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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 爾必達

爾必達計劃在中國大陸和臺灣建廠

  • 　　據(jù)國外媒體報道，爾必達總裁阪本幸雄上周五接受媒體采訪時表示，該公司計劃在中國大陸和臺灣建廠，以滿足市場需求并減少稅收成本。 　　阪本幸雄表示，爾必達必將進軍中國市場，該公司最早將于2012年與一家臺灣芯片制造商合作到大陸建廠，并希望尋求中國政府的支持。爾必達還將加快其臺灣合資公司瑞晶電子第二家工廠的建設進程。 　　阪本幸雄預計，隨著電腦銷量回升以及新款移動設備對存儲芯片需求的增加，爾必達本財年有望實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的利潤和收入。三星電子上月表示，今年將向芯片業(yè)務投資89億美元，約為爾必達的10倍。海力士也
  • 關鍵字： 爾必達  存儲芯片  

爾必達宣布全球最小40nm 2Gb移動內(nèi)存顆粒

  • 　　據(jù)報道，日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動內(nèi)存顆粒基于40nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。 　　爾必達稱，新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設計工藝以及
  • 關鍵字： 爾必達  40nm  內(nèi)存  

全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

  • 　　日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條，雙面16顆即可構成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。 　　爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
  • 關鍵字： 爾必達  40nm  CMOS  DDR3  

爾必達2010財年凈利20億日元 三年內(nèi)首次盈利

  • 　　據(jù)國外媒體報道，日本最大的計算機內(nèi)存芯片制造商爾必達周三發(fā)布了該公司2010財年初步財報。財報顯示，受內(nèi)存芯片價格上漲及PC銷量增長的推動，爾必達在過去三年中首次實現(xiàn)盈利。 　　內(nèi)存價格的大幅上漲，使得處于長期虧損的內(nèi)存芯片制造商紛紛實現(xiàn)了盈利。爾必達財報顯示，在截至3月31日的2010財年，爾必達的凈利潤為20億日元。這一業(yè)績好于2009財年，爾必達在2009財年的凈虧損為1789億日元。 　　根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)此前
  • 關鍵字： 爾必達  內(nèi)存芯片  

爾必達狀告英飛凌和百思買，要求禁售有關產(chǎn)品

  • 　　本月早些時候，日本爾必達公司向美國佛吉尼亞東區(qū)法庭提交了針對英飛凌公司和百思買公司的訴狀，指這兩家公司違反國際貿(mào)易委員會(ITC)的有關規(guī)定。爾必達公司指控這兩家公司生產(chǎn)/銷售/進口的產(chǎn)品侵犯了自己有關移動設備用半導體集成電路的幾項專利。 　　不僅如此，爾必達公司還向該法院遞交了另外一份訴狀，訴狀指英飛凌公司生產(chǎn)的微控制器產(chǎn)品觸犯了爾必達公司幾項與汽車電子設備有關的專利。 　　為此，爾必達公司在訴狀中請求美國法院禁止這兩家公司生產(chǎn)/銷售的有關產(chǎn)品在美國地區(qū)進口/銷售，并要求對已售出的有關產(chǎn)品對爾必
  • 關鍵字： 爾必達  微控制器  

專利戰(zhàn)升級 爾必達反告英飛凌芯片侵權

  • 　　爾必達近日向美國法院對英飛凌提起兩項專利侵權訴訟，此次訴訟可以看作是爾必達對英飛凌起訴的反擊，雙方的半導體芯片大戰(zhàn)開始升級。 　　訴訟之一，爾必達稱英飛凌侵犯了其三項與手機有關的微控制器美國專利，這其中就涉及英飛凌為蘋果iPhone生產(chǎn)的微控制器。第二項訴訟是英飛凌侵犯用于汽車組件的微控制器專利。 　　爾必達在手機微控制器侵權聲明中表示，英飛凌拒絕了爾必達的專利授權，在不顧爾必達專利的情況下繼續(xù)出售微控制器。 　　該手機微控制器訴訟中還提到了百思買，原因則是后者銷售使用侵犯爾必達專利微控制器的手
  • 關鍵字： 爾必達  半導體芯片  微控制器  

華邦為爾必達代工的GDDR顯存產(chǎn)能明顯低于預期

  • 　　據(jù)業(yè)者透露，臺灣華邦公司最近已經(jīng)開始為爾必達內(nèi)存公司代工GDDR顯存芯片產(chǎn)品，其月產(chǎn)能為5000片晶圓。不過，由于華邦認為NOR閃存毛利更高，因 此其保留了部分產(chǎn)能用來制作NOR閃存，這便導致目前華邦公司的GDDR芯片產(chǎn)能僅能滿足爾必達一半的需求。 　　據(jù)業(yè)者分析，由于爾必達公司顯存業(yè)務量的激增，爾必達目前對華邦GDDR芯片的產(chǎn)能需求在每月1萬片左右，而華邦則被NOR閃存最近的漲價風聲所吸引，增大了NOR閃存的產(chǎn)能，這樣自然就影響到了其GDDR閃存的產(chǎn)能。 　　華邦計劃到下半年將其NOR閃存芯片的
  • 關鍵字： 爾必達  NOR閃存  

