絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)

IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖

IGBT實(shí)在BDMOS型功率場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下，增加一個(gè)P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構(gòu)成IGBT。
關(guān)鍵字： IGBT 基本結(jié)構(gòu)

IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數(shù)是柵源電壓，而不是基極電流。...
關(guān)鍵字： IGBT 靜態(tài)特性

IGBT的保護(hù)措施，主要包括過(guò)壓保護(hù)和過(guò)流保護(hù)兩類。使用中，對(duì)于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓，可以采用適當(dāng)?shù)木彌_回路抑制它，使器件免于損壞。...
關(guān)鍵字： IGBT 電路圖

IGBT芯片技術(shù)含量極高，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個(gè)國(guó)家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。
關(guān)鍵字： IGBT

由綜合放大電路板（ZHFD）產(chǎn)生的輸出信號(hào)被送入SG3526，產(chǎn)生PWM脈沖，此信號(hào)與反饋信號(hào)進(jìn)行邏輯運(yùn)算后送入HL403B厚膜驅(qū)動(dòng)器，當(dāng)IGBT產(chǎn)生過(guò)流、短路故障時(shí)，借助于IGBT內(nèi)部的短路、欠飽和、軟關(guān)斷、降柵壓保護(hù)功能，保護(hù)信號(hào)通過(guò)光...
關(guān)鍵字： IGBT 驅(qū)動(dòng) 保護(hù)電路

圖示出電源主電路，V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲(chǔ)能電容，Lo用于限制Co對(duì)負(fù)載氙燈的放電電流，保護(hù)氙燈。圖全橋型IGBT電源主電路圖...
關(guān)鍵字：全橋型 IGBT 電源

　　QAxx1系列產(chǎn)品是專為IGBT驅(qū)動(dòng)器而設(shè)計(jì)的DC-DC電源模塊。該系列產(chǎn)品充分結(jié)合了驅(qū)動(dòng)IC的特點(diǎn)，提供不對(duì)稱輸出電壓+15/-8VDC，可以最大限度地降低驅(qū)動(dòng)損耗。其輸出電流高達(dá)120mA，可滿足大范圍的IGBT驅(qū)動(dòng)器功率要求。該系列產(chǎn)品效率高達(dá)81%，可在-40℃~+105℃溫度下工作，具有超小隔離電容6PF，最大容性負(fù)載1000uF、隔離電壓3000VAC等特性。該系列產(chǎn)品具有12VDC、15VDC、24VDC輸入電壓規(guī)格可選，目前已全面上市。　　應(yīng)用方案：　　
關(guān)鍵字： IGBT QAxx1

　　電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽(yáng)能逆變器的驅(qū)動(dòng)電路有更為苛刻的技術(shù)要求，其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制，面臨諸多挑戰(zhàn)。本文設(shè)計(jì)一種驅(qū)動(dòng)供電電源，并通過(guò)實(shí)際測(cè)試證明其可用性。　　常見的驅(qū)動(dòng)電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)。由于反激電源在開關(guān)關(guān)斷期間才向負(fù)載提供能量輸出的固有特性，使得其電流輸出特性和瞬態(tài)控制特性相對(duì)來(lái)說(shuō)都比較
關(guān)鍵字： IGBT 逆變器

　　感應(yīng)加熱電器通常采用諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要單管IGBT在18 kHz至40 kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出最佳性能。英飛凌科技股份公司推出能夠滿足這些需求的全新單管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能經(jīng)專門優(yōu)化，可滿足高性價(jià)比電磁爐和電磁電飯煲的需求。　　單片集成逆導(dǎo)二極管　　全新RC-E系列IGBT采用單片集成逆導(dǎo)二極管實(shí)現(xiàn)諧振開關(guān)。這有助于降低器件的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。更低損耗支持設(shè)計(jì)師更輕松實(shí)現(xiàn)感應(yīng)加熱電器的效率和功率目標(biāo)，降低功耗，進(jìn)而降低消費(fèi)者的使用成本。該系列具備較低的關(guān)斷損耗(E
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT

制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化。這種芯片組的特點(diǎn)是導(dǎo)通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開通行為和高魯棒性的短路行為。在
關(guān)鍵字： FZ1200R45HL3 英飛凌科技 IGBT

簡(jiǎn)介ACPL-339J是一種先進(jìn)的智能IGBT門驅(qū)動(dòng)耦合器接口，支持1.0A雙輸出，易于使用。ACPL-339J 經(jīng)獨(dú)特設(shè)計(jì)支持具有靈活電流額定值的MOSFET的電流緩沖器，使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)師能夠更加輕松地通過(guò)互換MOSFET緩沖器和功率IGB
關(guān)鍵字： IGBT 門驅(qū)動(dòng) 耦合器接口欠壓鎖定 UVLO

　　Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流(450A)，新型半橋IGBT模塊系列(1200V，600A)可為設(shè)計(jì)師提供顯著更高的額定電流，能夠依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)可靠、靈活地提供高效快速的開關(guān)速度。該模塊的緊湊(152 x 62 x 17毫米)封裝可簡(jiǎn)化熱管理，并支持更加簡(jiǎn)單、精密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該多芯片模塊能夠降低焊點(diǎn)與PC電路板空間要求。本次發(fā)布的產(chǎn)品采
關(guān)鍵字： Littelfuse IGBT