無源器件 文章 進(jìn)入無源器件技術(shù)社區(qū)
創(chuàng)意電子領(lǐng)先業(yè)界發(fā)表IPD ASIC服務(wù)
- 彈性客制化IC領(lǐng)導(dǎo)廠商(Flexible ASIC LeaderTM)創(chuàng)意電子(Global Unichip Corp.,GUC)日前發(fā)表業(yè)界第一個(gè)硅芯片無源器件集成(Integrated Passive Device,IPD)服務(wù)。這項(xiàng)服務(wù)是將無源器件以硅(silicon)芯片方式整合,涵蓋供應(yīng)鏈的所有層面,包括從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的每個(gè)環(huán)節(jié),此類芯片則是使用臺(tái)積公司(TSMC)IPD工藝技術(shù)。
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安森美推出High-Q IPD工藝設(shè)計(jì)套件
- 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)宣布提供針對(duì)公司High-Q?集成無源器件(IPD)工藝的完整從前到后工序工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)。這PDK開發(fā)是為了配合安捷倫科技的先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)(ADS) 2011電子設(shè)計(jì)輔助(EDA)軟件一起使用,使安森美半導(dǎo)體及安捷倫科技的客戶能夠充分利用業(yè)界最全面射頻(RF)及微波設(shè)計(jì)平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)。
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無線產(chǎn)品中的小天線設(shè)計(jì)
- 通常在進(jìn)入設(shè)計(jì)周期末尾之前,天線設(shè)計(jì)不會(huì)引起太大注意。原因或許就是因?yàn)樗鼈兪菬o源器件,在RF信號(hào)通路中所起...
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洞悉射頻微波趨勢(shì) 應(yīng)對(duì)全新測(cè)試需求
- 近日,國(guó)際微波年會(huì)(IMS)2009在美國(guó)波士頓開幕,作為一年一度射頻微波領(lǐng)域最重要的學(xué)術(shù)會(huì)議,讓我們借助大會(huì)主要組織者、微波技術(shù)知名專家吳柯教授的介紹感受該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。 今年大會(huì)按應(yīng)用不同把微波技術(shù)部分分成四個(gè)主要領(lǐng)域:微波模擬技術(shù),有源電路以及無源器件和微波系統(tǒng)。會(huì)議邀請(qǐng)的專家報(bào)告包括硅片集成技術(shù),以硅為基礎(chǔ)集成技術(shù),這是目前最重要的器件集成化和系統(tǒng)小型化重要的研究方向。專題討論會(huì)是關(guān)于在THz頻段上用CMOS實(shí)現(xiàn)新的技術(shù)和器件,這對(duì)新的領(lǐng)域的發(fā)展就會(huì)有很大的促進(jìn)。 第三,全球定位系
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第52屆國(guó)際微波年會(huì)6月在美國(guó)波士頓開幕
- IEEE微波理論與技術(shù)協(xié)會(huì)(MTT-S)的年度會(huì)議及展會(huì)、國(guó)際微波年會(huì)(IMS)今年的大會(huì)日程已經(jīng)擬定。IMS 2009會(huì)議期間將舉辦430場(chǎng)技術(shù)專題講座,涉及微波建模、有源器件、無源器件和微波系統(tǒng)四個(gè)技術(shù)專題。通過30場(chǎng)研討會(huì),5個(gè)短期課程,5場(chǎng)座談會(huì)和1場(chǎng)辯論會(huì),大會(huì)將向與會(huì)者提供探討包括無線通信、雷達(dá)、射頻技術(shù)、高頻半導(dǎo)體、電磁學(xué)、商用和軍用射頻、微波和毫米波電子等廣泛議題的機(jī)會(huì)。IMS2009是“微波周”的核心活動(dòng),將于6月7日至12日在美國(guó)波士頓的新波士頓會(huì)展中心舉行
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KEMET:是什么推動(dòng)了無源器件的需求增長(zhǎng)?
