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IC Insights：全球半導體2017年上調(diào)市場預測提升至22％

  • 　　據(jù)IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。 　　此外，IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調(diào)高5個百分點。 　　2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

2018年三大DRAM廠擴產(chǎn)有限，整體價格漲勢依舊

  • 　　近期，DRAM 價格持續(xù)大漲使許多廠商吃不消，陸續(xù)調(diào)漲產(chǎn)品價格，消費者也抱怨連連。這波漲勢何時停止，目前看來短期幾乎不可能，只能期望價格不要一次漲太多就已萬幸了。 　　集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新調(diào)查報告指出，進入第 4 季后，三星、SK 海力士、美光這三大 DRAM 顆粒廠商都基本規(guī)劃好 2018 年的發(fā)展。由于資本支出都趨保守，意味著大規(guī)模產(chǎn)能擴張已不可能，甚至制程技術前進的腳步也會緩下來。DRAM 大廠在 2018 年的首要目標，就是獲得持續(xù)且穩(wěn)定的利潤，價格至少維持 2017
  • 關鍵字： DRAM  晶圓  

淺談存儲器體系結構的未來發(fā)展趨勢

  • 淺談存儲器體系結構的未來發(fā)展趨勢-對存儲器帶寬的追求成為系統(tǒng)設計最突出的主題。SoC設計人員無論是使用ASIC還是FPGA技術，其思考的核心都是必須規(guī)劃、設計并實現(xiàn)存儲器。系統(tǒng)設計人員必須清楚的理解存儲器數(shù)據(jù)流模式，以及芯片設計人員建立的端口。即使是存儲器供應商也面臨DDR的退出，要理解系統(tǒng)行為，以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
  • 關鍵字： 存儲器  SOC  DRAM  

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

  • DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  存儲器  

觀存儲器產(chǎn)業(yè)：DRAM報價仍有上漲空間 NAND持續(xù)穩(wěn)定成長

  • 　　去年我們曾經(jīng)對存儲器產(chǎn)業(yè)進行分析，認為存儲器產(chǎn)業(yè)在2016～2017年是恢復秩序且有機會成長的產(chǎn)業(yè)，時至今日，雖然存儲器大廠持續(xù)邁向新制程發(fā)展，但由于市場寡占，主要大廠對于新產(chǎn)能擴充仍相當自律，加上電子化產(chǎn)品對于存儲器的需求持續(xù)提升，因此在這1年間，存儲器變成了洛陽紙貴的零組件。 　　尤其到了第3季旺季，存儲器需求更是熱絡，報價持續(xù)走揚，預期2017年對于存儲器產(chǎn)業(yè)來說將是豐收的1年，受惠智能手機存儲器容量升級，服務器/數(shù)據(jù)中心的強勁需求，2018年存儲器需求亦可望持續(xù)成長。 　　從需求部分來看，
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

Gartner：2017全球半導體產(chǎn)值預計大漲19.7％

  • 　　研調(diào)機構Gartner預估，今年全球半導體產(chǎn)值可望達4111億美元，將較去年成長19.7%，是7年來成長最強勁的一年。 　　Gartner指出，存儲器供不應求，尤其是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，是驅動今年整體半導體業(yè)產(chǎn)值成長的主要動力。隨著存儲器成本增加，材料清單成本高于電子設備部分，Gartner表示，已有代工廠調(diào)高價格因應。 　　展望未來，Gartner預期，明年全球半導體產(chǎn)值可望進一步攀高至4274億美元，將較今年再成長4%;只是隨著供應商增產(chǎn)，存儲器市場恐將反轉，2019年全球半導體產(chǎn)
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

LPDDR價格飆漲 2018年8GRAM依然供不應求

  • 　　據(jù)外媒報道，DRAMeXchange的最新報告指出，用于移動設備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%～15%。 　　此前，LPDDR的價格是低于PC、服務器等平臺的，但這些年需求越來越猛，生產(chǎn)企業(yè)們也開始打起高利潤的主意。所以，不排除一些已經(jīng)發(fā)布的千元機和尚未發(fā)布的千元機會在其售價上做出調(diào)整的可能。而旗艦機方面，因為本身緩沖空間較大，暫時不會受到?jīng)_擊。 　　因為DRAM在整個2018年的產(chǎn)能依然都弱于需求，預計安卓內(nèi)存的軍備競賽會暫時停留在8GB，甚至像三星、華為等依然維持6GB
  • 關鍵字： LPDDR  DRAM  

DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家？

  • DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
  • 關鍵字： DRAM  NAND   

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

  • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
  • 關鍵字： DRAM  NAND  RAM  

DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization

  • DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
  • 關鍵字： DRAM  

次世代記憶體換當家？關于新當家的那點事

  • 次世代記憶體換當家？關于新當家的那點事-據(jù)韓媒BusinessKorea報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術，成功實現(xiàn)10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構，理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。
  • 關鍵字： dram  fram  

DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization

  • DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個 Cell 的結構。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
  • 關鍵字： DRAM  Memory  Cells  

手把手教你FPGA存儲器項使用DRAM

  • 　　某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊(DRAM)，這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高?！　RAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以非?？臁ａ槍σ恍┨厥鈶?，比如：瞬時帶寬非常高，而且有要保存原始數(shù)據(jù)的時候，就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖。　　DRAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網(wǎng)中對應板卡的說明中都會標明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間。　　http://sine.ni.com/n
  • 關鍵字： FPGA  DRAM  

內(nèi)存條掀起的漲價潮：國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家

  • 　　“2017年DRAM價格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下，以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。 　　DRAM作為半導體存儲器的產(chǎn)品類型之一，常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條，主要的兩個應用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示，金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右，同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱，國產(chǎn)手機下半年仍會漲價，部分原因是內(nèi)存成本上升。 　　集邦咨詢半導體
  • 關鍵字： 內(nèi)存條  DRAM  

內(nèi)存條掀起的漲價潮：國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家

  • 存儲器作為一種根據(jù)庫存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè)，這一輪漲價大幅增加了國產(chǎn)智能手機和PC廠商的成本，目前部分智能手機已經(jīng)漲價，幅度在100~500元不等。
  • 關鍵字： DRAM  三星  
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