無源器件 文章 進(jìn)入無源器件技術(shù)社區(qū)
三極管電路,分析有方法
- 三極管有靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種工作狀態(tài)。未加信號(hào)時(shí)三極管的直流工作狀態(tài)稱為靜態(tài),此時(shí)各極電流稱為靜態(tài)電流,給三極管加入交流信號(hào)之后的工作電流稱為動(dòng)態(tài)工作電流,這時(shí)三極管是交流工作狀態(tài),即動(dòng)態(tài)。一個(gè)完整的三極管電路分析有四步:直流電路分析、交流電路分析、元器件和修理識(shí)圖。01 直流電路分析方法直流工作電壓加到三極管各個(gè)電極上主要通過兩條直流電路:一是三極管集電極與發(fā)射極之間的直流電路,二是基極直流電路。通過這一步分析可以搞清楚直流工作電壓是如何加到集電極、基極和發(fā)射極上的。如圖所示,是放大器直流電路分析示
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二極管導(dǎo)通AB兩端的控制條件藏在A中,而三極管卻是藏在C中。
- 1.單向開關(guān)二極管,連接AB兩端的管子。像一個(gè)開關(guān),閉合導(dǎo)通,斷開分離。二極管中的PN結(jié)充當(dāng)開關(guān)的閥門。AB兩端的壓差超過0.7V時(shí),開關(guān)打開,管子導(dǎo)通。值得注意的是,二極管導(dǎo)通AB兩端的控制條件藏在A中,而三極管卻是藏在C中。對(duì)器件爛熟于于心,最好的方式莫過于搞懂他的曲線,這,是他的一生!下圖清晰地呈現(xiàn)了二極管的閉合條件:超過閾值電壓0.7V,兩極的電流陡然增加,通了!同時(shí),也呈現(xiàn)了損壞條件:給足反向電壓,同樣會(huì)使PN結(jié)導(dǎo)通(反向?qū)ǎ?,?duì)普通二極管而言,這是一種不可逆轉(zhuǎn)的破壞。正向?qū)?,稱為正偏,此時(shí)
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解析三極管的電阻位置
- 三極管用作開關(guān)時(shí)的常見電阻配置,如下圖所示。本文嘗試解析為何這些電阻要放置在這個(gè)位置,而不是那個(gè)位置。在其位,謀其職。電阻R11)產(chǎn)生基級(jí)電流Ib【三極管是流控型器件】流控在于,其輸出電流IC和IB具有關(guān)系IC=β*IB2)限流【串聯(lián)電阻的主要作用就是限流】電阻R31)跟R1組合形成基級(jí)分壓回路,用于產(chǎn)生開啟電壓(比5V小,有些管子耐受電壓較?。?)提供一個(gè)電壓泄放回路(如果VDD的5V有浪涌的話)電阻R41)產(chǎn)生發(fā)射級(jí)電流IC2)限流進(jìn)一步,為什么R4要放在三極管上面,也就是C級(jí),而不是E級(jí)?看一張圖,
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X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,新增集成無源器件(IPD)制造能力,進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻(RF)領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展(9月17至22日,柏林)舉辦前夕推出XIPD工藝;參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員(位于438C展位)就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測(cè)試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層,讓客戶能夠在其器
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使用微型模塊SIP中的集成無源器件
- 簡(jiǎn)介 集成無源器件在我們的行業(yè)中并不是什么新事物——它們由來已久且眾所周知。實(shí)際上,ADI公司過去曾為市場(chǎng)生產(chǎn)過這類元件。當(dāng)芯片組將獨(dú)立的分立無源器件或者是集成無源網(wǎng)絡(luò)作為其一部分包含在內(nèi)時(shí),需要對(duì)走線寄生效應(yīng)、器件兼容性和電路板組裝等考慮因素進(jìn)行仔細(xì)的設(shè)計(jì)管理。雖然集成無源器件繼續(xù)在業(yè)界占據(jù)重要地位,但只有當(dāng)它們被集成到系統(tǒng)級(jí)封裝應(yīng)用中時(shí)才能實(shí)現(xiàn)其最重要的價(jià)值?! 啄昵?,ADI開始推出新的集成無源技術(shù)計(jì)劃(iPassives?)。ADI旨在通過這項(xiàng)計(jì)劃提供二極管、電阻、電感和電容等無源元件,從而
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無源器件在低頻電路和高頻電路種的特性分析