- 在各種電容器中,鉭電解電容器的可靠性高、漏電流小、性能穩(wěn)定,尤其是片式鉭電解電容器具有容量高、體積小、自愈能力強(qiáng)、阻抗/等效串聯(lián)電阻(ESR)低、可靠性高等諸多優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于通訊、計(jì)算機(jī)、汽車電子、雷達(dá)、導(dǎo)彈、航空、航天、自動(dòng)控制裝置、電子測(cè)量?jī)x器等領(lǐng)域。作為全球最大的鉭電容生產(chǎn)商,基美(KEMET)電子在鉭電容未來發(fā)展方面有絕對(duì)的話語權(quán),雖然KEMET正式成立于1987年,但其在元器件方面的歷史可以追溯到1919年,其公司名稱KEMET也是取自“chemical”和&
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無源互調(diào)測(cè)量及解決方案
- 1、概述 無源器件會(huì)產(chǎn)生非線性互調(diào)失真嗎?答案是肯定的!盡管還沒有系統(tǒng)的理論分析,但是在工程中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在一定條件下無源器件存在互調(diào)失真,并且會(huì)對(duì)通信系統(tǒng)(尤其是蜂窩系統(tǒng))產(chǎn)生嚴(yán)重干擾。 無源互調(diào)(Passive Inter-Modulation,PIM)是由發(fā)射系統(tǒng)中各種無源器件的非線性特性引起的。在大功率、多信道系統(tǒng)中,這些無源器件的非線性會(huì)產(chǎn)生相對(duì)于工作頻率的更高次諧波,這些諧波與工作頻率混合會(huì)產(chǎn)生一組新的頻率,其最終結(jié)果就是在空中產(chǎn)生一組無用的頻譜從而影響正常的通信。 所有的無
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熱電阻的原理和類型
- 熱電阻是中低溫區(qū)最常用的一種溫度檢測(cè)器。它的主要特點(diǎn)是測(cè)量精度高,性能穩(wěn)定。其中鉑熱是阻的測(cè)量精確度是最高的,它不僅廣泛應(yīng)用于工業(yè)測(cè)溫,而且被制成標(biāo)準(zhǔn)的基準(zhǔn)儀。 1、熱電阻測(cè)溫原理及材料 熱電阻測(cè)溫是基于金屬導(dǎo)體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進(jìn)行溫度測(cè)量的。熱電阻大都由純金屬材料制成,目前應(yīng)用最多的是鉑和銅,此外,現(xiàn)在已開始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。 2、熱電阻的類型 1)普通型熱電阻 從熱電阻的測(cè)溫原理可知,被測(cè)溫度的變化是直接通過熱電阻阻值的變化來測(cè)量的,因此
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晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型
- 晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種,如圖從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極,分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。 發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié),集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極?;鶇^(qū)很薄,而發(fā)射區(qū)較厚,雜質(zhì)濃度大,PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴,其移動(dòng)方向與電流方向一致,故發(fā)
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植根大陸市場(chǎng)十年 國(guó)巨蘇州二廠投入營(yíng)運(yùn)
- 無源器件廠商國(guó)巨公司(Yageo)日前宣布蘇州第二座工廠正式投入營(yíng)運(yùn),啟用全球最大規(guī)模無源器件后段生產(chǎn)線。明年國(guó)巨蘇州芯片電阻與多層陶瓷電容(MLCC),可望分別達(dá)到360億顆與110億顆月產(chǎn)能規(guī)模,成為全球最大無源器件生產(chǎn)基地。而其蘇州二廠二期工程也于近日同時(shí)動(dòng)工,預(yù)計(jì)產(chǎn)能規(guī)模與產(chǎn)品組合將隨客戶需求的成長(zhǎng)持續(xù)提升。 國(guó)巨公司董事長(zhǎng)陳泰銘先生表示:“國(guó)巨自1996年起進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng),至今已屆滿十年,國(guó)巨陸續(xù)在華南、華東與華北,建立完備的生產(chǎn)與銷售服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。國(guó)巨在大陸市場(chǎng)的發(fā)展策略也邁入全新階段
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