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羅姆 文章 最新資訊

羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書，助力汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化和更低損耗！

  • 1. 前言近年來，隨著電動(dòng)汽車的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的普及，應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導(dǎo)體數(shù)量也與日俱增。其中，中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護(hù)電路，而被廣泛應(yīng)用在從手機(jī)到電動(dòng)汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)等各種電路和領(lǐng)域中，半導(dǎo)體廠商羅姆在這些領(lǐng)域中已經(jīng)擁有驕人業(yè)績(jī)（圖1）。                                 &
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)

  • 在功率開關(guān)器件最常見的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測(cè)試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對(duì)于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識(shí)SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況?！?nbsp;  具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MO
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汽車智能化加速落地, 羅姆為安全筑起高墻

  • 【導(dǎo)語(yǔ)】全球新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命正悄悄來臨，電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、共享化成為汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展潮流和趨勢(shì)。在汽車新四化的推動(dòng)之下，汽車電子電氣架構(gòu)從原來的分布式逐漸向跨域集中式和車輛集中式不斷演進(jìn)，汽車電子軟件架構(gòu)不斷升級(jí)，軟件與硬件分層解耦，軟件定義汽車的時(shí)代即將到來。汽車智能化跑出加速度，中國(guó)的新能源車市場(chǎng)向好，ADAS功能搭載率不斷攀升，L2正在成為標(biāo)配，L3開始量產(chǎn)上車。汽車智能化趨勢(shì)下，功能安全成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)隨著汽車智能化的推進(jìn)以及自動(dòng)駕駛技術(shù)創(chuàng)新的日新月異，安全成為行業(yè)不約而同的關(guān)注焦點(diǎn)。安全
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汽車智能化加速落地，羅姆為安全筑起高墻

  • 全球新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命正悄悄來臨，電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、共享化成為汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展潮流和趨勢(shì)。在汽車新四化的推動(dòng)之下，汽車電子電氣架構(gòu)從原來的分布式逐漸向跨域集中式和車輛集中式不斷演進(jìn)，汽車電子軟件架構(gòu)不斷升級(jí)，軟件與硬件分層解耦，軟件定義汽車的時(shí)代即將到來。汽車智能化跑出加速度，中國(guó)的新能源車市場(chǎng)向好，ADAS功能搭載率不斷攀升，L2正在成為標(biāo)配，L3開始量產(chǎn)上車。
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表面貼裝的散熱面積估算和注意事項(xiàng)

  • 到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將會(huì)發(fā)熱的IC安裝得過于密集，就會(huì)發(fā)生熱干擾并導(dǎo)致溫度升高。?根據(jù)所容許的最大TJ求得所需的θJA，并估算其所需的散熱面積。到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。元器件配置與熱干擾隨著近年來對(duì)小型
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一文詳解數(shù)字晶體管的原理

  • 數(shù)字晶體管（Digital Transistor），英文名為Bias Resistor Transistor，是帶電阻的晶體管，有的僅在基極上串聯(lián)一只電阻，一般稱為R1，有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2。電阻R1有多種電阻，類似標(biāo)準(zhǔn)電阻系列配制，電阻R2情況類似R1。電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配，因此數(shù)字晶體管的品種很多。選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
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加強(qiáng)ADAS攝像頭系統(tǒng)的功能安全性

  • 1 ADAS市場(chǎng)動(dòng)向和ROHM的方針近年來，汽車領(lǐng)域的先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（advanced driver-assistance systems，ADAS），作為面向汽車安全的世界性措施，在世界各地的搭載和義務(wù)化進(jìn)程不斷加速，ADAS 構(gòu)成所需的車載攝像頭系統(tǒng)、Radar（雷達(dá)）、LiDAR 以及將多個(gè)傳感技術(shù)融合在一起的傳感器 Fusion 系統(tǒng)的開發(fā)也在加速。其中，攝像頭系統(tǒng)在以往的環(huán)視系統(tǒng)中被廣泛使用，在周邊環(huán)境的感知中起著重要的作用，并且與 Radar 并列成為每輛車搭載數(shù)量最多的傳感系統(tǒng)。在今后市
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碳化硅助力電動(dòng)汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化

  • 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC 讓設(shè)計(jì)人員能夠減少元器件的使用，從而進(jìn)一步降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。SiC 元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
  • 關(guān)鍵字： 202207  碳化硅  電動(dòng)汽車  羅姆  

碳化硅助力電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航和成本的全方位優(yōu)化

  • 受訪人：水原德健  羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　目前，市場(chǎng)上基本按下圖劃分幾種材料功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場(chǎng)景。當(dāng)?shù)皖l、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
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賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開新的合作

  • 賽米控（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國(guó)公司社長(zhǎng)?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級(jí)功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國(guó)一家大型汽車制造商簽署
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芯馳科技與羅姆締結(jié)車載領(lǐng)域的解決方案開發(fā)合作伙伴關(guān)系

