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羅姆 文章 最新資訊

羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書,助力汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化和更低損耗!

  • 1. 前言近年來,隨著電動汽車的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的普及,應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導(dǎo)體數(shù)量也與日俱增。其中,中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護(hù)電路,而被廣泛應(yīng)用在從手機(jī)到電動汽車動力總成系統(tǒng)等各種電路和領(lǐng)域中,半導(dǎo)體廠商羅姆在這些領(lǐng)域中已經(jīng)擁有驕人業(yè)績(圖1)。                                 &
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時

  • 在功率開關(guān)器件最常見的應(yīng)用中,包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為,在Tech Web基礎(chǔ)知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中,介紹了相互影響的動作情況?!?nbsp;  具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MO
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汽車智能化加速落地, 羅姆為安全筑起高墻

  • 【導(dǎo)語】全球新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命正悄悄來臨,電動化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、共享化成為汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展潮流和趨勢。在汽車新四化的推動之下,汽車電子電氣架構(gòu)從原來的分布式逐漸向跨域集中式和車輛集中式不斷演進(jìn),汽車電子軟件架構(gòu)不斷升級,軟件與硬件分層解耦,軟件定義汽車的時代即將到來。汽車智能化跑出加速度,中國的新能源車市場向好,ADAS功能搭載率不斷攀升,L2正在成為標(biāo)配,L3開始量產(chǎn)上車。汽車智能化趨勢下,功能安全成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)隨著汽車智能化的推進(jìn)以及自動駕駛技術(shù)創(chuàng)新的日新月異,安全成為行業(yè)不約而同的關(guān)注焦點(diǎn)。安全
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汽車智能化加速落地,羅姆為安全筑起高墻

  • 全球新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命正悄悄來臨,電動化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、共享化成為汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展潮流和趨勢。在汽車新四化的推動之下,汽車電子電氣架構(gòu)從原來的分布式逐漸向跨域集中式和車輛集中式不斷演進(jìn),汽車電子軟件架構(gòu)不斷升級,軟件與硬件分層解耦,軟件定義汽車的時代即將到來。汽車智能化跑出加速度,中國的新能源車市場向好,ADAS功能搭載率不斷攀升,L2正在成為標(biāo)配,L3開始量產(chǎn)上車。
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表面貼裝的散熱面積估算和注意事項(xiàng)

  • 到目前為止,我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中,如何估算散熱面積以確保符合TJ max,以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將會發(fā)熱的IC安裝得過于密集,就會發(fā)生熱干擾并導(dǎo)致溫度升高。?根據(jù)所容許的最大TJ求得所需的θJA,并估算其所需的散熱面積。到目前為止,我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中,如何估算散熱面積以確保符合TJ max,以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。元器件配置與熱干擾隨著近年來對小型
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一文詳解數(shù)字晶體管的原理

  • 數(shù)字晶體管(Digital Transistor),英文名為Bias Resistor Transistor,是帶電阻的晶體管,有的僅在基極上串聯(lián)一只電阻,一般稱為R1,有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2。電阻R1有多種電阻,類似標(biāo)準(zhǔn)電阻系列配制,電阻R2情況類似R1。電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配,因此數(shù)字晶體管的品種很多。選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
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加強(qiáng)ADAS攝像頭系統(tǒng)的功能安全性

  • 1 ADAS市場動向和ROHM的方針近年來,汽車領(lǐng)域的先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(advanced driver-assistance systems,ADAS),作為面向汽車安全的世界性措施,在世界各地的搭載和義務(wù)化進(jìn)程不斷加速,ADAS 構(gòu)成所需的車載攝像頭系統(tǒng)、Radar(雷達(dá))、LiDAR 以及將多個傳感技術(shù)融合在一起的傳感器 Fusion 系統(tǒng)的開發(fā)也在加速。其中,攝像頭系統(tǒng)在以往的環(huán)視系統(tǒng)中被廣泛使用,在周邊環(huán)境的感知中起著重要的作用,并且與 Radar 并列成為每輛車搭載數(shù)量最多的傳感系統(tǒng)。在今后市
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碳化硅助力電動汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化

  • 與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外,SiC 讓設(shè)計人員能夠減少元器件的使用,從而進(jìn)一步降低了設(shè)計的復(fù)雜程度。SiC 元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗,從而有助于設(shè)計出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位,這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
  • 關(guān)鍵字: 202207  碳化硅  電動汽車  羅姆  

碳化硅助力電動汽車?yán)m(xù)航和成本的全方位優(yōu)化

  • 受訪人:水原德健  羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據(jù)其不同的特性,分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品?  目前,市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場景。當(dāng)?shù)皖l、高壓的情況下適用硅基IGBT,如果稍稍高頻但是電壓不是很高,功率不是很高的情況下,使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下,適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大,功率
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賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開新的合作

