- 近年來,隨著移動通信、物聯(lián)網、智能制造等領域的快速發(fā)展,存儲器產品的應用市場也隨之逐步開拓,市場需求越來越大。
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存儲器 DRAM
- 內存、固態(tài)盤這一年來不斷漲價,但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計數(shù)據(jù)那是相當?shù)膰樔恕?/li>
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內存 DRAM
- 隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長,調研機構IC Insights預估,2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%,創(chuàng)下自2010年增33%以來,最佳年增紀錄。亦為2000年以來,第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數(shù)百分比。
2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%,NAND Flash年增35%。不過該機構亦指出,促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素,是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升,并不是受到DRAM與N
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IC DRAM
- 過去兩年來,隨著人工智能、物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)等應用的火熱發(fā)展,全球半導體產業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導體制造設備也因此成為全球增速最快的市場,且下游需求良好,前景可期。
通盤來看,全球前十大半導體廠,有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。
國外對于中國半導體發(fā)展采取的措施
眾所周知,半導體行業(yè)的技術主要是來自于美日韓半導體廠商的,他們在半導體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載,技術成熟,專利頗多,而對于中國近年內半導體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施,
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半導體 DRAM
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年,依然維持強勁上漲力道,今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元,漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元,亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%,預估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。
旺季需求與七月華亞科氣體事件,DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,時序進入下半年,DRAM產業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季,原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
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DRAM
- RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM,random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫,下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?! RAM:靜態(tài)隨機存儲器,就是它不需要刷新電路,不像動態(tài)隨機存儲器那樣,每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內存,一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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DRAM NAND
- IC Insights的報告顯示,DRAM及NAND Flash售價已經連續(xù)四個季度上漲。
不過因為原廠紛紛提出擴產計劃,IC Insights稍早憂心忡忡認為,未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲,都大舉提高3D NAND Flash產能,大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場,3D NAND Flash產能供過于求的可能性相當高。
近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元,進行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
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DRAM NAND
- 盛極而衰是自然規(guī)律,商業(yè)領域也是這樣。
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DRAM 東芝
- 自1970年,美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來,已經過去47年,美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進來,卻在輸光光之后黯然離場。目前,只有韓國三星和海力士,占據(jù)絕對壟斷地位,在DRAM市場呼風喚雨,賺得盆滿缽滿。
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DRAM Flash
- 第3季零組件缺貨情況持續(xù),而終端廠商考量營運壓力續(xù)轉嫁到PC終端售價之上,預料也將讓PC銷售回溫的力道受到影響,經此相關廠商得更強化零組件缺貨所可能造成的風險管控等才是。
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SSD DRAM
- 北京時間7月25日上午消息,韓國芯片制造商SK海力士周二稱,由于存儲芯片需求強勁,其第二季營業(yè)利潤較上年同期飆升574%,創(chuàng)有史以來新高,符合市場預期。
該財報刷新上次在第一季創(chuàng)下的歷史高位,SK海力士因而有望朝分析師所預估的史上最高年營業(yè)利潤13萬億韓元(約合786.54億人民幣)邁進。
SK海力士表示,4-6月獲利為3.1萬億韓元(約合187.56億人民幣)。營收增長70%至6.7萬億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長3%,平均售價上漲11%;NAND芯
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SK海力士 DRAM
- 以往半導體產業(yè)的競爭要素在產能擴大與降低成本,但制程愈趨于先進,研發(fā)難度提高,投資規(guī)模擴大不保證能帶來對等獲利。面對產業(yè)環(huán)境改變,SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術創(chuàng)新開拓全球市場。
據(jù)韓媒每日經濟報導,SK海力士計劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產比例,并持續(xù)增加14納米NAND Flash產量,以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力,提高事業(yè)獲利性。
SK海力士將持續(xù)以大規(guī)模研發(fā)投資提高技術競爭力。
資通訊技術發(fā)達帶動存儲器需求成長,移動裝置用DRAM及NAND Flash
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SK海力士 DRAM
- 根據(jù)全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的最新預測,2017年全球半導體總體收入將首度突破4,000億美元大關,達到4014億美元,較2016年增加16.8%。2010年全球半導體收入曾創(chuàng)下3000億美元的紀錄,更早之前則是在2000年超過了2000億美元?! artner研究副總裁Andrew Norwood表示:“存儲器的短缺正在帶動半導體市場的整體繁榮。由于存儲器廠商抬高DRAM和NAND的價格,其收入和利潤亦隨之增長?!薄 artner預計2017年存儲器市場的收入漲幅
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存儲器 DRAM
- 市場調研機構IC Insights表示,2017年DRAM和NAND型閃存銷售額都將創(chuàng)出歷史新高,而DRAM和NAND閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價格瘋漲。該機構預計,2017年DRAM出貨量同比下降,而NAND閃存也僅增長2%,閃存出貨量增長對存儲器銷售額創(chuàng)新高雖然是正面作用,但并非主要原因。
存儲器價格上漲始于2016年第二季度,到2017年上半年為止,每季度價格都持續(xù)向上走。如圖所示,從2016年第三季度,到2017年第二季度,DRAM價格季度平均增長率為16.8%,NAND閃存價格季度平均增
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存儲器 DRAM
- 據(jù)科技日報報道,記者從福建省晉江科技和知識產權局獲悉,福建省晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術開發(fā)”重大技術合同通過評審,相關技術將填補國內空白。
合同成交總金額達7億美元,其中技術交易額4億美元,折合人民幣26.0984億元,是目前國內經評審認定最大金額的單項技術合同。
評審會上,合同雙方通過技術合作開發(fā)的方式,開發(fā)DRAM相關制程技術,推動DRAM生產線的建設及技術國產化,將完善我國集成電路產業(yè)鏈。來自福建省內外的集成電路制造、技術合同管理、稅務及財務專家
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晉華 DRAM
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