EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
晶圓
晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區(qū)
中芯國(guó)際公布第一季財(cái)報(bào) 凈虧損1.784億美元
- 北京時(shí)間4月30日消息,國(guó)際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際集成電路制造有限公司于今日公布截至二零零九年三月三十一日止三個(gè)月的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。 二零零九年第一季的總銷(xiāo)售額與二零零八年第四季相比下降46.2%至146,500,000元主要是由于晶圓出貨量下降47.8%。二零零九年第一季的毛利率為-88.3%,而二零零八年第四季的毛利率為-27.4%主要由于晶圓出貨量和產(chǎn)能利用率大幅下降所致。二零零九年第一季錄得凈虧損178,400,000元,二零零八年第四季錄得凈虧損139,500,000元。盡管產(chǎn)能利用率急速
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 半導(dǎo)體 晶圓
半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)者信用體質(zhì)改善的機(jī)會(huì)仍低
- 中華信用評(píng)等公司(中華信評(píng))在今日發(fā)布的“半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)者信用體質(zhì)改善的機(jī)會(huì)仍低”報(bào)告中指出,即使市場(chǎng)從2009年開(kāi)始復(fù)蘇,半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)在未來(lái)二至三年中的信用風(fēng)險(xiǎn)亦不太可能出現(xiàn)顯著的改善。受到當(dāng)前全球經(jīng)濟(jì)衰退的影響,主要半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)者2008的信用保障措施均已轉(zhuǎn)弱,而且獲得改善的機(jī)會(huì)不大,除非半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)出現(xiàn)大幅的變動(dòng)。 中華信評(píng)企業(yè)暨基金評(píng)等部資深協(xié)理許智清指出:“盡管半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)2008年的獲利率表現(xiàn)普遍惡化,不過(guò)我們認(rèn)為,各家
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶圓
傳TMC研發(fā)中心花落聯(lián)電 可望擴(kuò)大聯(lián)電營(yíng)運(yùn)版圖
- 臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)投資計(jì)劃書(shū)已正式送交臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局”!根據(jù)業(yè)者由日本爾必達(dá)及通產(chǎn)省所獲知的消息指稱(chēng),TMC的制造中心將鎖定瑞晶,研發(fā)中心將結(jié)合聯(lián)電研發(fā)資源。 對(duì)此,聯(lián)電高階主管表示毫不知情;“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局對(duì)此說(shuō)法予以否認(rèn)。 業(yè)界盛傳,TMC研發(fā)中心若能進(jìn)一步與聯(lián)電結(jié)果,搭配放寬晶圓廠赴大陸投資規(guī)定,讓聯(lián)電與大陸和艦合并案成形,聯(lián)電集團(tuán)營(yíng)運(yùn)版圖將大幅擴(kuò)大。而瑞晶將成為T(mén)MC最大生產(chǎn)基地。 對(duì)此傳言,力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示,力晶持
- 關(guān)鍵字: TMC DRAM 晶圓
特許半導(dǎo)體CEO:晶圓代工行業(yè)不會(huì)快速?gòu)?fù)蘇
- 新加坡特許半導(dǎo)體首席執(zhí)行官(CEO)謝松輝近日表示,晶圓代工行業(yè)預(yù)計(jì)不會(huì)快速?gòu)?fù)蘇,但該廠有計(jì)劃購(gòu)買(mǎi)二手芯片設(shè)備以降低成本。 謝松輝在接受采訪時(shí)稱(chēng),在本月早些時(shí)候通過(guò)供股籌資3億美元后,該公司并沒(méi)有進(jìn)一步供股籌資的計(jì)劃。 此前特許半導(dǎo)體公布,該公司于今年一季度連續(xù)第三個(gè)季度錄得虧損,并預(yù)計(jì)二季度公司銷(xiāo)售和產(chǎn)能利用率將會(huì)改善。
- 關(guān)鍵字: 特許 晶圓
ARM與臺(tái)積電合作40納米實(shí)體IP