  • 賽米控(總部位于德國紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)在開發(fā)碳化硅(SiC)功率模塊方面已經(jīng)開展了十多年的合作。合作儀式剪影:賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生(左)羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack(中)賽米控CSO Peter Sontheimer先生(右) 此次,羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級功率模塊“eMPack?”,開啟了雙方合作的新征程。此外,賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
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芯馳科技與羅姆締結(jié)車載領(lǐng)域的解決方案開發(fā)合作伙伴關(guān)系

  • 日前,領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)南京芯馳半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱“芯馳科技”)與全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)締結(jié)了車載領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系。芯馳科技CEO 仇雨菁(圖左)、羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司董事長 藤村 雷太(圖右)出席簽約儀式芯馳科技與羅姆于2019年開始展開技術(shù)交流,并就面向智能座艙的應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)建立了合作關(guān)系。此次,作為首批合作成果,芯馳科技智能座艙SoC X9系列的參考板上搭載了羅姆的SerDes IC*1和PMIC*2等產(chǎn)品,現(xiàn)已開始為客戶提
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GaN器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的高頻工作性能

  • 1? ?羅姆看好哪類GaN功率器件的市場機(jī)會?GaN(氮化鎵)和SiC(碳化硅)一樣,是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件,在中等耐壓范圍的應(yīng)用中備受期待。特別是與SiC 相比,高速開關(guān)特性出色,因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域中,作為有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望(如圖1、圖2)。GaN 器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的高頻工作性能。具體在汽車行業(yè)可應(yīng)用于車載OBC、48 VDC/DC 轉(zhuǎn)換器(如圖3)。2? &nb
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2022年半導(dǎo)體的旺盛需求仍將持續(xù),羅姆用增長、發(fā)展和創(chuàng)造三軸推進(jìn)

  • 1? ?2022年半導(dǎo)體旺盛的需求仍將持續(xù)回顧過往,新冠肺炎疫情對電子行業(yè)的供應(yīng)鏈整體也產(chǎn)生了巨大影響,經(jīng)濟(jì)活動出現(xiàn)暫時的停滯,但是到了2020 年秋天以后,由于車載市場的恢復(fù),需求開始恢復(fù),現(xiàn)在半導(dǎo)體和電子部件等廣泛領(lǐng)域的供需陷入窘迫狀態(tài)。此外,電子行業(yè)通過不斷創(chuàng)新來解決各種社會問題,其中半導(dǎo)體的作用越來越大。從這一趨勢來看,我們認(rèn)為雖然2022 年當(dāng)前旺盛的需求仍將繼續(xù),但即使在巨大的環(huán)境變化中,也不必受到短期市場動向的影響,需要用長期的眼光來推進(jìn)舉措。2? ?
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羅姆全新運(yùn)放以出色抗干擾性能迎合嚴(yán)苛環(huán)境要求

  • 隨著用于電動汽車和ADAS中的汽車電子系統(tǒng)的電子化和高密度化日益加速,噪聲環(huán)境也變得越來越嚴(yán)峻。通常,在汽車開發(fā)中,難以對電路板和系統(tǒng)單體做噪聲評估,一般需要組裝后再進(jìn)行評估,但一旦評估結(jié)果NG,就需要大規(guī)模修改,因此降噪設(shè)計一直是一個重大課題。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),ROHM充分利用自有的垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制和模擬設(shè)計技術(shù)優(yōu)勢,從2017年開始開發(fā)EMARMOUR?系列,該系列的產(chǎn)品具有非常出色的抗干擾性能,有助于減輕降噪設(shè)計負(fù)擔(dān),在車載和工業(yè)設(shè)備市場獲得了高度好評。 近日全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM
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羅姆車載攝像頭模塊優(yōu)化ADAS系統(tǒng)方案

  • 輔助駕駛(最終目標(biāo)自動駕駛)已經(jīng)成為汽車發(fā)展的重要趨勢,ADAS系統(tǒng)通過組合LiDAR、聲納和攝像頭等具有不同感測方法和感測距離的設(shè)備構(gòu)建而成。其中,在停車輔助系統(tǒng)等單元,由于車載攝像頭在消除附近盲區(qū)方面發(fā)揮著重要作用,因此最新的汽車每輛車都配備了約10個攝像頭。此外,隨著ADAS的不斷發(fā)展,其使用數(shù)量也在進(jìn)一步增加,這對提高各種攝像頭的性能也提出了更高的要求。另一方面,隨著攝像頭安裝數(shù)量的增加,由于電池可供給的電量和安裝攝像頭的空間有限,因此,在車載攝像頭模塊中,對進(jìn)一步縮小電路板尺寸和降低功耗的需求日
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  車載攝像頭  ADAS  
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羅姆介紹

羅姆電子(ROHM Co., Ltd.)是日本半導(dǎo)體制造商,總部在京都市左京區(qū),創(chuàng)始人是佐藤研一郎,成立于1958年。羅姆電子的二極管與芯片在世界上擁有很高的占有率。 [ 查看詳細(xì) ]

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