爾必達 文章 進入爾必達技術社區(qū)
爾必達擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量
- 日本最大閃存芯片制造商爾必達表示,可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量,達到公司芯片總產(chǎn)量的一半。 爾必達發(fā)言人表示,公司計劃今年開始大規(guī)模生產(chǎn)這一產(chǎn)品。他說,為了反映市場狀況,爾必達決定加快投資步伐。 爾必達、三星電子、海力士半導體等芯片制造商正在降低芯片尺寸,以增加一片晶圓所能切割出的芯片數(shù)量,以此降低成本,應對產(chǎn)品價格不斷下滑的局面。爾必達說,從當前的50納米技術轉向較小的芯片尺寸,公司可以將每片晶圓的芯片產(chǎn)量提高44%。 亞洲最大半導體現(xiàn)貨市場
- 關鍵字: 爾必達 40納米 閃存芯片
茂德努力與爾必達、臺灣創(chuàng)新內(nèi)存合作
- 美林證券最新出爐的報告,茂德股價慘跌,技術遲遲沒有更新,目前正致力于重整,管理高層表示,內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術來制作 1GB,采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(Elpida) 65納米的技術,但是這項協(xié)議還在洽談之中,目前正在看臺灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TIMC)合作行動內(nèi)存(Mobile DRAM) ,以充足資本額。 美林證券預期,茂德今年第4季的營業(yè)利益率為負141%,關鍵是技術缺乏競爭力,而且晶圓的產(chǎn)能利用率低于 40%,給予“表現(xiàn)低于大盤”評等,目標價降低19%,從 1.05
- 關鍵字: 爾必達 65納米 DRAM
爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片開發(fā)完成
- 爾必達公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作,今年11月份這種芯片將進入送樣階段,年底前則可實現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)爾必達公司表示,這種新芯片的面積更小,總體良品率 方面也比過去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%,而1.6Gbps數(shù)據(jù)傳輸率的產(chǎn)品良率更可達100%。 比較舊有的50nm制程產(chǎn)品,新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅動電流只有前者的2/3左右,支持1.2V/1.35V的較低工作電壓,同時也可以在DDR3標準的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
- 關鍵字: 爾必達 40nm SDRAM 內(nèi)存芯片
TMC成立 DRAM四大陣營競爭態(tài)勢即將成型
- 近期爾必達(Elpida)陸續(xù)發(fā)布與臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)相關的訊息,似乎也意味TMC正式營運的日子已越來越近。市調(diào)機構拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)表示,TMC成立后,全球DRAM產(chǎn)業(yè)將進入TMC/爾必達、臺塑集團/美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)等四大聯(lián)盟相互競爭的態(tài)勢。 爾必達社長(土反)本幸雄日前于股東會中指出,TMC對爾必達的出資比重預估將為9.5%;爾必達預計于2009年度 (2009年4月~2010年3月)內(nèi)以第三者配額增資的方式自TMC取得200
- 關鍵字: 爾必達 DRAM
第二季度爾必達 DRAM銷售大增

- 據(jù) iSuppli 公司,日本爾必達是第二季度全球 DRAM 市場明星,大幅提價導致其營業(yè)收入比第一季度勁增了 50%。 在五大 DRAM 供應商中,第二季度爾必達業(yè)績最好,營業(yè)收入從第一季度時的 4.97 億美元上升到 7.45 億美元。第二季度該公司 DRAM 的平均銷售價格(ASP)比第一季度提高了 32%,推動其業(yè)績明顯提升。 爾必達通過擴大面向移動與消費應用的專用 DRAM 銷售,大幅提高了營業(yè)收入與 ASP。這些專用 DRAM 價格高于通用產(chǎn)品,幫助爾必達取得了優(yōu)于競爭對手的業(yè)
- 關鍵字: 爾必達 DRAM DDR3
爾必達:計劃明年轉向40nm制程技術
- 據(jù)透露,為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面,日本爾必達內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉向使用40nm制程技術,而在40nm制程技術完全成熟之前,爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前,爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發(fā)出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段,但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。 目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而到40nm制程技術成熟時,三星還將推出4F2技術。 美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制
- 關鍵字: 爾必達 40nm 內(nèi)存芯片 50nm
爾必達:計劃明年轉向40nm制程技術
- 8月7日消息 據(jù)透露,為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面,日本爾必達內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉向使用40nm制程技術,而在40nm制程技術完全成熟之前,爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前,爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發(fā)出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段,但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。 目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而到40nm制程技術成熟時,三星還將推出4F2技術。 美國鎂光公司則已經(jīng)
- 關鍵字: 爾必達 DRAM 40nm 50nm 60nm
爾必達的DDR3 DRAM產(chǎn)量將提高一倍以上
- 日本爾必達存儲公司稱,計劃下月將把用于高速計算機和服務器的高級DRAM 芯片產(chǎn)量提高一倍多。此消息一出,周一該公司股價被推高。 爾必達表示,從9月開始,將把DDR3芯片的產(chǎn)量從現(xiàn)在的月產(chǎn)20000-30000片提高到每月75000片。 DDR3 芯片的現(xiàn)貨價格大約在2.10美元,比5月時的價格上漲了約30%,這促使爾必達及其競爭對手三星電子有限公司和海力士半導體公司將重心更多地轉移到這種新型芯片上。今年第二季度期間,韓國包括三星電子和海力士在內(nèi)的芯片企業(yè)在全球半導體市場上占有的份額超過60
- 關鍵字: 爾必達 DRAM DDR3
爾必達Hyper顆粒再遭OCZ停用
- 近日一家知名內(nèi)存廠商OCZ近日也宣布開始停售基于這種顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品.不過OCZ這邊的故障情況并不如海盜船遇到的那么嚴重,他們宣稱自己使用的是Hyper系列顆粒早期批次的產(chǎn)品,因此大規(guī)模故障現(xiàn)象并沒有發(fā)生.但為了防范于未然,他們還是決定暫時停止使用這些爾必達Hyper顆粒,以下是他們的聲明全文: "雖然爾必達公司的Hyper系列顆粒存在潛在質量問題,不過OCZ公司使用這種顆粒的產(chǎn)品目前為止并沒有出現(xiàn)大規(guī)模故障的現(xiàn)象,我們使用的顆粒是較早批次的產(chǎn)品,不過我們目前還不清楚質量問題與批次是否存
- 關鍵字: 爾必達 內(nèi)存
爾必達獲日政府和臺灣記憶體5.21億美元援助
- 據(jù)國外媒體報道,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省周二在其官方網(wǎng)站發(fā)表聲明稱,芯片生產(chǎn)商爾必達將獲得日本政府和中國臺灣芯片制造商記憶體500億日元(約合5.21億美元的注資)。受半導體價格下滑的影響,爾必達在2008年財年的凈虧損達到1789億日元。 經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的聲明稱,爾必達將從國有的日本開發(fā)銀行獲得300億美元的注資。在2010年3月31日之前,中國臺灣記憶體將向該公司注資200億日元。受半導體價格下滑的影響,德國芯片制造商奇夢達已尋求進行破產(chǎn)保護,爾必達在上年也出現(xiàn)了巨額的虧損。爾必達目前正與記憶體進行合作,
- 關鍵字: 爾必達 存儲芯片 記憶體
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