- 全球硅IP龍頭安謀(ARM)宣布與臺(tái)積電40納米泛用型制程合作實(shí)體IP。未來(lái)將鎖定磁碟機(jī)、機(jī)上盒、行動(dòng)運(yùn)算裝置、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、高傳真電視和繪圖處理器等芯片市場(chǎng)提供臺(tái)積電制程、安謀IP庫(kù)的制造服務(wù)。 安謀表示,與臺(tái)積電40納米泛用型制程合作的技術(shù)平臺(tái)包括高效能和高密度標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)(Standard Cell libraries)、電源管理工具組和工具組元件庫(kù),可以解決芯片設(shè)計(jì)所產(chǎn)生的漏電問(wèn)題,進(jìn)階電源管理是安謀存儲(chǔ)器架構(gòu)不可或缺的一部分,有助于大幅降低系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)功耗與漏電功耗,在多處理器架構(gòu)下發(fā)
- 關(guān)鍵字: ARM 納米 IP 晶圓
Freescale計(jì)劃關(guān)閉兩座150mm工廠 2011年底前完成
- Freescale Semiconductor公司CEO Rich Beyer在公司第一季度財(cái)報(bào)發(fā)布后的電話會(huì)議上表示,公司計(jì)劃在2011年前關(guān)閉日本仙臺(tái)和法國(guó)圖盧茲的兩座150mm晶圓廠。 該公司預(yù)計(jì)將在2010年下半年和2011年上半年花費(fèi)2億美元用于遣散兩座工廠的工人,該計(jì)劃可每年節(jié)省開(kāi)支1億美元。工廠將于2011年底前正式關(guān)閉。 今年第一季度公司凈銷(xiāo)售額為8.4億美元,環(huán)比減少11%。
- 關(guān)鍵字: Freescale 晶圓
瑞晶65納米制程將獲利 DRAM廠不靠政府仍可存活
- 臺(tái)、日合資的瑞晶將旗下7.5萬(wàn)片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)65納米製程后,由于極具成本競(jìng)爭(zhēng)力,1Gb DDR2價(jià)格只要跨過(guò)1.5美元門(mén)檻,瑞晶營(yíng)運(yùn)就會(huì)開(kāi)始有現(xiàn)金流入,對(duì)照22日現(xiàn)貨價(jià)已漲至1.2美元,瑞晶極可能在5月成為臺(tái)灣第1家開(kāi)始獲利的DRAM廠。臺(tái)DRAM廠認(rèn)為,這證明不用靠政府,還是可以活過(guò)來(lái)! 爾必達(dá)(Elpida)與力晶合資DRAM廠瑞晶,旗下中科12吋晶圓廠單月滿載產(chǎn)能8萬(wàn)片,日前已將原本70納米製程全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)65納米製程,由于轉(zhuǎn)換過(guò)程部分機(jī)器設(shè)備有瓶頸,產(chǎn)出微幅減少5,000片,單月實(shí)際產(chǎn)能7.
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 晶圓
臺(tái)積電二季度訂單陸續(xù)到位 斥資26億買(mǎi)設(shè)備
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電第二季訂單陸續(xù)到位,讓臺(tái)積電大買(mǎi)設(shè)備準(zhǔn)備來(lái)因應(yīng)下半年龐大的訂單需求,今年以來(lái)采購(gòu)金額已經(jīng)超過(guò)新臺(tái)幣130億元(約合人民幣26億)。 不過(guò)雖然臺(tái)積電第二季出貨增加,但是市場(chǎng)仍擔(dān)心第三季庫(kù)存風(fēng)險(xiǎn)增加,因此高盛證券也將臺(tái)積電從“強(qiáng)力買(mǎi)進(jìn)”名單中移除,不過(guò)仍是買(mǎi)進(jìn)評(píng)等。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀3月27日指出,“燕子是什么時(shí)候來(lái),我還是說(shuō)經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇先要看美國(guó)金融業(yè)能不能把它穩(wěn)定住”。樂(lè)觀中帶點(diǎn)保守,是張忠謀對(duì)半導(dǎo)體景氣的看法,外資圈看法
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 晶圓
Gartner:今年半導(dǎo)體設(shè)備支出下滑45% 創(chuàng)下最大跌幅
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner資料顯示,2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出受到經(jīng)濟(jì)衰退沖擊下,預(yù)測(cè)將下降45%,創(chuàng)下該機(jī)構(gòu)發(fā)布這項(xiàng)數(shù)據(jù)以來(lái)最大跌幅,估計(jì)2009年半導(dǎo)體業(yè)設(shè)備投資額將降至169億美元,將明顯低于2008年的308億美元。Gartner認(rèn)為,到了2010年可望反彈2成至203億美元,但仍不及2008年水平。 Gartner半導(dǎo)體研究事業(yè)副總裁Klaus Rinnen表示,2008年下半浮現(xiàn)的全球經(jīng)濟(jì)危機(jī),導(dǎo)致半導(dǎo)體市場(chǎng)所有領(lǐng)域的資本支出放緩,他并指出,過(guò)去3年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)投資額過(guò)高,加上消費(fèi)者支出
