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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅！

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設(shè)計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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電動汽車東風(fēng)起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速

  • 碳化硅的發(fā)展與電動汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動駕駛技術(shù)的升級演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo)，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預(yù)期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價值數(shù)十億美元的新工廠，以生產(chǎn)為電動汽
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第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程

  • 2022年9月20日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機(jī)構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強(qiáng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規(guī)模應(yīng)用，全方位提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導(dǎo)體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導(dǎo)體在業(yè)務(wù)加速拓
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第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)，硅的時代要結(jié)束了嗎

  • 半導(dǎo)體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun就預(yù)計芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴(kuò)大至衰退6%；費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來市場倍增與產(chǎn)能擴(kuò)張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預(yù)期上調(diào)為“同比增長3倍”，而
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭霸戰(zhàn)

  • 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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碳化硅助力電動汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化

  • 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC 讓設(shè)計人員能夠減少元器件的使用，從而進(jìn)一步降低了設(shè)計的復(fù)雜程度。SiC 元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
  • 關(guān)鍵字： 202207  碳化硅  電動汽車  羅姆  

碳化硅助力電動汽車?yán)m(xù)航和成本的全方位優(yōu)化

  • 受訪人：水原德健  羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　目前，市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場景。當(dāng)?shù)皖l、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
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賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開新的合作

  • 賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
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意法半導(dǎo)體與賽米控合作,在下一代電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)

  • 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術(shù)合作開發(fā)成果。采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的 SiC 功率半導(dǎo)體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達(dá)到行業(yè)標(biāo)桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動汽車牽引驅(qū)動的電源技術(shù)，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
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UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）系列。
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安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

  • 安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
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羅姆SiC評估板測評：快充測試

  • 一、測試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅(qū)動空載輸出12V，gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應(yīng)設(shè)備
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羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

  • 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號，用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓?fù)鋵⒄f明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實(shí)，評估板四層PCB的板子厚度達(dá)到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標(biāo)識。
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

  • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。
  • 關(guān)鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  
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碳化硅！介紹

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