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存儲器價格為何居高不下？

  • 存儲器價格較高不再只是因為供需失衡。
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

存儲器“漲”勢不停 中國有望填補產能缺口

  • 存儲器作為智能手機，電腦，智能手表等終端產品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會導致整個產業(yè)鏈供應失衡，終端產品也將面臨著無貨可用的尷尬。
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

服務器DRAM大熱賣、報價季季漲 南亞科宜鼎受惠

  • 　　今年下半年英特爾及超微積極推出服務器新平臺，英特爾Purley平臺已經開始出貨，超微EPYC服務器處理器也開始放量出貨，而在云端運算、人工智能的帶動下，服務器用DRAM需求大爆增，服務器用DRAM本季報價又調漲一成，第四季續(xù)漲態(tài)勢無疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢下，專攻服務器DRAM的南亞科與宜鼎，將會大受益。 　　DRAM因缺乏新廠產能開出，業(yè)者多采制程推進增加有限產出，但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長，帶動今年以來DRAM供需持續(xù)吃緊，尤其在產能排擠效益下，服務器DRAM合約價今年上半年已大漲逾4成幅度
  • 關鍵字： 服務器  DRAM  

全球半導體企業(yè)紛紛爭霸 中國成為“攪局者”

  • 　　在智能化飛速發(fā)展的今天，全球半導體行業(yè)風云變幻，傳統(tǒng)代表廠商相互競爭日益激烈。而中國正逐漸成為“攪局者”，紫光的全球并購拉開了中國半導體產業(yè)登上國際舞臺的序幕。然而現(xiàn)在來看，前途仍然充滿荊棘! 　　國內掀起半導體產業(yè)并購熱 　　半導體作為世界性產業(yè)，體現(xiàn)著一個國家的綜合實力。在日本，半導體被稱為“產業(yè)大米”，是所有電子產品生產不可或缺的一種原料之一。 　　8月23日晚，中國紫光集團斥資240億美元開始興建國內首座先進存儲芯片廠，消息一經傳出，引得國
  • 關鍵字： DRAM  臺積電  

全球DRAM供應量不足 HPE內存價格暴漲

  • 　　據消息人士透露，HPE公司自今日起將其服務器內存價格提高了20%，由于目前正處于全球范圍內DRAM供應量短缺的恢復階段，因此該服務器的相關組件成本較以往更高，從而導致了此番HPE服務器內存價格上漲。與此同時，各DRAM廠商亦迎來創(chuàng)紀錄的銷售額新高。 　　   　　在一封發(fā)送給貿易客戶的郵件中，HPE公司談到了涉及了這一定價變動，并解釋稱：“8月21日星期一，HPE將老版本與低容量內存SKU的建議銷售價格提升10%至20%。” 　　以下內存產品將受到影響：
  • 關鍵字： DRAM  HPE  

MRAM接班主流存儲器指日可待

  • 　　隨著更多業(yè)者進入MRAM市場，STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機及其可能取代現(xiàn)有主流存儲器技術的未來前景。 　　或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
  • 關鍵字： MRAM  DRAM  

三星移動DRAM逆勢調漲 SK海力士或可望受惠

  • 　　傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智能手機業(yè)者，協(xié)商提高移動DRAM(Mobile DRAM)價格過程占了上風，將有助于2017年下半的半導體事業(yè)獲利表現(xiàn)。三星電子這項舉動，可望讓同為韓國存儲器大廠的SK海力士(SK Hynix)跟著受惠。 　　韓媒Business Post引述業(yè)界看法，指出三星電子預計從2017年第4季起，針對大中華地區(qū)智能手機業(yè)者，祭出10~20%的移動DRAM價格調漲策略，部分韓媒則是指出，三星電子這項舉動僅針對部分中低價智能手機業(yè)者。 　　韓國業(yè)界
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

紫光國芯又有動作 下一代DRAM產品開發(fā)進展順利

  • 　　8月21日晚，據紫光國芯發(fā)布的2017上半年財報顯示，公司上半年盈利1.23億元，同比下降17.86%。新產品開發(fā)方面，紫光國芯最新開發(fā)完成的NAND Flash已經開始了市場推廣，下一代DRAM產品開發(fā)進展順利。 　　作為中國半導體行業(yè)的龍頭企業(yè)，紫光國芯表示，受公司持續(xù)加大可編程系統(tǒng)芯片、存儲器芯片的研發(fā)投入等眾多因素的影響，使得上半年凈利潤下滑。 　　據了解，紫光國芯主營業(yè)務為集成電路芯片設計與銷售，并致力于向用戶提供先進的芯片設計產品以及專業(yè)的芯片解決方案。產品主要包括智能卡芯片、特種集成
  • 關鍵字： 紫光  DRAM  

圍繞半導體芯片設計布局，紫光國芯下一代DRAM開發(fā)順利

  • 　　今年以來，全球集成電路市場增長迅速，我國集成電路產業(yè)在國家政策引導、市場需求拉動的雙重作用下，繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中，頗具產業(yè)代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡稱“紫光國芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國際合作”相結合的發(fā)展路徑，圍繞芯片設計核心業(yè)務，同時開拓了存儲器芯片、智能芯片等集成電路產品相關應用市場。 　　8月21日晚間，紫光國芯發(fā)布了2017上半年財報，財報顯示，公司上半年實現(xiàn)營收8.01億元，同比增長24.01%;歸
  • 關鍵字： 紫光國芯  DRAM  

DRAM持續(xù)火爆 再迎創(chuàng)紀錄的營收總值

  • 雖然全球DRAM供應短缺的問題正得到逐步緩解，但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續(xù)迎來創(chuàng)紀錄的營收總值。
  • 關鍵字： DRAM  芯片  

臺媒:大陸DRAM突破技術障礙還得靠臺灣

  • 　　據臺灣經濟日報報道，大陸積極發(fā)展內存產業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關鍵少數的重要性，業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 　　大陸的內存產業(yè)，目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動司法調查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。 　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊，仍如火如荼進行，并宣示明年要切入19nm生產DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技
  • 關鍵字： DRAM  聯(lián)電  

三大內存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內存供貨將短缺，沖擊產品上市或出貨時程。 　　集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴重。 　　業(yè)界表示，三大內存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

臺媒:大陸DRAM突破技術障礙還得靠臺灣

  • 　　據臺灣經濟日報報道，大陸積極發(fā)展內存產業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關鍵少數的重要性，業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 　　大陸的內存產業(yè)，目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動司法調查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。 　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊，仍如火如荼進行，并宣示明年要切入19nm生產DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技
  • 關鍵字： DRAM  SK海力士  

第二季PC DRAM合約價漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%

  • 　　集邦咨詢內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第二季的DRAM產業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務器用內存第二季價格上漲逾一成，行動式內存則因中國品牌手機廠下修出貨數量，價格僅小幅上漲5%內。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉進，大規(guī)模的擴張產能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
  • 關鍵字： DRAM  NOR  

并購路不易走 中國芯片產業(yè)如何實現(xiàn)自主替代？

  • 在海外并購道路障礙重重的情況下，我們通過培養(yǎng)積蓄人才來為中國創(chuàng)“芯”積攢力量，向2020年實現(xiàn)芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標前進，是更為有效地打破“缺芯”現(xiàn)狀實現(xiàn)自主替代的路徑。
  • 關鍵字： 芯片  DRAM  
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