無源器件 文章 進(jìn)入無源器件技術(shù)社區(qū)
講透三極管
- 關(guān)于三極管,我相信每個(gè)搞硬件的應(yīng)該都有看過基本原理,現(xiàn)在我們算是溫故而知新,那么最好是帶著問題去看。這里準(zhǔn)備了幾個(gè)問題,我們帶著這幾個(gè)問題往下看?!?集電結(jié)為何會發(fā)生反偏導(dǎo)通并產(chǎn)生Ic,這看起來與二極管原理強(qiáng)調(diào)的PN結(jié)單向?qū)щ娦韵嗝??!?放大狀態(tài)下集電極電流Ic為什么會只受控于電流Ib而與電壓無關(guān);即:Ic與Ib之間為什么存在著一個(gè)固定的放大倍數(shù)關(guān)系。雖然基區(qū)較薄,但只要Ib為零,則Ic即為零?!?飽和狀態(tài)下,Vc電位很弱的情況下,仍然會有反向大電流Ic的產(chǎn)生。以上這三點(diǎn),都是為什么?很多教科書對于這部
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電容這樣理解,真的簡單
- 電容是電路設(shè)計(jì)中最為普通常用的器件,是無源元件之一,有源器件簡單地說就是需能(電)源的器件叫有源器件,無需能(電)源的器件就是無源器件。電容的作用和用途一般都有好多種,如:在旁路、去耦、濾波、儲能方面的作用;在完成振蕩、同步以及時(shí)間常數(shù)的作用……下面來詳細(xì)分析一下:隔直流:作用是阻止直流通過而讓交流通過。旁路(去耦):為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。旁路電容:旁路電容,又稱為退耦電容,是為某個(gè)器件提供能量的儲能器件。它利用了電容的頻率阻抗特性,理想電容的頻率特性隨頻率的升高,阻抗降低,就像一個(gè)水
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?基礎(chǔ)回顧:電阻、電容、電感、二極管、三極管、mos管
- 電阻1概念電阻元件的電阻值大小一般與溫度,材料,長度,還有橫截面積有關(guān),衡量電阻受溫度影響大小的物理量是溫度系數(shù),其定義為溫度每升高1℃時(shí)電阻值發(fā)生變化的百分?jǐn)?shù)。導(dǎo)體的電阻通常用字母R表示,電阻的單位是歐姆(ohm),簡稱歐,符號是Ω(希臘字母,讀作Omega),1Ω=1V/A。比較大的單位有千歐(kΩ)、兆歐(MΩ)(兆=百萬,即100萬)。1TΩ=1000GΩ;1GΩ=1000MΩ;1MΩ=1000KΩ;1KΩ=1000Ω(也就是一千進(jìn)率)串聯(lián): R=R1+R2+...+Rn定義式:R=U/I電阻元件
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電容器不只是儲能!電容器在電路中還有哪些作用呢?
- 電容器,作為電子領(lǐng)域中的基礎(chǔ)元件,以其獨(dú)特的工作原理在電路中發(fā)揮著多重作用。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)解析電容器在電路中的各種應(yīng)用及其重要性。濾波作用電容器常被用作濾波器,特別是在直流電源電路中。它們被接在直流電壓的正負(fù)極之間,目的是濾除直流電源中不需要的交流成分,從而使直流電變得更加平滑。為了達(dá)到更好的濾波效果,通常會使用大容量的電解電容,同時(shí)也可以在電路中并接其他類型的小容量電容來濾除高頻交流電。退耦作用在放大電路中,電容器還能起到退耦的作用。它們被并接在放大電路的電源正負(fù)極之間,這樣可以防止由電源內(nèi)阻形成
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如何選擇一個(gè)合適的電感?