  • 日前，領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)南京芯馳半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯馳科技”）與全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）締結(jié)了車載領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系。芯馳科技CEO 仇雨菁（圖左）、羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司董事長(zhǎng) 藤村 雷太（圖右）出席簽約儀式芯馳科技與羅姆于2019年開始展開技術(shù)交流，并就面向智能座艙的應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)建立了合作關(guān)系。此次，作為首批合作成果，芯馳科技智能座艙SoC X9系列的參考板上搭載了羅姆的SerDes IC*1和PMIC*2等產(chǎn)品，現(xiàn)已開始為客戶提
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GaN器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的高頻工作性能

  • 1? ?羅姆看好哪類GaN功率器件的市場(chǎng)機(jī)會(huì)？GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）一樣，是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件，在中等耐壓范圍的應(yīng)用中備受期待。特別是與SiC 相比，高速開關(guān)特性出色，因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域中，作為有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望（如圖1、圖2）。GaN 器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的高頻工作性能。具體在汽車行業(yè)可應(yīng)用于車載OBC、48 VDC/DC 轉(zhuǎn)換器（如圖3）。2? &nb
  • 關(guān)鍵字： 202201  GaN器件  羅姆  

2022年半導(dǎo)體的旺盛需求仍將持續(xù)，羅姆用增長(zhǎng)、發(fā)展和創(chuàng)造三軸推進(jìn)

  • 1? ?2022年半導(dǎo)體旺盛的需求仍將持續(xù)回顧過往，新冠肺炎疫情對(duì)電子行業(yè)的供應(yīng)鏈整體也產(chǎn)生了巨大影響，經(jīng)濟(jì)活動(dòng)出現(xiàn)暫時(shí)的停滯，但是到了2020 年秋天以后，由于車載市場(chǎng)的恢復(fù)，需求開始恢復(fù)，現(xiàn)在半導(dǎo)體和電子部件等廣泛領(lǐng)域的供需陷入窘迫狀態(tài)。此外，電子行業(yè)通過不斷創(chuàng)新來解決各種社會(huì)問題，其中半導(dǎo)體的作用越來越大。從這一趨勢(shì)來看，我們認(rèn)為雖然2022 年當(dāng)前旺盛的需求仍將繼續(xù)，但即使在巨大的環(huán)境變化中，也不必受到短期市場(chǎng)動(dòng)向的影響，需要用長(zhǎng)期的眼光來推進(jìn)舉措。2? ?
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羅姆全新運(yùn)放以出色抗干擾性能迎合嚴(yán)苛環(huán)境要求

  • 隨著用于電動(dòng)汽車和ADAS中的汽車電子系統(tǒng)的電子化和高密度化日益加速，噪聲環(huán)境也變得越來越嚴(yán)峻。通常，在汽車開發(fā)中，難以對(duì)電路板和系統(tǒng)單體做噪聲評(píng)估，一般需要組裝后再進(jìn)行評(píng)估，但一旦評(píng)估結(jié)果NG，就需要大規(guī)模修改，因此降噪設(shè)計(jì)一直是一個(gè)重大課題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，ROHM充分利用自有的垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制和模擬設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，從2017年開始開發(fā)EMARMOUR?系列，該系列的產(chǎn)品具有非常出色的抗干擾性能，有助于減輕降噪設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)，在車載和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)獲得了高度好評(píng)。 近日全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM
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羅姆車載攝像頭模塊優(yōu)化ADAS系統(tǒng)方案

  • 輔助駕駛（最終目標(biāo)自動(dòng)駕駛）已經(jīng)成為汽車發(fā)展的重要趨勢(shì)，ADAS系統(tǒng)通過組合LiDAR、聲納和攝像頭等具有不同感測(cè)方法和感測(cè)距離的設(shè)備構(gòu)建而成。其中，在停車輔助系統(tǒng)等單元，由于車載攝像頭在消除附近盲區(qū)方面發(fā)揮著重要作用，因此最新的汽車每輛車都配備了約10個(gè)攝像頭。此外，隨著ADAS的不斷發(fā)展，其使用數(shù)量也在進(jìn)一步增加，這對(duì)提高各種攝像頭的性能也提出了更高的要求。另一方面，隨著攝像頭安裝數(shù)量的增加，由于電池可供給的電量和安裝攝像頭的空間有限，因此，在車載攝像頭模塊中，對(duì)進(jìn)一步縮小電路板尺寸和降低功耗的需求日
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羅姆介紹

羅姆電子（ROHM Co., Ltd.）是日本半導(dǎo)體制造商，總部在京都市左京區(qū)，創(chuàng)始人是佐藤研一郎，成立于1958年。羅姆電子的二極管與芯片在世界上擁有很高的占有率。 [ 查看詳細(xì) ]

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