首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

意法半導(dǎo)體與吉利汽車簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議

  • 6月4日，意法半導(dǎo)體（ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
  • 關(guān)鍵字： ST  吉利汽車  SiC  

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，推動雙方創(chuàng)新合作

  • 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、
  • 關(guān)鍵字： SiC  ADAS  新能源汽車  

ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠

  • 自意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）官方獲悉，當(dāng)?shù)貢r間5月31日，意法半導(dǎo)體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設(shè)是支持汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據(jù)悉，該項目預(yù)計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標(biāo)是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達到滿負(fù)荷生產(chǎn)，滿產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
  • 關(guān)鍵字： ST  意大利  碳化硅  

構(gòu)建新型能源體系，充電樁市場將迎來高增長

  •    能源是人類生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，能源轉(zhuǎn)型則是當(dāng)今國際社會關(guān)注的焦點問題，隨著全球?qū)Νh(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔(dān)憂，新能源市場的需求正在快速增長?！　‘?dāng)前全球汽車產(chǎn)業(yè)電動化正在深度推進，在新能源革命浪潮下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)成為各國重點發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術(shù)的日趨成熟，充電基礎(chǔ)設(shè)施快速發(fā)展。近年來，我國已建成世界上數(shù)量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類型最全的充電基礎(chǔ)設(shè)施體系。目前按照1公樁=3個私樁的測算，中國2023年增量市場的純電動車的車樁比已經(jīng)1：1，領(lǐng)先世界其它國家數(shù)倍
  • 關(guān)鍵字： 充電樁  新能源汽車  SIC  

如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

  • 電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀(jì)下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應(yīng)求。而隨著 SiC 襯底應(yīng)用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動汽車的功率密度
  • 關(guān)鍵字： SiC  電動汽車  功率器件  

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案

  • 第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動方案展開了解，其中包括驅(qū)動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  SiC  MOSFET  高效驅(qū)動  電力電子  

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

  • Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  SiC MOSFET  D2PAK-7  

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，同時將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動器
  • 關(guān)鍵字： SiC MOSFET  IGBT  低側(cè)柵極驅(qū)動器  

布局海外市場，兩家半導(dǎo)體企業(yè)開展合作

  • 根據(jù)合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：三福半導(dǎo)體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導(dǎo)體功率器件智能驅(qū)動技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅(qū)動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設(shè)備和航空航天等。三福半導(dǎo)體聚焦集成電路設(shè)計、制造和封裝測試，致力于先進技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  化合物半導(dǎo)體  

這家GaN外延工廠開業(yè)!

  • 作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設(shè)等動作，不時有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  氮化鎵  化合物半導(dǎo)體  

多款車型相繼發(fā)布，SiC技術(shù)加速“上車”

  • SiC技術(shù)似乎已成為蔚來旗下新車型標(biāo)配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現(xiàn)出來的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據(jù)悉，樂道全域采用900V高壓架構(gòu)，包括電驅(qū)系統(tǒng)、熱泵空調(diào)、輔助加熱器（PTC）、車載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
  • 關(guān)鍵字： Sic  新能源汽車  蔚來  

英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車供應(yīng)一系列產(chǎn)品

  • Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動汽車供應(yīng)碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動汽車供應(yīng)了一系
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  小米  SU7  智能電動汽車  SiC  

安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動

  • 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應(yīng)用場景，共同探討最新的能效設(shè)計挑戰(zhàn)，展示針對更多縱深應(yīng)用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導(dǎo)體技術(shù)的落地，實現(xiàn)應(yīng)用系統(tǒng)的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應(yīng)用場景日益多樣化。新能源
  • 關(guān)鍵字： 安森美  碳化硅  功率解決方案  

中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線達產(chǎn)

  • 近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導(dǎo)體粉體500噸生產(chǎn)線成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機構(gòu)開展試用和驗證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設(shè)立，總投資20億元，分期建設(shè)年產(chǎn)2000噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線。項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設(shè)，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預(yù)計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據(jù)悉
  • 關(guān)鍵字： 中宜創(chuàng)芯  SiC  

英飛凌：將為小米電動汽車提供先進的功率芯片

  • 德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導(dǎo)體的需求。
  • 關(guān)鍵字： SiC  英飛凌  
共631條 6/43 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

碳化硅（sic）介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473