- 電感器——又稱扼流器、電抗器、動(dòng)態(tài)電抗器。與電容器、電阻器一起被稱為三大被動(dòng)元件,繼電容器、電阻器之后迅速發(fā)展實(shí)現(xiàn)片式化的元件。基本原理自感現(xiàn)象:當(dāng)流經(jīng)導(dǎo)體本身的電流發(fā)生變化時(shí)會產(chǎn)生的電磁感應(yīng)現(xiàn)象。用金屬導(dǎo)線做成線圈,流經(jīng)線圈的電流發(fā)生變化時(shí),會產(chǎn)生很明顯的電磁感應(yīng)現(xiàn)象,線圈自感應(yīng)反向電動(dòng)勢阻礙電流的變化,起到平穩(wěn)電流的作用。具體地,如果電感器在沒有電流通過的狀態(tài)下,電路接通時(shí)它將試圖阻礙電流流過它;如果電感器在有電流通過的狀態(tài)下,電路斷開時(shí)它將試圖維持電流不變。從能量角度看就是,電感器能把電能轉(zhuǎn)儲為磁能
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超強(qiáng)總結(jié)|電容的27種電路應(yīng)用
- 1、濾波電容濾波電容接在直流電壓的正負(fù)極之間,以濾除直流電源中不需要的交流成分,使直流電平滑,通常采用大容量的電解電容,也可以在電路中同時(shí)并接其它類型的小容量電容以濾除高頻交流電。2、退耦電容退耦電容并接于放大電路的電源正負(fù)極之間,防止由電源內(nèi)阻形成的正反饋而引起的寄生振蕩。3、旁路電容在交直流信號的電路中,將電容并接在電阻兩端或由電路的某點(diǎn)跨接到公共電位上,為交流信號或脈沖信號設(shè)置一條通路,避免交流信號成分因通過電阻產(chǎn)生壓降衰減。4、耦合電容在交流信號處理電路中,用于連接信號源和信號處理電路或者作為兩放
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恒流二極管是什么鬼?
- 01恒流二極管二極管是一種有極性的兩端電子元件,它在單個(gè)方向上傳導(dǎo)電流并阻止電流在另一個(gè)方向上流動(dòng),因?yàn)樵谝粋€(gè)方向上,它的電阻理想地為零,而在另一個(gè)方向上它是無限的。這些組件包括兩個(gè)端子,一個(gè)陽極和一個(gè)陰極。根據(jù) PN 結(jié)二極管、齊納二極管、恒流二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管等要求,可以在各種電氣和電子項(xiàng)目中使用不同種類的二極管。本文下面討論了其中一種二極管恒流二極管及其應(yīng)用。一、什么是恒流二極管?用于將電流限制或改變到設(shè)備最高值的二極管稱為恒流二極管或CCD。該二極管也稱為電流調(diào)節(jié)二極管或 CRD 和
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為何晶振并聯(lián)一個(gè)1MΩ電阻?晶振低溫不起振如何解決?
- 無源晶振并聯(lián)一個(gè)1MΩ電阻電路圖問題描述:在一些方案中,晶振并聯(lián)1MΩ電阻時(shí),程序運(yùn)行正常,而在沒有1MΩ電阻的情況下,程序運(yùn)行有滯后及無法運(yùn)行現(xiàn)象發(fā)生。原因分析:在無源晶振應(yīng)用方案中,兩個(gè)外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,當(dāng)發(fā)生程序啟動(dòng)慢或不運(yùn)行時(shí),建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。這個(gè)1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡而言之,并聯(lián)1M電阻增加了電路中的負(fù)性阻抗(-R),即提升
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二極管選型指南
- 1正向?qū)▔航祲航担憾O管的電流流過負(fù)載以后相對于同一參考點(diǎn)的電勢(電位)變化稱為電壓降,簡稱壓降。導(dǎo)通壓降:二極管開始導(dǎo)通時(shí)對應(yīng)的電壓。正向特性:在二極管外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零。當(dāng)正向電壓大到足以克服PN結(jié)電場時(shí),二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。反向特性:外加反向電壓不超過一定范圍時(shí),通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小,二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。反向電壓增大到一定程度后,二極管反向擊穿。
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單片機(jī)晶振為什么不起振?