- 我們先來說說電容,都說大電容低頻特性好,小電容高頻特性好,那么根據(jù)容抗的大小與電容C及頻率F成反比來說的話,是不是大電容不僅低頻特性好,高頻特性更好呢,因?yàn)轭l率越高,容量越大,容抗就越低,高頻就是否越容易通過大電容呢,但從大電容充放電的速度慢來說的話,高頻好像又不容易通過的,這不很矛盾嗎? 首先,高頻低頻是相對(duì)的。如果頻率太高,那么,電容的容量變得再大也沒有意義,因?yàn)?,大家知道,線圈是電感,是阻高頻的,頻率越高,阻礙作用越大。盡管電感量很小,但是,大容量電容一般都有較長(zhǎng)的引腳和較大的極板圈在一起,這
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中國(guó)電子展帶你分析被動(dòng)元(無源)器件淡季不淡的原因
- 從去年2月份至今,已經(jīng)有至少四家被動(dòng)件原廠相繼漲價(jià),漲價(jià)背后的深層原因是什么?重壓之下采購(gòu)的日子怎么過?今天我們一起來探討?! ?017年以存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元器件、功率器件為主的缺貨漲價(jià)對(duì)電子產(chǎn)業(yè)鏈上下游供需市場(chǎng)帶來超乎以往的影響。從市場(chǎng)反應(yīng)的缺貨情況看,存儲(chǔ)芯片DRAM、NAND Flash、NOR Flash三類產(chǎn)品無一例外。被動(dòng)元器件集中在MLCC、鉭電容、鋁電解電容的漲價(jià)或缺貨,功率器件以MOSFET、IGBT、IPM等為主其他的還有MCU、電源IC等?! ∫员粍?dòng)元件為例。被
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光纖無源器件技術(shù)的發(fā)展方向
- 光纖無源器件是光纖通信系統(tǒng)中的重要組成部分。按其功能分類,有光纖連接器、光纖耦合器、波分復(fù)用器、光開關(guān)、光衰減器、光隔離器和光環(huán)行器等。光纖通信系統(tǒng)正在向接入網(wǎng)、寬帶網(wǎng)、密集波分復(fù)用系統(tǒng)和全光網(wǎng)方向發(fā)展,對(duì)光纖無源器件的技術(shù)提出了新的更高的要求。因此,如何把握光纖無源器件的技術(shù)發(fā)展方向,以適應(yīng)市場(chǎng)的需求,已成為業(yè)內(nèi)人士所關(guān)注的問題。本文首先介紹光纖無源器件的技術(shù)概況,然后就光纖無源器件的技術(shù)發(fā)展方向,概括地說,就是光纖連接器的小型化、光纖耦合器的寬帶化、波分復(fù)用器的密集化、光開關(guān)的矩陣化以及光纖無源器件的
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【E問E答】無源與有源元件的這些區(qū)別你都知道嗎?
- 1).簡(jiǎn)單地講就是需能(電)源的器件叫有源器件,無需能(電)源的器件就是無源器件。有源器件一般用來信號(hào)放大、變換等,無源器件用來進(jìn)行信號(hào)傳輸,或者通過方向性進(jìn)行“信號(hào)放大”。容、阻、感都是無源器件,IC、模塊等都是有源器件。(通俗的說就是需要電源才能顯示其特性的就是有源元件,如三極管。而不用電源就能顯示其特性的就叫無源元件) 2.) 1. 無源器件的簡(jiǎn)單定義 如果電子元器件工作時(shí),其內(nèi)部沒有任何形式的電源,則這種器件叫做無源器件。 從電路性質(zhì)上看,無源器
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【E電路】電容器的充電和放電原理圖
- 電容是一種以電場(chǎng)形式儲(chǔ)存能量的無源器件。在有需要的時(shí)候,電容能夠把儲(chǔ)存的能量釋出至電路。電容由兩塊導(dǎo)電的平行板構(gòu)成,在板之間填充上絕緣物質(zhì)或介電物質(zhì)。圖1和圖2分別是電容的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)?! ?nbsp; 當(dāng)電容連接到一電源是直流電 (DC) 的電路時(shí),在特定的情況下,有兩個(gè)過程會(huì)發(fā)生,分別是電容的 “充電” 和 “放電”。 若電容與直流電源相接,見圖3,電路中有電流流通。兩塊板會(huì)分別獲得數(shù)量相等的相反電荷,此時(shí)電容正在
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安立公司推出適用于各種無源器件測(cè)試環(huán)境的 RF VNA 系列產(chǎn)品
- 安立公司推出頻率 50 kHz 至 8.5 GHz 的ShockLine™ MS46522A 雙端口 RF VNA 系列產(chǎn)品,以針對(duì)無源器件測(cè)試市場(chǎng)對(duì)高價(jià)值和性能的需求。ShockLine MS46522A VNA 設(shè)計(jì)可在眾多不同的工程、制造和教學(xué)應(yīng)用中測(cè)試諸如線纜、連接器、濾波器和天線等無源器件。 ShockLine MS46522A 系列具有兩個(gè)型號(hào)。其中一款 VNA 的頻率覆蓋 50 kHz 至 4.5 GHz,另一款的頻率覆蓋范圍則擴(kuò)展至 8.5 GHz。該產(chǎn)品具有 70微秒
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