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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

  • 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機構統(tǒng)計，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
  • 關鍵字： 安森美  SiC  碳化硅  

減少開關損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

  • 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
  • 關鍵字： MOSFET  碳化硅  UPS  

模塊化參考設計幫助用戶為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源

  • 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個關鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅動器以及用于電機控制的RX23T 32位
  • 關鍵字： MOSFET  PWM  BLDC  MCU  

低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43
  • 關鍵字： MOSFET  

儲能系統(tǒng)助推電動汽車快速充電基礎設施建設

  • 電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內(nèi)燃機汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時間內(nèi)為電動汽車充滿電，他們不愿排隊等候唯一的充電樁。
  • 關鍵字： MOSFET  PWM  BMS  

東芝與MikroElektronika展開合作，為電機驅動IC開發(fā)評估板

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻衄F(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機，東芝提供豐富的電機驅動
  • 關鍵字： NVM  IC  MOSFET  

英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑

  • 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車提供了數(shù)千個經(jīng)過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
  • 關鍵字： MOSFET  IC  NASA  IR  

5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

  • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
  • 關鍵字： EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

GaN 器件的直接驅動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

PFC電路MOS管應用電路振蕩問題分析

  • 本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應用過程中產(chǎn)生振蕩的機理，通過具體的案例詳細分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結合實際應用給出具體的解決措施和方案，通過實驗及大批量的生產(chǎn)驗證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對PFC電路MOS管應用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
  • 關鍵字： 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

超結結構的功率MOSFET輸出電容特性

  • 本文主要分析了超結結構的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關系，最后討論了新一代超結技術工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉折點電壓，降低開關損耗，同時產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
  • 關鍵字： 202008  功率  MOSFET  超結結構  輸出電容  橫向電場  

LED手術無影燈調(diào)光電路的設計及應用

  • 本文介紹了一款基于LM3404的LED手術無影燈恒流驅動調(diào)光電路，詳細論述了調(diào)光電路的硬件和軟件方案的設計及實測效果。電路采用單片機MSP430F1232控制LED驅動模塊，集成調(diào)光控制模塊，可實現(xiàn)對大功率LED手術無影燈進行無極調(diào)光的功能，并且含有參數(shù)記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強等優(yōu)點，大大提高了LED手術無影燈的使用性能。
  • 關鍵字： 202008  LED手術無影燈  單片機  LM3404  調(diào)光控制  MOSFET  

安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
  • 關鍵字： MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

東芝面向車載應用推出恒流2相步進電機驅動IC

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應用推出恒流2相步進電機驅動IC“TB9120AFTG”。新款IC僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進的MCU或專用軟件。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅動IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
  • 關鍵字： IC  QFN  MOSFET  
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碳化硅 mosfet介紹

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