- 雖然現(xiàn)在嵌入式的應(yīng)用非常多,但是單片機(jī)的應(yīng)用也還有非常多的應(yīng)用之處。尤其是一些成本要求非常高的地方。本文將就常見的晶振問題加以說明和介紹。單片機(jī)晶振不起振原因分析遇到單片機(jī)晶振不起振是常見現(xiàn)象,那么引起晶振不起振的原因有哪些呢?(1) PCB板布線錯(cuò)誤;(2) 單片機(jī)質(zhì)量有問題;(3) 晶振質(zhì)量有問題;(4) 負(fù)載電容或匹配電容與晶振不匹配或者電容質(zhì)量有問題;(5) PCB板受潮,導(dǎo)致阻抗失配而不能起振;(6) 晶振電路的走線過長;(7) 晶振兩腳之間有走線;(8) 外圍電路的影響。解決方案,建議按如下方
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濾波電容怎么選?選多大容值?
- 電源濾波電容如何選取,掌握其精髓與方法,其實(shí)也不難。理論上理想的電容其阻抗隨頻率的增加而減少(1/jwc),,但由于電容兩端引腳的電感效應(yīng),這時(shí)電容應(yīng)該看成是一個(gè)LC串連諧振電路,自諧振頻率即器件的FSR參數(shù),這表示頻率大于Fsr(串聯(lián)諧振頻率)值時(shí),電容變成了一個(gè)電感(頻率超過Fsr電容此時(shí)呈感性),如果電容對地濾波,當(dāng)頻率超出Fsr后,對干擾的抑制就大打折扣,所以需要一個(gè)較小的電容并聯(lián)對地,可以想想為什么?電容器,高頻等效模型原因在于小電容,F(xiàn)sr值大,對高頻信號提供了一個(gè)對地通路,所以在電源濾波電路
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高性能計(jì)算市場大漲,不起眼的元器件價(jià)值量提升8倍
- 隨著高性能計(jì)算(HPC)系統(tǒng),特別是 AI 服務(wù)器的市場規(guī)模不斷擴(kuò)大,其核心處理器,包括 CPU、GPU、NPU、ASIC、FPGA 等,以及內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)通信等芯片元器件的性能和功耗水平都在提升。隨著性能提升,功率管理水平的提升顯得更加重要,因?yàn)?HPC 系統(tǒng),特別是 AI 服務(wù)器的耗電量越來越大,對整個(gè)系統(tǒng),以及主要芯片的功率管理能力提出了更高要求。在 AI 服務(wù)器中,CPU 需要供電,GPU 板卡需要供電,內(nèi)存(DDR4、DDR5、HBM)需要供電,各種接口也需要供電。此時(shí),電源管理系統(tǒng)就顯得非常重要了
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MOS管基礎(chǔ)及選型指南
- MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢,在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。▉ 場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管分為結(jié)型(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型(MOSFET)兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor,也
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如何區(qū)分有源晶振與無源晶振
- 我們知道,電子線路中的晶體振蕩器分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同,無源晶振為crystal(晶體),而有源晶振則叫做oscillator(振蕩器)。無源晶振 有源晶振一、無源晶振無源晶振一般有兩個(gè)引腳,無極性。它自身無法震蕩起來,一般外部都接有兩個(gè)10-22PF的瓷片電容。無源晶振參考電路無源晶振信號質(zhì)量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路也需要做相應(yīng)的調(diào)整。一般建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低
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浪涌保護(hù)器件介紹
- 壓敏電阻、氣體放電管、TVS管(瞬間抑制二極管)三種器件都限壓型的浪涌保護(hù)器件,都被用來在電路中用作浪涌保護(hù),那么他們有什么之間有什么差異呢?壓敏電阻壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間為ns級,比氣體放電管快,比TVS管稍慢一些,一般情況下用于電子電路的過電壓保護(hù)其響應(yīng)速度可以滿足要求。壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千PF的數(shù)量級范圍,很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護(hù)中,應(yīng)用在交流電路的保護(hù)中時(shí),因?yàn)槠浣Y(jié)電容較大會增加漏電流,在設(shè)計(jì)防護(hù)電路時(shí)需要充分考慮。TVS管TVS和齊納穩(wěn)壓管都能用作穩(wěn)壓,但是齊納擊穿電流
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