程技術(shù)與45納米設(shè)計規(guī)則,在量產(chǎn)條件下建構(gòu)面積小于0.25平方微米的6晶體管結(jié)構(gòu)SRAM單元。    Crolles2是由飛思卡爾半導(dǎo)體、飛利浦、意法半導(dǎo)體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國Crolles的300毫米試產(chǎn)線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示
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