- 關(guān)鍵字: Gartner 半導(dǎo)體 晶圓 封裝
大陸晶圓廠產(chǎn)能利用率降至43% 整合將帶來(lái)巨變
- 市場(chǎng)研究公司iSuppli的分析指出,全球芯片市場(chǎng)增速最快的中國(guó)大陸,第一季度半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能利用率降至43%,創(chuàng)下新低。 第一季度的產(chǎn)能利用率是自2000年iSuppli開(kāi)始跟蹤中國(guó)大陸市場(chǎng)以來(lái)的最低水平,2004年第二季度產(chǎn)能利用率曾達(dá)到92%。產(chǎn)能利用率的下滑是全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)導(dǎo)致需求下滑的直接結(jié)果,這也反應(yīng)出中國(guó)大陸設(shè)定的打造強(qiáng)大的本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的目標(biāo)遇到了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 自去年以來(lái),由于大陸半導(dǎo)體公司陷入困境,分析師開(kāi)始質(zhì)疑此前中國(guó)大陸所制定的做強(qiáng)芯片產(chǎn)業(yè)的目標(biāo)。此前大量資金涌入半導(dǎo)體產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: iSuppli 晶圓 芯片
上海浦東新區(qū)銀行集體向半導(dǎo)體廠商授信千億人民幣
- 上海金融中心發(fā)揮融資放款實(shí)力。上海浦東新區(qū)政府近日聯(lián)合多家銀行與浦東新區(qū)8家企業(yè)簽定銀行授信協(xié)議,并釋出共計(jì)人民幣1,080億元的授信額度,其中,中國(guó)大陸晶圓龍頭中芯國(guó)際與中國(guó)進(jìn)出口銀行簽訂了30億人民幣的授信協(xié)議,中芯國(guó)際表示,2009年資本支出仍將較2008年大幅縮減,針對(duì)此貸款對(duì)謹(jǐn)慎運(yùn)用,投資于最先進(jìn)的45納米制程技術(shù)開(kāi)發(fā)。 值此全球金融危機(jī)銀行企業(yè)信貸保守之際,作為長(zhǎng)三角金融中心的上海則發(fā)揮吸金實(shí)力,在上海浦東區(qū)政府聯(lián)合之下,包括國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行、工農(nóng)中建交5大國(guó)有銀行、浦東發(fā)展銀行、上海銀
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 晶圓
中芯國(guó)際2008年凈虧損4.4億美元
- 中芯國(guó)際公布截至08年12月底止的年度業(yè)績(jī),出現(xiàn)上市以來(lái)首次銷(xiāo)售成本大于銷(xiāo)售額,加上總經(jīng)營(yíng)開(kāi)支凈額同比上升68.45%至3.17億美元等因素,最終使凈虧損暴增21.6倍至4.4億美元(不派息)。 該公司指,出現(xiàn)毛銷(xiāo)售成本大于銷(xiāo)售額主要是由于北京廠的DRAM生產(chǎn)改為生產(chǎn)邏輯晶圓,及第四季度受經(jīng)濟(jì)嚴(yán)重下滑影響,使銷(xiāo)售額同比下跌12.7%,加上廠房、設(shè)備折舊、遞延成本攤銷(xiāo)及股權(quán)報(bào)酬成本同比有所增加所致。 非DRAM業(yè)務(wù)收益年增14.3% 自08年初退出DRAM市場(chǎng),中芯通過(guò)擴(kuò)充產(chǎn)品組合、改
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 晶圓
集邦:海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對(duì)NAND閃存產(chǎn)業(yè),研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出,三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座,而海力士則因大幅減產(chǎn),市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%,落居第5名。 集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營(yíng)運(yùn)狀況分析指出,三星因擁有較大產(chǎn)能,同時(shí)制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米,預(yù)期今年市占率 40%以上居冠,日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降,但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米,預(yù)期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示,市場(chǎng)占有率第三和第
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND 晶圓
晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
