歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸

  　近日，研發(fā)人員在開發(fā)納米級芯片時遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來有了福音。為了解決這一瓶頸問題，歐盟向某一研發(fā)團(tuán)體協(xié)會資助550萬美元以解決這一難題。

　　該協(xié)會的主要成員STMicroelectronics在當(dāng)?shù)貢r間周二（北京時間周三）發(fā)布的一份聲明中稱，該協(xié)會的研發(fā)項目旨在改進(jìn)下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計，解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問題。

　　據(jù)悉，該項稱為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏時發(fā)生在65納米以下技術(shù)中納米電路的一個障礙，STMicroelectronics稱半導(dǎo)體設(shè)計工藝和加工方面的新問題需要共同努力加以解決。

　　CLEAN的主要目標(biāo)在于研發(fā)新一代功率泄漏模式，設(shè)計工藝和泄漏控制技術(shù)及電子設(shè)計自動（EDA）工具,該工具能自動完成設(shè)計的部分工作，而以目前的技術(shù)是難以實現(xiàn)的。

　　該研發(fā)協(xié)會包括14個合作成員，其中包括英飛凌、ChipVision Design Systems、丹麥理工大學(xué)、布達(dá)佩斯技術(shù)與經(jīng)濟(jì)大學(xué)等。