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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 最新資訊

中國工程院院士丁榮軍：汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢

  • 　　我的匯報分三個部分。 　　首先簡單介紹汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢。 　　功率半導(dǎo)體器件最早都是由晶閘管后來變成GTO到MOSFET，到現(xiàn)在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統(tǒng)的器件相比，主要是驅(qū)動比較簡單，同時損耗比較小，比較適合用于牽引傳動包括電機控制器等。IGBT器件包括原來講的功率半導(dǎo)體器件，都被譽為傳統(tǒng)系統(tǒng)，在高鐵里一樣，把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點的轉(zhuǎn)換，是電機控制系統(tǒng)的CPU。 　　目前電動汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
  • 關(guān)鍵字： IGBT  功率半導(dǎo)體  

解析國內(nèi)IGBT增量需求主力何在

  • 受益于新能源電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展，未來IGBT市場將迎來爆發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  

助力工業(yè)4.0發(fā)展 世強創(chuàng)新應(yīng)用研討會圓滿舉行

  • 傳統(tǒng)工業(yè)如何乘著工業(yè)4.0的東風(fēng)，加快智能制造裝備發(fā)展、加快構(gòu)建工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)、加強關(guān)鍵共性技術(shù)創(chuàng)新也成為現(xiàn)今的熱點問題，這次世強舉辦研討會，旨在幫助工程師了解工業(yè)4.0的相關(guān)器件產(chǎn)品、前沿技術(shù)方案，從而更好的解決其在創(chuàng)新時的問題。
  • 關(guān)鍵字： 工業(yè)4.0  IGBT  

無刷直流電機控制器硬件設(shè)計和實現(xiàn)

  • 0引言無刷直流電機(以下簡稱BLDCM)用電子換相器取代機械換向器，根除了電刷和換向器接觸磨損所導(dǎo)致的壽命周期短、電氣絕緣低、火花干擾強
  • 關(guān)鍵字： BLDC  無刷直流電機  IGBT  旋轉(zhuǎn)變壓  

研發(fā)、制造、應(yīng)用 高鐵IGBT芯片實現(xiàn)全面國產(chǎn)化

  • IGBT芯片的研發(fā)成功意味著，按中國標(biāo)準(zhǔn)制造的高鐵上，將安裝具有我國完全自主知識產(chǎn)權(quán)的‘中國芯’。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  芯片  

我國IGBT首次出口海外市場

  • 　　根據(jù)湖南省經(jīng)濟和信息化委員會發(fā)布的消息，近日，中車株洲電力機車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品，成功中標(biāo)印度機車市場，將用于該國電力貨運重載機車改造升級項目，這是該產(chǎn)品首次出口海外。 　　絕緣雙極性晶體管(IGBT)是目前技術(shù)最先進的電力電子器件，廣泛應(yīng)用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動化和智能控制領(lǐng)域，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。該技術(shù)一直由英飛凌、ABB、三菱等國外公司壟斷。中車株洲所在引進吸收的基礎(chǔ)上，建成世界第二條8英寸I
  • 關(guān)鍵字： IGBT  

全橋型IGBT脈沖激光電源電路

  • V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲能電容，Lo用于限制Co對負(fù)載氙燈的放電電流，保護氙燈。此處將限流電感L放在變壓器原邊。這除了能實現(xiàn)功率管的零電壓開通外，例如在V1，V4關(guān)斷后，由于L的續(xù)流作用，D2...
  • 關(guān)鍵字： 全橋型  IGBT  脈沖激光  電源電路  

IGBT變頻電源電路

  • JS為軟啟動控制,避免上電時浪涌電流對整流模塊的沖擊。IGBT變頻電源電路:
  • 關(guān)鍵字： IGBT  變頻電源  

IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖

  • IGBT實在BDMOS型功率場效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下，增加一個P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構(gòu)成IGBT。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  基本結(jié)構(gòu)  

IGBT靜態(tài)特性與參數(shù)及電路圖

  • IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數(shù)是柵源電壓，而不是基極電流。...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  靜態(tài)特性  

IGBT的保護及電路圖

  • IGBT的保護措施，主要包括過壓保護和過流保護兩類。使用中，對于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓，可以采用適當(dāng)?shù)木彌_回路抑制它，使器件免于損壞。...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  電路圖  

VMOS、IGBT逆變充電電路圖

  • 逆變器中的開關(guān)元件選用VMOS或IGBT時，組成的充電電路，比用晶閘管作開關(guān)元件的充電電路的工作頻率高。
  • 關(guān)鍵字： VMOS  IGBT  逆變充電  電路圖  

中國IGBT產(chǎn)品首次單獨批量打入海外機車市場

  • IGBT芯片技術(shù)含量極高，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  

IGBT的驅(qū)動與保護電路

  • 由綜合放大電路板（ZHFD）產(chǎn)生的輸出信號被送入SG3526，產(chǎn)生PWM脈沖，此信號與反饋信號進行邏輯運算后送入HL403B厚膜驅(qū)動器，當(dāng)IGBT產(chǎn)生過流、短路故障時，借助于IGBT內(nèi)部的短路、欠飽和、軟關(guān)斷、降柵壓保護功能，保護信號通過光...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  驅(qū)動  保護電路  

全橋型IGBT電源主電路圖

  • 圖示出電源主電路，V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲能電容，Lo用于限制Co對負(fù)載氙燈的放電電流，保護氙燈。圖全橋型IGBT電源主電路圖...
  • 關(guān)鍵字： 全橋型  IGBT  電源  
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

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