爾必達計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

  • 　　3月4日消息，據(jù)國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產(chǎn)。 　　爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個研發(fā)工廠。 　　爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用增長趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領域的領軍企業(yè)三星電子和海力士半導體
  • 關鍵字： 爾必達  NAND閃存  DRAM  

日本爾必達計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

  • 　　日本爾必達周四稱，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。 　　爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用愈發(fā)增加。爾必達正在追趕DRAM領域的領軍企業(yè)三星電子和海力士半導體。 　　爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術，及意大利的四五十名工程師進行談判。他拒絕就該公司將為該收購案斥資的規(guī)模進行評論。 　　日本經(jīng)濟新聞報導稱，爾必達記憶體將斥資30-50億日圓(合3400-5
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  

爾必達擬投資400億日圓提高瑞晶產(chǎn)能

  • 　　日本經(jīng)濟新聞報導，日廠爾必達(Elpida)與臺廠力晶合資成立的瑞晶，計劃在2010年度內(nèi)將DRAM產(chǎn)能提高為目前的2倍。 　　日經(jīng)報導，雙方將投資約400億日圓(約4.3億美元)將瑞晶產(chǎn)線全數(shù)轉進45奈米制程，以提高生產(chǎn)效率。 　　另一方面，爾必達亦計劃對該公司生產(chǎn)主力的廣島廠加碼投資600億日圓進行增產(chǎn)，估計含瑞晶在內(nèi)，總產(chǎn)能將擴增為1.6倍，可望追上三星電子(Samsung Electronics)。 　　報導指出，瑞晶目前月產(chǎn)能為7.5萬片(以12寸晶圓計)，目前采用的是65奈米制程技術
  • 關鍵字： 爾必達  晶圓  

爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片已投入量產(chǎn)

  • 　　爾必達公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經(jīng)開始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，爾必達公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片技術的開發(fā)工作，而他們只用了兩個月的時間便將這項技術投入了量產(chǎn)。 ? 　　比較現(xiàn)有的50nm制程技術，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內(nèi)存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規(guī)格的DDR3內(nèi)存芯片時的良率可達100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達到1
  • 關鍵字： 爾必達  40nm  2Gb  DDR3  

爾必達開發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)工作，并稱使用這種新制程技術制作出的內(nèi)存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內(nèi)存芯片更低。當應用在300mm尺寸晶 圓上時，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設備上的費用投資。 　　這種65nm XS制程技術的1Gb DDR3內(nèi)存芯片面向的
  • 關鍵字： 爾必達  65nm  DDR3  

爾必達內(nèi)存有望今年實現(xiàn)三年來的首次年度盈利

  • 　　12月11日訊，據(jù)國外媒體報道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結束時實現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。 　　爾必達內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場對內(nèi)存需求大于供給，我們也將在本財年結束時首次實現(xiàn)年度盈利。” 　　日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  內(nèi)存  

爾必達與臺灣茂德簽DRAM代工 預計明年量產(chǎn)

  • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，日本記憶體晶片大廠爾必達與臺灣茂德、華邦結盟，市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強調(diào)爾必達會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。 　　茂德董事長陳民良透露，將引進新的投資對象，目前潛在合作對象有四個集團，但堅決不透露是誰中選。 　　業(yè)內(nèi)揣測，有意入股或金援茂德者，可能是結盟的爾必達，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  

臺“經(jīng)濟部”主導的TIMC成立計劃走向窮途末路

  • 　　臺“立法院經(jīng)濟委員會”本月26日一致投票通過反對臺經(jīng)濟部一項要求政府向臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC)注資的提案，這意味著臺灣當局主導的力圖重建本土內(nèi)存工業(yè)的改革計劃第四次遭到政府其它部門的反對。 　　與此形成鮮明對比的是，韓國聯(lián)合通訊社本月26日援引韓國知識經(jīng)濟部的說法，稱南韓政府計劃支持三星以及海力士公司開發(fā)自旋極化磁隨機存取內(nèi)存技術(STT-MRAM)的項目.政府將于2014年前向該項目注資240億韓元(合2050萬美元)，占項目總預算的一半。 　　此前三星與海力士公司
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  
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爾必達介紹

Elpida　　ELPIDA\爾必達是日本最主要的DRAM半導體芯片制造廠商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內(nèi)存條.Elpida在歐美市場以提供高品質(zhì)的DRAM類產(chǎn)品而著稱,但因在大陸地區(qū)韓系廠商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國較少有貨物銷售,但同時也為廣大業(yè)者帶來潛在的商機. [ 查看詳細 ]

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